場(chǎng)效應(yīng)晶體管射頻微波建模技術(shù)

定　價(jià)：￥42.00

作　者：	高建軍著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	“十一五”國家重點(diǎn)圖書出版規(guī)劃項(xiàng)目
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121037542	出版時(shí)間：	2007-01-01	包裝：	膠版紙
開本：	16	頁數(shù)：	277	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書是作者多年來在微波和光通信技術(shù)領(lǐng)域工作、學(xué)習(xí)、研究和教學(xué)過程中獲得知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)的總結(jié)。本書主要研究?jī)?nèi)容包括微波信號(hào)網(wǎng)絡(luò)矩陣技術(shù)和噪聲網(wǎng)絡(luò)矩陣技術(shù)，和依此為基礎(chǔ)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管射頻微波建模和測(cè)試技術(shù)。其中，微波射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，大信號(hào)非線性等效電路模型和噪聲模型，以及模型參數(shù)的提取技術(shù)是本書的重點(diǎn)。.本書可以作為微波專業(yè)和電路與系統(tǒng)專業(yè)的高年級(jí)本科生和研究生教材，也可以供從事集成電路設(shè)計(jì)的科研人員參考。...

作者簡(jiǎn)介

　　高建軍，男，1968年生。1991年畢業(yè)于清華大學(xué)，獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位，1994年獲電子工業(yè)部十三所碩士學(xué)位，留所工作，任工程師。1996年返清華大學(xué)攻讀博士學(xué)位，1999年獲清華大學(xué)電磁場(chǎng)與微波技術(shù)專業(yè)工學(xué)博士學(xué)位，2001年在中國科學(xué)院微電子研究所做博士后，評(píng)為副研究員。2001~2004年先后到新加坡南洋理工大學(xué)、德國柏林工業(yè)大學(xué)和加拿大卡爾頓大學(xué)做博士后研究工作。2004年12月回國，任東南大學(xué)無線電工程系教授。2006年1~9月以訪問教授赴德國柏林工業(yè)大學(xué)、烏爾姆大學(xué)訪問。是國際權(quán)威雜志和多種國內(nèi)期刊的審稿人，中國電子學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員，IEEE 會(huì)員。在《IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques》等國際權(quán)威刊物上發(fā)表論文30多篇，被《SCI》收錄24篇，《EI》收錄31篇。1本專著被選為十一五國家重點(diǎn)圖書。2005年入選教育部“新世紀(jì)人才支持計(jì)劃”，和“長(zhǎng)江學(xué)者創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)”骨干成員。

圖書目錄

第1章　緒論
　1.1　III-V族化合物半導(dǎo)體器件及集成電路應(yīng)用背景
　1.2　射頻微波器件和電路的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)
　1.3　本書的目標(biāo)和結(jié)構(gòu)
　參考文獻(xiàn)
第2章　微波網(wǎng)絡(luò)信號(hào)和噪聲矩陣技術(shù)
　2.1　二端口網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)參數(shù)矩陣
　2.2　微波網(wǎng)絡(luò)S參數(shù)和T參數(shù)矩陣
　2.3　微波網(wǎng)絡(luò)噪聲矩陣技術(shù)
　2.4　二端口網(wǎng)絡(luò)的互聯(lián)
　2.5　三端口網(wǎng)絡(luò)和二端口網(wǎng)絡(luò)之間的關(guān)系　
　2.6　二端口網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)流程圖
　2.7　典型的Π型和T型網(wǎng)絡(luò)　
　本章小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第3章　場(chǎng)效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型和參數(shù)提取技術(shù)
　3.1　HEMT器件工作原理
　3.2　FET器件小信號(hào)等效電路模型
　3.3　典型的PHEMT器件結(jié)構(gòu)
　3.4　PAD電容提取技術(shù)
　3.5　寄生電感提取技術(shù)
　3.6　寄生電阻提取技術(shù)
　3.7　本征元件提取技術(shù)
　3.8　改進(jìn)的反向截止方法
　3.9　小信號(hào)等效電路模型參數(shù)和器件柵寬的比例關(guān)系
　3.10　半分析模型參數(shù)提取技術(shù)
　本章小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第4章　場(chǎng)效應(yīng)晶體管非線性等效電路模型及參數(shù)提取技術(shù)
第5章　場(chǎng)效應(yīng)晶體管噪聲等效電路模型及參數(shù)提取技術(shù)
第6章　FET器件神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模技術(shù)