可靠性試驗(yàn)

第1章 概論
1.1 電子元器件
1.2 電子元器件的可靠性
1.3 影響電子元器件可靠性的因素
1.4 電子元器件可靠性試驗(yàn)的定義與原理
1.4.1 可靠性試驗(yàn)的定義
1.4.2 可靠性試驗(yàn)的原理
1.5 電子元器件可靠性試驗(yàn)的分類及內(nèi)涵
1.5.1 可靠性試驗(yàn)的分類
1.5.2 可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)和失效分析試驗(yàn)
1.5.3 老煉試驗(yàn)和篩選試驗(yàn)
1.5.4 模擬試驗(yàn)和現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)
1.5.5 例行試驗(yàn)、質(zhì)量一致性檢驗(yàn)和可靠性驗(yàn)收試驗(yàn)
1.5.6 可靠性鑒定試驗(yàn)、可靠性定級(jí)試驗(yàn)和可靠性維持試驗(yàn)
1.6 可靠性試驗(yàn)在可靠性工程中的地位
復(fù)習(xí)與思考題
第2章 電子元器件的可靠性試驗(yàn)
2.1 電子元器件的可靠性試驗(yàn)概述
2.1.1 失效判據(jù)
2.1.2 可靠性試驗(yàn)方法
2.2 電子元器件的失效率試驗(yàn)
2.2.1 電子元器件失效率試驗(yàn)的種類和方法
2.2.2 失效率等級(jí)與置信度
2.2.3 試驗(yàn)方法原理及抽樣表
2.2.4 失效率試驗(yàn)的一般要求
2.2.5 失效率試驗(yàn)程序
2.2.6 應(yīng)用舉例
2.2.7 失效率、置信度、允許失效數(shù)和總試驗(yàn)時(shí)間的關(guān)系
2.3 電子元器件的壽命試驗(yàn)
2.3.1 長(zhǎng)期壽命試驗(yàn)
2.3.2 利用威布爾概率紙估計(jì)可靠性數(shù)量特征的方法
2.3.3 估計(jì)可靠性數(shù)量特征的數(shù)學(xué)方法
2.3.4 加速壽命試驗(yàn)
2.4 電子元器件的可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)方法
2.4.1 概述
2.4.2 基本概念
2.4.3 可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)的一般要求
2.4.4 可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)的實(shí)施（詳細(xì)要求）
2.4.5 杜安可靠性增長(zhǎng)模型的說明和MTBF移動(dòng)平均值法的探討
2.4.6 AMSAA模型增長(zhǎng)分析
2.5 電子元器件的可靠性篩選
2.5.1 概述
2.5.2 可靠性篩選
2.5.3 可靠性篩選的分類
2.5.4 可靠性篩選條件的選擇
2.5.5 常用的篩選方法及其效果
2.5.6 篩選試驗(yàn)技術(shù)
2.6 電子元器件的其他可靠性試驗(yàn)
2.6.1 例行試驗(yàn)
2.6.2 鑒定驗(yàn)收試驗(yàn)
2.6.3 電子元器件的可靠性認(rèn)定試驗(yàn)
2.6.4 電子元器件的認(rèn)證試驗(yàn)
2.7 電子設(shè)備的可靠性試驗(yàn)
2.7.1 可靠性試驗(yàn)的種類及其目的
2.7.2 正確評(píng)定設(shè)備的可靠性
復(fù)習(xí)與思考題
第3章 電子元器件的可靠性基礎(chǔ)試驗(yàn)
3.1 概述
3.2 機(jī)械、環(huán)境試驗(yàn)
3.2.1 概述
3.2.2 機(jī)械、環(huán)境試驗(yàn)的分類
3.2.3 振動(dòng)試驗(yàn)
3.2.4 沖擊試驗(yàn)
3.2.5 離心加速度試驗(yàn)
3.2.6 溫度試驗(yàn)
3.2.7 與外引線有關(guān)的試驗(yàn)
3.2.8 密封試驗(yàn)
