硅超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)：理論、實(shí)踐與模型

第1章 引言及歷史展望
　1.1 引言
　1.2 集成電路與平面工藝——促成集成電路產(chǎn)生的幾項(xiàng)關(guān)鍵發(fā)明
　1.3 半導(dǎo)體的基本特性
　1.4 半導(dǎo)體器件
　　1.4.1 pn結(jié)二極管
　　1.4.2 mos晶體管
　　1.4.3 雙極型晶體管
　1.5 半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展歷程
　1.6 現(xiàn)代科學(xué)發(fā)現(xiàn)——實(shí)驗(yàn)、理論與計(jì)算機(jī)模擬
　1.7 本書(shū)的內(nèi)容安排
　1.8 本章要點(diǎn)小結(jié)
　1.9 參考文獻(xiàn)
　1.10習(xí)題
第2章 現(xiàn)代cmos工藝技術(shù)
　2.1 引言
　2.2 cmos工藝流程
　　2.2.1 cmos工藝流程
　　2.2.2 有源區(qū)的形成
　　2.2.3 用于器件隔離的可選工藝方案——淺槽隔離
　　2.2.4 n阱和p阱的形成
　　2.2.5 用于制備有源區(qū)和阱區(qū)的可選工藝方案
　　2.2.6 柵電極的制備
　　2.2.7 前端或延伸區(qū)（ldd）的形成
　　2.2.8 源漏區(qū)的形成
　　2.2.9 接觸與局部互連的形成
　　2.2.10多層金屬互連的形成
　2.3 本章要點(diǎn)小結(jié)
　2.4 習(xí)題
第3章 晶體生長(zhǎng)、晶圓片制造與硅晶圓片的基本特性
　3.1 引言
　3.2 歷史發(fā)展和基本概念
　　3.2.1 單晶結(jié)構(gòu)
　　3.2.2 晶體中的缺陷
　　3.2.3 原料與提純
　　3.2.4 直拉和區(qū)熔單晶的生長(zhǎng)方法
　　3.2.5 圓片的準(zhǔn)備和規(guī)格
　3.3 制造方法和設(shè)備
　3.4 測(cè)量方法
　　3.4.1 電學(xué)測(cè)試
　　3.4.2 物理測(cè)量
　3.5 模型和模擬
　　3.5.1 直拉法單晶生長(zhǎng)
　　3.5.2 cz單晶生長(zhǎng)期間的摻雜
　　3.5.3 區(qū)域精煉與區(qū)熔（fz）生長(zhǎng)
　　3.5.4 點(diǎn)缺陷
　　3.5.5 硅中的氧
　　3.5.6 硅中碳
　　3.5.7 模擬
　3.6 技術(shù)和模型的限制及未來(lái)趨勢(shì)
　3.7 本章要點(diǎn)小結(jié)
　3.8 參考文獻(xiàn)
　3.9 習(xí)題
第4章 半導(dǎo)體制造——潔凈室、晶圓片清洗與吸雜處理
　4.1 引言
　4.2 歷史的發(fā)展與幾個(gè)基本概念
　　4.2.1 第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠
　　4.2.2 第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗
　　4.2.3 第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理
　4.3 制造方法與設(shè)備
　　4.3.1 第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠
　　4.3.2 第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗
　　4.3.3 第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理
　4.4 測(cè)量方法
　　4.4.1 第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠
　　4.4.2 第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗
　　4.4.3 第二個(gè)層次的污染降低:吸雜處理
　4.5 模型與模擬（模型化方法與模擬技術(shù)）
　　4.5.1 第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠
　　4.5.2 第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗
　　4.5.3 第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理
　4.6 工藝技術(shù)與模型方面的限制因素及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)
　4.7 本章要點(diǎn)小結(jié)
　4.8 參考文獻(xiàn)
　4.9 習(xí)題
第5章 光刻
第6章 熱氧化和si-sio2界面
第7章 擴(kuò)散
第8章 離子注入
第9章 薄膜淀積
第10章 刻蝕
第11章 后端工藝
附錄
術(shù)語(yǔ)表