硅鍺的性質(zhì)

定　價：￥24.00

作　者：	暫缺
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	半導(dǎo)體技術(shù) 電子與通信

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ISBN：	9787118028836	出版時間：	2002-09-01	包裝：	精裝
開本：	32開	頁數(shù)：	251	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　繼Si之后，SiGe／Si是研究得最多、最深入的一類Si基異質(zhì)材料。應(yīng)變的和弛豫的SiGe已經(jīng)成為電子集成電路和光電子集成電路的非常重要的材料。《硅鍺的性質(zhì)》由31位來自德國、美國、加拿大、英國、日本等國Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)和應(yīng)用領(lǐng)域的教授們撰稿，是一本論述SiGe／Si知識的權(quán)威性專著。《硅鍺的性質(zhì)》共七章，第一章綜述了SiGe應(yīng)變層系統(tǒng)的一些總體性質(zhì)；第二章至第六章給出了應(yīng)變的和弛豫的SiGe合金的具體材料性質(zhì)，論述了SiGe材料的結(jié)晶學(xué)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、熱學(xué)性質(zhì)、力學(xué)和晶格振動、能帶結(jié)構(gòu)、輸運特性、磁學(xué)特性、表面性質(zhì)、光吸收和光譜等方面的內(nèi)容；第七章介紹了一些代表性的SiGe／Si器件的結(jié)構(gòu)和特性?！豆桄N的性質(zhì)》是半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)者和工程技術(shù)人員的必讀書，適于材料專業(yè)和半導(dǎo)體專業(yè)的科技人員、研究生、博士生閱讀，還可供物理領(lǐng)域中的廣大科技人員作為手冊進行查閱。

作者簡介

　　Erich Kasper（卡斯珀），自1994年以來一直擔任德國斯圖加特大學(xué)半導(dǎo)體研究所所長，長期從事量子電子器件的理論和納米結(jié)構(gòu)自組織的器件結(jié)構(gòu)MBE研究工作，在SiGe的研究領(lǐng)域具有很高的國際聲望，并有兩本專著和近百篇論文發(fā)表。

圖書目錄

第一章引言
　1.1 應(yīng)力引起的外延薄膜的形貌不穩(wěn)定性和成島
　1.2 SiGe／Si系統(tǒng)中失配位錯網(wǎng)絡(luò)的平衡理論
　1.3 SiGe／Si系統(tǒng)中亞穩(wěn)應(yīng)變層的結(jié)構(gòu)
第二章結(jié)構(gòu)特性
　2.1 SiGe合金系的晶體結(jié)構(gòu)、晶格常數(shù)和固一液相圖
　2.2 SiGe合金的有序性
　2.3 Si／Ge界面：結(jié)構(gòu)、能量和互擴散
第三章熱學(xué)、力學(xué)和晶格振動學(xué)性質(zhì)
　3.1 SiGe的彈性常數(shù)
　3.2 SiGe的熱力學(xué)性質(zhì)
　3.3 SiGe中的光學(xué)聲子、聲學(xué)聲子和Raman光譜
第四章能帶結(jié)構(gòu)
　4.1 SiGe的能隙和能帶結(jié)構(gòu)及它們同溫度的依賴關(guān)系
　4.2 應(yīng)變對SiGe價帶結(jié)構(gòu)的影響
　4.3 應(yīng)變對SiGe導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)的影響
　4.4 SiGe中的有效質(zhì)量
　4.5 SiGe異質(zhì)結(jié)和帶偏移
　4.6 SiGe的光譜
　4.7 弛豫的SiGe合金的光學(xué)函數(shù)及應(yīng)變對光學(xué)函數(shù)的影響
第五章運輸特性
　5.1 SiGe/Si 系中的電子和空穴的遷移率
　5.2 Si/SiGe 異質(zhì)結(jié)的注入
　5.3 SiGe/Si 結(jié)構(gòu)中的磁運輸特性
第六章表面性質(zhì)
第七章 Si 基器件的結(jié)構(gòu)和重要數(shù)據(jù)集錦