第1章 CMOS集成電路工藝流程
1.1 前言
1.2 MOS集成電路的基本制造工藝過程
1.2.1 晶圓
1.2.2 氧化
1.2.3 擴散與離子注入
1.2.4 淀積
1.2.5 光刻與刻蝕
1.2.6 隔離技術
1.2.7 連接接觸
1.3 N阱CMOS制造過程
1.3.1 3種主要的CMOS設計結構
1.3.2 N阱CMOS制作流程
1.4 BiCMOS制作工藝
思考題與習題
第2章 基本MOS器件
2.1 MOS晶體管器件
2.1.1 MOS晶體管結構與幾何參數
2.1.2 MOS管的閾值電壓VGS（th）
2.1.3 MOS晶體管的工作原理
2.1.4 二階效應
2.2 MOS器件模型
2.2.1 MOS晶體管的小信號模型（Spice Level 1）
2.2.2 MOS晶體管的大信號模型（Spice Level 2）
2.2.3 MOS晶體管的（Spice Level 3）模型
2.2.4 MOS場效應管Pspice模型參數
2.3 電阻與電容
2.3.1 電阻
2.3.2 電容
2.4 短溝道效應
2.4.1 等比例縮小理論
2.4.2 短溝道效應
2.5 閂鎖效應
思考題與習題
第3章 MOS集成電路
3.1 MOS單級放大電路
3.1.1 共源極放大器
3.1.2 共漏極放大器
3.1.3 共柵極放大器
3.2 MOS差分放大電路
3.2.1 MOS差分對管的直流轉換特性
3.2.2 MOS差分對管的跨導
3.2.3 MOS差分對管的失調特性
3.3 CMOS單級放大電路
3.3.1 輸入一輸出電壓傳輸特性
3.3.2 交流小信號電壓增益
3.4 CMOS差分放大電路
3.4.1 電路類型
3.4.2 CMOS差分放大器的主要性能
3.5 CMOS互補輸出電路
3.6 電流源電路
3.6.1 基本鏡像電流源
3.6.2 比例電流源電路
3.7 CMOS模擬集成電路
3.7.1 概述
3.7.2 CMOS運放基本電路
3.7.3 CMOS模擬集成電路的PSpice宏模型
3.8 BiCMOS電路
3.8.1 BiCMOS基本放大電路
3.8.2 BiCMOS差分放大電路
3.8.3 BiCMOS集成運算放大器
3.9 頻率特性
3.9.1 基本概念
3.9.2 基本分析方法——復頻域分析法
3.9.3 用開路、短路法確定轉折頻率
3.9.4 反饋放大器的頻率響應與穩(wěn)定性
思考題與習題
第4章 CMOS集成電路應用
4.1 CMOS集成運算放大器
4.1.1 CMOS集成運算放大器
4.1.2 CMOS集成運算放大器應用電路舉例
4.2 CMOS集成電壓比較器
4.2.1 CMOS自穩(wěn)零電壓比較器工作原理
4.2.2 5G14574四電壓比較器
4.3 CMOS集成乘法器
4.3.1 模擬乘法器的基本概念及其主要特性
4.3.2 MOS模擬集成乘法器的工作原理
4.4 D／A與A／D轉換電路的基本原理及其特性
4.4.1 D／A轉換電路
4.4.2 A/D轉換電路
思考題與習題
第5章 開關電流電路
5.1 模擬開關電路
5.1.1 概述
5.1.2 NMOS開關電路
5.1.3 CMOS開關電路
5.2 開關電容電路的工作原理
5.2.1 并聯(lián)開關電容模擬電阻
5.2.2 串聯(lián)開關電容模擬電阻
5.3 開關電容電路的基本模塊
5.3.1 開關電容分壓器
5.3.2 開關電容濾波器
5.3.3 開關電容積分器
5.3.4 開關電容放大器
5.4 開關電流技術
5.4.1 電流存儲與延遲
5.4.2 開關電流積分器
5.4.3 開關電流微分器
5.4.4 開關電流濾波器
思考題與習題一
第6章 CMOS數字集成電路
6.1 概述
6.2 CMOS集成門電路
6.2.1 CM0S門電路
6.2.2 CMOS門電路的特性
6.2.3 高速和超高速CMOS電路
6.2.4 使用CMOS門電路應注意的問題
6.2.5 PSpice軟件在CMOS門電路仿真中的應用
6.3 BiCMOS邏輯電路
6.3.1 BiCMOS門電路
6.3.2 BiCMOS門電路的外部特性
6.3.3 BiCMOS門電路的PSpice仿真
6.4 數字CMOS組合邏輯電路
6.4.1 編碼器
6.4.2 譯碼器
6.4.3 數據選擇器
6.4.4 運算器
6.4.5 數字組合邏輯電路的PSpice仿真
6.5 CMOS集成觸發(fā)器和集成時序邏輯電路
6.5.1 集成觸發(fā)器
6.5.2 集成電路計數器
6.5.3 寄存器和移位寄存器
思考題與習題
附錄 PSpice簡明手冊
附錄1 概述
附錄2 電路輸入文件中的語句
參考文獻
鄂公網安備 42010302001612號 