3.2.9 濕熱試驗(yàn)
3.2.10 粒子碰撞噪聲檢測(cè)多余物試驗(yàn)
3.2.11 老煉試驗(yàn)
3.2.12 鹽霧試驗(yàn)
3.2.13 宇航用電子元器件超期復(fù)驗(yàn)試驗(yàn)
3.2.14 內(nèi)部水汽含量試驗(yàn)
3.2.15 輻射試驗(yàn)
3.2.16 鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)
3.2.17 芯片附著強(qiáng)度試驗(yàn)
3.2.18 低氣壓試驗(yàn)（超高真空試驗(yàn)）
3.2.19 混響試驗(yàn)
3.2.20 無重力（微重力）試驗(yàn)
3.3 電子元器件的電性能特性參數(shù)檢測(cè)試驗(yàn)
3.3.1 電壓測(cè)量
3.3.2 電流測(cè)量
3.3.3 阻抗測(cè)量
3.3.4 絕緣電阻試驗(yàn)
3.3.5 電子元器件制造防靜電系統(tǒng)的測(cè)試
3.3.6 電離輻射（總劑量）試驗(yàn)程序
3.3.7 劑量率感應(yīng)鎖定試驗(yàn)程序
3.3.8 數(shù)字微電路的劑量率翻轉(zhuǎn)試驗(yàn)
3.3.9 ＭＯＳ場(chǎng)效應(yīng)晶體管閾值電壓
3.3.10 線性微電路的劑量率響應(yīng)和翻轉(zhuǎn)閾值
3.3.11 靜電放電敏感度試驗(yàn)
3.4 電子元器件可靠性試驗(yàn)的常用設(shè)備
3.4.1 概述
3.4.2 機(jī)械、環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備
3.4.3 電性能特性參數(shù)測(cè)試設(shè)備
3.4.4 綜合測(cè)試設(shè)備
復(fù)習(xí)與思考題
第4章 電子元器件的可靠性試驗(yàn)設(shè)計(jì)
4.1 可靠性試驗(yàn)的一般要求
4.1.1 試驗(yàn)類型的選擇
4.1.2 可靠性試驗(yàn)的設(shè)計(jì)
4.1.3 可靠性試驗(yàn)前應(yīng)具備的條件
4.1.4 試驗(yàn)樣品的要求
4.1.5 試驗(yàn)設(shè)備、儀器儀表的要求
4.1.6 試驗(yàn)的實(shí)施要求
4.1.7 受試設(shè)備的檢測(cè)要求
4.1.8 受試設(shè)備接收與否的判決
4.1.9 糾正措施與預(yù)防性維護(hù)的要求
4.1.10 受試設(shè)備的復(fù)原
4.1.11 對(duì)可靠性試驗(yàn)的檢查與監(jiān)督
4.2 試驗(yàn)條件選擇及試驗(yàn)周期設(shè)計(jì)
4.2.1 電子設(shè)備的分類
4.2.2 試驗(yàn)條件的分類
4.2.3 試驗(yàn)條件的選擇
4.2.4 對(duì)基本環(huán)境試驗(yàn)方法的要求
4.2.5 試驗(yàn)中的工作條件
4.2.6 試驗(yàn)周期（循環(huán)）與試驗(yàn)程序的設(shè)計(jì)
4.2.7 推薦的試驗(yàn)周期
4.2.8 編制可靠性試驗(yàn)程序的實(shí)例與說明
4．3 可靠性試驗(yàn)報(bào)告
4.3.1 概述
4.3.2 可靠性試驗(yàn)報(bào)告
4.4 現(xiàn)場(chǎng)可靠性試驗(yàn)
4.4.1 現(xiàn)場(chǎng)可靠性試驗(yàn)的目的
4.4.2 現(xiàn)場(chǎng)可靠性試驗(yàn)的一般要求
4.4.3 正確評(píng)定和比較現(xiàn)場(chǎng)與實(shí)驗(yàn)室模擬的可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)
4.5 可靠性試驗(yàn)技術(shù)與管理
4.5.1 可靠性試驗(yàn)技術(shù)
4.5.2 可靠性試驗(yàn)的管理
復(fù)習(xí)與思考題
結(jié)束語
主要參考文獻(xiàn)