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當(dāng)前位置: 首頁出版圖書科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)無線電電子學(xué)、電信技術(shù)微電子工藝基礎(chǔ)

微電子工藝基礎(chǔ)

微電子工藝基礎(chǔ)

定 價:¥29.80

作 者: 王勝利
出版社: 化學(xué)工業(yè)
叢編項:
標(biāo) 簽: 電子其他

ISBN: 9787502595203 出版時間: 2007-01-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 257 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  為了使相關(guān)讀者更深入了解掌握微電子工藝技術(shù)的原理,本書前部分主要介紹了集成電路制備工藝中有關(guān)的物理、化學(xué)知識,第4章至第10章是全書重點,介紹了工藝過程、工藝設(shè)備以及IC制備中的新技術(shù)、新方法。全書共分10章,主要內(nèi)容涉及半導(dǎo)體硅材料及化合物的化學(xué)性質(zhì),高純水的制備,清洗技術(shù),氧化、擴散、刻蝕、制版、外延、金屬化處理、電子封裝等主要工藝的原理等。本書可作為高等院校相關(guān)專業(yè)的教材,也可作為教師和研究生的參考用書,同時也能供廣大從事微電子相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員參考。

作者簡介

暫缺《微電子工藝基礎(chǔ)》作者簡介

圖書目錄

1 硅材料及硅化合物化學(xué)性質(zhì)
 1.1 硅單晶的化學(xué)性質(zhì)
 1.2 硅化合物的化學(xué)性質(zhì)
 1.3 高純硅制備的化學(xué)原理
 參考文獻
2 微電子技術(shù)中的高純水制備
 2.1 天然水中的雜質(zhì)
 2.2 微電子技術(shù)工程用水
 2.3 離子交換法制備純水
 2.4 電滲析法制備純水的原理
 2.5 反滲透法制備純水的原理
 參考文獻
3 微電子技術(shù)中的化學(xué)清洗
 3.1 晶片表面清洗的重要性
 3.2 晶片清洗的基本理論和方法
 3.3 顆粒吸附狀態(tài)分析及優(yōu)先吸附模型
 3.4 表面活性劑在化學(xué)清洗中的應(yīng)用
 3.5 硅片清洗的常用方法與技術(shù)
 3.6 清洗工藝設(shè)備和安全操作
 3.7 溶液清洗技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展方向
 3.8 新型清洗技術(shù)
 參考文獻
4 氧化工藝技術(shù)
 4.1 二氧化硅膜在器件中的作用
 4.2 二氧化硅的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
 4.3 二氧化硅膜制備的化學(xué)原理
 4.4 二氧化硅一硅界面的物理性質(zhì)
 4.5 二氧化硅玻璃中的雜質(zhì)
 4.6 雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散
 4.7 二氧化硅膜質(zhì)量的檢驗
 參考文獻
5 擴散工藝技術(shù)
 5.1 擴散原理與模型
 5.2 常用擴散雜質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)
 5.3 擴散分布的測量分析
 參考文獻
6 刻蝕工藝技術(shù)
 6.1 濕法刻蝕
 6.2 干法刻蝕
 6.3 刻蝕技術(shù)新進展
 參考文獻
7 制版工藝技術(shù)
 7.1 制版工藝過程
 7.2 超微粒干版制備的化學(xué)原理
 7.3 鉻版制備技術(shù)
 7.4 氧化鐵版制備的化學(xué)原理
 參考文獻
8 外延生長技術(shù)
 8.1 硅外延技術(shù)在IC發(fā)展中的作用
 8.2 硅外延生長的化學(xué)原理
 8.3 外延生長動力學(xué)
 8.4 外延層中雜質(zhì)濃度分布
 8.5 硅烷熱分解法外延與選擇外延
 8.6 外延層上的缺陷及檢驗
 8.7 硅外延自摻雜效應(yīng)及控制
 8.8 硅外延片滑移線產(chǎn)生及消除技術(shù)
 8.9 硅外延生長的工藝優(yōu)化——反向補償法
 參考文獻
9 金屬化處理技術(shù)
 9.1 化學(xué)氣相沉積金屬過程
 9.2 物理氣相沉積金屬過程
 9.3 電極制備
 參考文獻
10 電子封裝技術(shù)
 10.1 封裝技術(shù)概述
 10.2 陶瓷封裝
 10.3 塑料封裝
 10.4 封裝的化學(xué)原理
 參考文獻

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