電子工程物理基礎(chǔ)

第1章 微觀粒子的狀態(tài)
1.1 粒子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述
1.1.1 分子相空間
1.1.2 微觀粒子的波粒二象性
1.1.3 不確定關(guān)系
1.1.4 波函數(shù)
1.2 薛定諤方程
1.2.1 薛定諤方程
1.2.2 概率流密度
1.2.3 定態(tài)薛定諤方程
1.2.4 哈密頓算符
1.3 無(wú)限深勢(shì)阱
1.3.1 一維無(wú)限深勢(shì)阱
1.3.2 三維無(wú)限深勢(shì)阱
1.4 一維諧振子
1.4.1 諧振子
1.4.2 諧振子方程的求解
1.4.3 諧振子的能級(jí)
1.4.4 諧振子波函數(shù)
1.5 勢(shì)壘貫穿
1.5.1 隧道效應(yīng)
1.5.2 勢(shì)壘貫穿的光學(xué)類(lèi)比
1.6 氫原子
1.6.1 氫原子的波函數(shù)
1.6.2 氫原子能級(jí)
1.6.3 角動(dòng)量
1.6.4 能級(jí)簡(jiǎn)并度
1.6.5 軌道磁矩
1.6.6 自旋、自旋磁矩
1.6.7 小結(jié)
1.7 定態(tài)微擾
1.7.1 非簡(jiǎn)并定態(tài)微擾
1.7.2 有簡(jiǎn)并存在下的微擾
1.8 麥克斯韋—玻爾茲曼分布
1.8.1 等概率假設(shè)
1.8.2 分布與微觀態(tài)之間的關(guān)系
1.8.3 麥克斯韋—玻爾茲曼分布
1.8.4 配分函數(shù)
1.9 玻色—愛(ài)因斯坦與費(fèi)米—狄拉克分布
1.9.1 全同性與泡利不相容原理
1.9.2 微觀狀態(tài)數(shù)
1.9.3 B-E分布與F-D分布
1.9.4 量子統(tǒng)計(jì)與經(jīng)典統(tǒng)計(jì)的關(guān)系
思考與練習(xí)
第2章 晶體中的電子狀態(tài)
2.1 晶體結(jié)構(gòu)的周期性
2.1.1 在坐標(biāo)空間里
2.1.2 在波矢空間里
2.2 金屬自由電子模型
2.2.1 金屬中自由電子的運(yùn)動(dòng)方程和解
2.2.2 κ空間和態(tài)密度
2.2.3 金屬電子氣的分布函數(shù)
2.2.4 金屬電子氣的比熱
2.3 周期勢(shì)場(chǎng)和布洛赫定理
2.3.1 周期勢(shì)場(chǎng)
2.3.2 布洛赫定理
2.4 準(zhǔn)自由電子模型
2.4.1 模型與零級(jí)近似
2.4.2 一般微擾的計(jì)算
2.4.3 簡(jiǎn)并微擾的計(jì)算
2.4.4 能帶
2.5 緊束縛近似模型
2.5.1 模型的建立與計(jì)算
2.5.2 結(jié)果分析
2.5.3 一個(gè)簡(jiǎn)單例子
2.6 電子的準(zhǔn)經(jīng)典運(yùn)動(dòng)
2.6.1 布洛赫電子運(yùn)動(dòng)的速度
2.6.2 加速度和有效質(zhì)量
2.7 導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的能帶模型
2.7.1 能帶的填充與導(dǎo)電性
2.7.2 導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的能帶
2.7.3 近滿帶與空穴
思考與練習(xí)
第3章 晶體中的原子熱振動(dòng)
3.1 原子間的相互作用
3.2 一維單原子晶格的振動(dòng)
3.2.1 振動(dòng)方程及行波解
3.2.2 色散關(guān)系
3.2.3 周期性邊界條件
3.3 一維雙原子晶格的振動(dòng)
3.3.1 振動(dòng)方程與解
3.3.2 色散關(guān)系
3.3.3 聲學(xué)波與光學(xué)波
3.3.4 晶格振動(dòng)的一般結(jié)論
3.4 晶格振動(dòng)的量子化聲子
3.4.1 格波能量量子化
3.4.2 聲子的概念
3.4.3 聲子對(duì)中子、光子和X射線散射
3.5 晶體的熱學(xué)性質(zhì)
3.5.1 晶格熱容的量子理論
3.5.2 晶體的熱膨脹
