微電子化學(xué)技術(shù)基礎(chǔ)

1硅材料及硅化合物化學(xué)性質(zhì)1
11硅的化學(xué)性質(zhì)1
12硅化合物的化學(xué)性質(zhì)3
13超凈高純試劑21
14半導(dǎo)體工業(yè)用化學(xué)品26
15電子工業(yè)用光刻膠.涂料和黏合劑30
2超大規(guī)模集成電路襯底加工38
21硅單晶的加工成形技術(shù)38
22超大規(guī)模集成電路硅襯底的拋光54
參考文獻(xiàn)65
3微電子技術(shù)中的環(huán)境凈化67
31廠房的潔凈技術(shù)基礎(chǔ)67
32高純氣體制備機理75
33超凈高純試劑純化機理105
4洗凈工程中凈化水的制備機理109
41天然水中的雜質(zhì)109
42超純水112
43離子交換樹脂116
44電滲析法制備純水的原理121
45反滲透法制備純水的原理125
46反滲透膜的技術(shù)現(xiàn)狀131
47反滲透膜的污染與清洗135
48反滲透膜生物污染與防治138
5凈洗技術(shù)工程148
51概述148
52晶片清洗的基本理論及方法151
53顆粒吸附狀態(tài)分析及優(yōu)先吸附模型154
54表面活性劑157
55硅片清洗的常用方法與技術(shù)160
56清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)168
57溶液清洗技術(shù)的研究現(xiàn)狀169
58新型兆聲清洗172
參考文獻(xiàn)173
6鍵合技術(shù)工程175
61鍵合的基本原理及基本要求175
62幾種主要的鍵合方法176
63鍵合晶片的表征測試方法177
64鍵合技術(shù)在微電子學(xué)中的應(yīng)用178
65鍵合技術(shù)的應(yīng)用189
參考文獻(xiàn)205
7微機械加工技術(shù)工程206
71各向異性腐蝕209
72各向同性腐蝕238
73陽極腐蝕245
74電鈍化腐蝕250
75表面微機械加工技術(shù)260
76干法腐蝕269
77LIGA技術(shù)工藝及推廣277
參考文獻(xiàn)283
8微電子器件氧化技術(shù)工程285
81二氧化硅的結(jié)構(gòu)286
82二氧化硅的性質(zhì)287
83二氧化硅膜的制備及其原理290
84二氧化硅硅界面的物理性質(zhì)307
85二氧化硅玻璃中的雜質(zhì)308
86雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散312
87二氧化硅膜質(zhì)量的檢驗316
9蝕刻技術(shù)321
91簡介321
92蝕刻技術(shù)中的術(shù)語321
93濕式蝕刻322
94干式蝕刻324
參考文獻(xiàn)329
10多層布線與全局平面化技術(shù)330
101化學(xué)機械研磨在新一代大型集成電路中所扮演的角色331
102超精密研磨技術(shù)與CMP之基礎(chǔ)——CMP的定位與CMP研磨的機制336
103CMP的要素技術(shù)342
104CMP中測定與工程種類的關(guān)系374
105CMP的未來375
參考文獻(xiàn)377
11電鍍與化學(xué)鍍379
111電鍍概述379
112化學(xué)鍍原理387
113水溶性涂料391
參考文獻(xiàn)392
附錄394