王陽(yáng)元文集（第2輯）

編輯出版說明
序一
序二 我國(guó)微電子領(lǐng)域的戰(zhàn)略科學(xué)家——記我們心目中的王老師
戰(zhàn)略研究
微電子科學(xué)技術(shù)和集成電路產(chǎn)業(yè)
歷史機(jī)遇與我國(guó)微電子發(fā)展之路
2020年，把我國(guó)建成微電子強(qiáng)國(guó)
不到長(zhǎng)城非好漢
今日長(zhǎng)纓在手，何時(shí)縛住蒼龍
建設(shè)產(chǎn)前技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟，自主創(chuàng)新、增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力
附錄：知識(shí)產(chǎn)權(quán)是微電子產(chǎn)業(yè)建設(shè)的關(guān)鍵
發(fā)展前沿綜述
21世紀(jì)的硅微電子學(xué)
日新月異的微電子技術(shù)
technology innovation and talent cultivation（技術(shù)創(chuàng)新與人才培養(yǎng)）
面向產(chǎn)業(yè)需求的21世紀(jì)微電子技術(shù)的發(fā)展
硅集成電路光刻技術(shù)的發(fā)展與挑戰(zhàn)
超深亞微米集成電路中的互連問題
微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求
微機(jī)電系統(tǒng)
學(xué)術(shù)論文
第一部分soi/cmos器件與電路研究
a highperformance soi drivein gate controlled hybrid transistor（一個(gè)高性能soi退火推進(jìn)型柵控混合晶體管）
comprehensive analysis of the short channel effect in the soi gate controlled hybrid transistor （soi柵控混合晶體管短溝效應(yīng)的全面分析）
the behavior of narrowwidth soi mosfet’s with mesa isolation（采用mesa隔離的窄寬度soi mosfet器件的特性）
采用cosi2 salicide結(jié)構(gòu)cmos/soi器件輻照特性的實(shí)驗(yàn)研究
hot carrier induced degradation in mesaisolated nchannel soi mosfets operating in a bimos mode（工作在bi-mos模式下mesa隔離的n溝soi mosfet的熱載流子導(dǎo)致的退化）
全耗盡soi mosfet輻照導(dǎo)致的閾值電壓漂移模型
一個(gè)適用于模擬電路的深亞微米 soi mosfet器件模型
適用于數(shù)?；旌霞傻膕oi mosfet的失真分析
一個(gè)解析的適用于短溝soi mosfet s 的高頻噪聲模型
a twodimensional physicallybased current model for deep submicrometer soi dynamic thresholdvoltage mosfet（用于深亞微米soi動(dòng)態(tài)閾值電壓mosfet的一個(gè)基于物理機(jī)制的二維電流模型）292
a novel idea: using dtmos to suppress fibl effect in mosfet with highk gate dielectrics（一個(gè)新的用dtmos抑制mosfet的fibl效應(yīng)的方法）
distortion behavior for soi mosfet（soi mosfet的失真行為）
design guideline of an ultrathin body soi mosfet for lowpower andhighperformance applications（高速低功耗超薄體soi mosfet的設(shè)計(jì)方法）
第二部分 超深亞微米器件研究——模型，tcad，highk effect of grain boundary on minority carrier injection into polysilicon emitter(晶粒邊界對(duì)少數(shù)載流子注入多晶硅發(fā)射極的影響)
the influence of tunneling effect and inversion layer quantization effect on threshold voltage of deep submicron mosfet(隧穿效應(yīng)和反型層量子化效應(yīng)對(duì)深亞微米mosfet的影響)
computer simulation on low energy ion implantation based on moleculardynamics methods（基于分子動(dòng)力學(xué)方法的低能離子注入的計(jì)算機(jī)模擬）
3～6nm 超薄sio2柵介質(zhì)的特性
threshold voltage model for mosfets with highk gate dielectrics(高k柵介質(zhì)mosfets的閾值電壓模型)
interfacial and structural characteristics of ceo2 films on silicon with a nitrided interface formed by nitrogenionbeam bombardment(采用氮離子來轟擊形成的硅上ceo2的氮化物界面層的表面和結(jié)構(gòu)特征)