3.5.3 晶體的熱傳導(dǎo)
思考與練習(xí)
第4章 常見(jiàn)晶體的結(jié)構(gòu)及物理性質(zhì)
4.1 晶體結(jié)構(gòu)的特征和表示法
4.1.1 晶列和晶面的表示
4.1.2 晶體的對(duì)稱(chēng)性
4.1.3 晶系與布喇菲原胞
4.1.4 常見(jiàn)晶體的結(jié)構(gòu)
4.2 晶體的介電性質(zhì)
4.2.1 電極化現(xiàn)象
4.2.2 晶體的介質(zhì)極化率和介電常數(shù)
4.2.3 極化馳豫和介質(zhì)損耗
4.3 晶體的壓電性質(zhì)
4.3.1 正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)
4.3.2 壓電系數(shù)
4.3.3 晶體壓電性產(chǎn)生原因
4.3.4 壓電晶體的應(yīng)用
4.4 晶體的熱釋電性質(zhì)
4.4.1 熱釋效應(yīng)
4.4.2 產(chǎn)生熱釋電性的條件
4.4.3 熱釋電效應(yīng)的應(yīng)用
4.5 晶體的鐵電性質(zhì)
4.5.1 電滯回線
4.5.2 居里溫度
4.5.3 臨界溫度
4.6 晶體的光學(xué)性質(zhì)
4.6.1 麥克斯韋方程
4.6.2 波動(dòng)方程及其單色平面波特解
4.6.3 晶體中傳播的光波性質(zhì)
4.6.4 折射率橢球
4.6.5 電光效應(yīng)
思考與練習(xí)
第5章 半導(dǎo)體物理特性
5.1 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
5.1.1 非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體載流子濃度
5.1.2 本征半導(dǎo)體和本征載流子濃度
5.1.3 摻雜半導(dǎo)體及其載流子濃度
5.1.4 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
5.2 半導(dǎo)體的輸運(yùn)特性
5.2.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng) 遷移率
5.2.2 載流子的散射
5.2.3 半導(dǎo)體電阻率、雜質(zhì)濃度和遷移率關(guān)系
5.3 非平衡載流子
5.3.1 非平衡載流子的產(chǎn)生一注入
5.3.2 非平衡載流子的壽命
5.3.3 非平衡載流子的復(fù)合
5.3.4 非平衡載流子的運(yùn)動(dòng)
5.3.5 連續(xù)性方程
5.4 半導(dǎo)體表面、界面(同質(zhì)、異質(zhì))、金屬和半導(dǎo)體接觸
5.4.1 半導(dǎo)體表面電場(chǎng)效應(yīng)
5.4.2 半導(dǎo)體同質(zhì)p-n結(jié)
5.4.3 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
5.4.4 金屬.半導(dǎo)體接觸
5.4.5 半導(dǎo)體超晶格微結(jié)構(gòu)
5.5 半導(dǎo)體光電特性
5.5.1 半導(dǎo)體光吸收
5.5.2 半導(dǎo)體的定態(tài)光電導(dǎo)
5.5.3 光生伏特效應(yīng)
5.5.4 半導(dǎo)體發(fā)光和發(fā)光二極管
5.5.5 半導(dǎo)體激射和激光二極管
5.5.6 半導(dǎo)體光磁電效應(yīng)
5.6 半導(dǎo)體的其他特性
5.6.1 半導(dǎo)體的熱電效應(yīng)
5.6.2 半導(dǎo)體磁阻效應(yīng)
5.6.3 半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)
5.6.4 半導(dǎo)體聲電效應(yīng)
5.7 半導(dǎo)體陶瓷
5.7.1 PTC半導(dǎo)體陶瓷
5.7.2 NTC半導(dǎo)體陶瓷
5.7.3 晶界層電容器陶瓷
5.7.4 壓敏半導(dǎo)體陶瓷
5.7.5 其他半導(dǎo)體陶瓷
思考與練習(xí)
參考文獻(xiàn)