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電子材料實驗

電子材料實驗

定 價:¥26.00

作 者: 宗祥福,李川主編
出版社: 復旦大學出版社
叢編項: 博學 材料科學系列
標 簽: 電子其他

ISBN: 9787309040258 出版時間: 2004-08-01 包裝: 簡裝本
開本: 23cm 頁數(shù): 228 字數(shù):  

內(nèi)容簡介

  《電子材料實驗》是材料類專業(yè)大學生的一門專業(yè)實驗教材?!峨娮硬牧蠈嶒灐饭簿帉懥?4個實驗,內(nèi)容包括:半導體材料基本物理性能參數(shù)測試,光譜分析技術(shù),電子顯微分析技術(shù),材料制備技術(shù),集成電路解剖分析,ANSYS應力模擬分析和集成電路CAD基礎(chǔ)等?!峨娮硬牧蠈嶒灐房勺鳛椴牧衔锢韺I(yè)和材料化學專業(yè)及其相關(guān)專業(yè)的大學生和研究生的實驗教材或參考書,也可供從事相關(guān)工作的科技人員使用。

作者簡介

  宗祥福1956年畢業(yè)于復旦大學物理系。現(xiàn)任國際歐亞科學院院士,復旦大學首席教授,博士生導師,上海交通大學特聘教授,上海交通大學制造科學與技術(shù)研究所所長,曾任復旦大學技術(shù)科學與工程學院院長、材料科學系系主任、材料科學研究所所長及國家微電子材料與元器件微分析中心主任、國家教育部理科材料科學教學指導委員會副主任、亞太地區(qū)微分析協(xié)會主席、歐洲微束分析委員會國際顧問,是同濟大學、香港城市大學、日本學習院大學、美國新澤西理工學院等國內(nèi)外多所大學的名譽教授和訪問教授。同時,也是新加坡世界科學出版公司顧問和美國福特汽車公司亨利福特汽車信息電子教授。宗祥福教授的研究領(lǐng)域是材料科學與工程中的半導體材料與器件關(guān)系、晶體中雜質(zhì)與缺陷、新型電子材料和微分析技術(shù);他的“用于大規(guī)模集成電路的硅內(nèi)吸除技術(shù)”攻關(guān)項目獲電子工業(yè)部科技成果二等獎(1985年),“光控固態(tài)繼電器研究”項目獲得國家教委科技進步二等獎(1988年),“優(yōu)化過程中材料工藝、缺陷分析”攻關(guān)項目獲國家教委科技進步獎(1991年)。20世紀90年代,他在復旦大學組建了國家微電子材料與元器件微分析中心,面向產(chǎn)業(yè)為我國的微電子產(chǎn)業(yè)服務取得多項成果。“微電子材料與元器件微分析技術(shù)”項目獲上海市科技進步一等獎(1996年)及國家教委科技進步三等獎(1995年),“發(fā)展微分析技術(shù)的研究”攻關(guān)項目獲國家計委、科委、財政部聯(lián)合頒發(fā)的國家“八五”科技攻關(guān)重大科技成果獎(1996年),“集成電路的工藝材料診斷和新產(chǎn)品開發(fā)的研究”項目獲上海市優(yōu)秀產(chǎn)學研項目一等獎(1997年)、上海市科技進步二等獎(1998年)。宗祥福教授從事高等院校教學和科研工作四十多年,先后獲上海市、國家教委和國家科委授予的上海市先進科技工作者稱號(1979年)、國家教委全國優(yōu)秀教師稱號(1989年)和全國高等學校先進科技工作者稱號(1990年)。他的主要著譯作有:《材料質(zhì)量對器件制作的影響》、《超大規(guī)模集成電路電鏡分析》、《The Chinese ElectroniceIndustry,CRC Press LLC(1999)》、《材料物理基礎(chǔ)》和《電子材料實驗》。另外,在國內(nèi)外科技期刊上發(fā)表論文70余篇。李川1965年畢業(yè)于復旦大學物理系。高級工程師。在復旦大學物理系半導體物理教研室和材料科學系材料物理教研室從事電子材料分析測試教學和科研工作。他參與的“ZLF-1型直接成像式離子質(zhì)譜儀”攻關(guān)項目獲全國科技大會重大科研成果獎(1978年),“X射線光電子能譜儀數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)”項目獲上海市科學技術(shù)進步三等獎(1987年)。1991年,“優(yōu)化過程中材料、工藝缺陷分析”項目榮獲機械電子工業(yè)部頒發(fā)的“七五”科技攻關(guān)項目做出突出成績的榮譽證書,獲得國家教委科學技術(shù)進步三等獎(1992年)。1998年,榮獲復旦大學“海德萬”教學獎。

圖書目錄

實驗一 四探針法測量電阻率
實驗二 擴展電阻法測量硅片微區(qū)電阻率變化及其深度分布
實驗三 范德堡-霍耳效應實驗
實驗四 硅單晶雜質(zhì)補償度的測量
實驗五 MOS電容-電壓特性測量
實驗六 用準靜態(tài)技術(shù)測量硅-二氧化硅界面態(tài)密度分布
實驗七 深能級瞬態(tài)譜法(DLTS)測定硅中深能級中心
實驗八 砷化鎵的光致發(fā)光(PL)譜
實驗九 激光測定硅單晶晶軸
實驗十 橢偏法測量薄膜折射率及厚度
實驗十一 掃描電子顯微鏡
實驗十二 半導體集成電路的解剖分析
實驗十三 掃描電鏡X射線能譜分析
實驗十四 透射電子顯微術(shù)
實驗十五 傅里葉變換紅外光譜法(FTR)測定硅中雜質(zhì)氧的含量
實驗十六 原子吸收光譜分析
實驗十七 X射線光電子能譜分析
實驗十八 低壓化學氣相淀積多晶硅
實驗十九 用SiH4-NH3淀積氮化硅
實驗二十 等離子增強化學氣相淀積氧化硅
實驗二十一 金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)鈦酸鉛
實驗二十二 多孔硅材料的制備
實驗二十三 通用有限元軟件ANSYS推焊球應力分析
實驗二十四 集成電路CAD基礎(chǔ)

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