influences of h+2 and he+ coimplantation into silicon on electric characteristics of mosfets（氫氦聯(lián)合注入硅對(duì)mosfet電性能的影響）
atomistic simulation of defects evolution in silicon during annealing after low energy selfion implantation(原子模型模擬硅離子注入硅襯底的退火過程中的缺陷演化)
highly scaled cmos device technologies with new structures and new materials(采用新結(jié)構(gòu)和新材料高度等比例縮小cmos器件技術(shù))
第三部分 微機(jī)電系統(tǒng)（mems）研究
siliconglass wafer bonding with silicon hydrophilic fusion bonding technology(采用硅親水熔融鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)硅/玻璃鍵合)
a bulk micromachined vibratory lateral gyroscope fabricated with wafer bonding and deep trench etching(利用圓片鍵合和深刻蝕技術(shù)制造的體硅橫向振動(dòng)陀螺)
an improved tmah sietching solution without attacking exposed aluminum(一種不腐蝕al的tmah硅腐蝕液)
a small equipment of q study of microgyroscope(陀螺品質(zhì)因子小型測(cè)試系統(tǒng))
an experimental study on hightemperature metallization for microhotplatebased integrated gas sensors(基于微熱板的集成化學(xué)傳感器高溫金屬化實(shí)驗(yàn)研究)
硅基mems加工技術(shù)及其標(biāo)準(zhǔn)工藝研究
fabrication of keyholefree ultradeep highaspectratio isolation trench and its applications(無空洞超深高深寬比隔離槽制造技術(shù)及應(yīng)用)
simulation of the bosch process with a stringcell hybrid method(采用線單元混合模型進(jìn)行bosch仿真)
integrated bulkmicromachined gyroscope using deep trench isolation technology(采用深槽刻蝕技術(shù)的集成體硅陀螺)5
第四部分 rf與電路研究
numerical calculation of electromigration under pulse current with joule heating(考慮焦耳熱的脈沖直流下電遷移數(shù)值計(jì)算)
dependence of electromigration caused by different mechanisms on current densities in vlsi interconnects(vlsi互連中不同機(jī)制下電遷移特性與電流密度的關(guān)系)
多晶硅發(fā)射極超高速集成電路工藝
study on a lateralelectricalfield pixel architecture for flc spatial light modulator with continuously tunable grayscales（可連續(xù)調(diào)節(jié)灰度的flc光譜調(diào)節(jié)器的橫向電場(chǎng)像素結(jié)構(gòu)研究）
基于單元故障模型的樹型加法器的測(cè)試
科學(xué)研究方法論
貴在執(zhí)著，重在分析，在系統(tǒng)的科學(xué)研究工作中必將有所發(fā)現(xiàn)、有所發(fā)明
諾貝爾獎(jiǎng)離我們并不遙遠(yuǎn)
物理學(xué)研究與微電子科學(xué)技術(shù)的發(fā)展
產(chǎn)業(yè)建設(shè)
建設(shè)8英寸0.25微米集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目建議書
論信息化與微電子產(chǎn)業(yè)
北京要建設(shè)先進(jìn)的集成電路芯片制造廠
關(guān)于建設(shè)深圳微電子芯片制造廠的建議
如何把國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)上海產(chǎn)業(yè)化基地做強(qiáng)，做大
關(guān)于專用設(shè)備產(chǎn)業(yè)建設(shè)的意見
在中芯國(guó)際12英寸投產(chǎn)典禮上的講話
教書育人
從美國(guó)加州伯克利大學(xué)研究生的培養(yǎng)看我國(guó)研究生制度的改革
創(chuàng)新與人才培養(yǎng)
在迎接2002年理科和文科新生會(huì)上的講話
立大志，常為新，成大器
學(xué)校教育幫助我樹立了一生的抱負(fù)