半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)與性能（第4卷）

定　價(jià)：￥73.00

作　者：	（英）W.施羅特爾（Wolfgang Schroter）主編；甘駿人，夏冠群等譯；甘駿人譯
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：	材料科學(xué)與技術(shù)叢書
標(biāo)　簽：	超導(dǎo)電性

ISBN：	9787030075253	出版時(shí)間：	2001-02-01	包裝：	精裝
開本：	27cm	頁數(shù)：	530	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本卷主要介紹半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)與性能。本卷共11章。第1章至第4章主要闡述半導(dǎo)體中的能帶理論、光學(xué)性質(zhì)和電荷輸送，本征點(diǎn)缺陷及深中心；第5章至第8章敘述平衡、非平衡，擴(kuò)散"和淀積，位錯，半導(dǎo)體中的晶界及界面；第9章至第11章介紹量子線中的霍爾效應(yīng)，氫化無定形硅的材料特性，硅中3d過渡元素的高溫特性。本卷可供材料科學(xué)、物理、金屬學(xué)、電子、機(jī)械、航空、航天等研究、教學(xué)及生產(chǎn)的科學(xué)技術(shù)工作者閱讀、參考。

作者簡介

暫缺《半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)與性能（第4卷）》作者簡介

圖書目錄

1半導(dǎo)體中的能帶理論
2光學(xué)性質(zhì)和電輸運(yùn)
3半導(dǎo)體中的本征點(diǎn)缺陷
4半導(dǎo)體中的深中心
5平衡.非平衡.擴(kuò)散和沉淀
6位錯
7半導(dǎo)體中的晶界
8界面
9量子線中的霍爾效應(yīng)
10氫化無定形硅的材料特性
11硅中3d過渡元素的高溫特性
索引