電子背散射衍射技術(shù)及其應(yīng)用

緒論
1　電子背散射衍射技術(shù)的發(fā)展及在我國應(yīng)用的現(xiàn)狀
　1.1　EBSD技術(shù)的發(fā)展過程
　1.2　EBSD技術(shù)與其他相關(guān)技術(shù)的比較
　　1.2.1　浸蝕法
　　1.2.2　SEM下的單個取向分析技術(shù)
　　1.2.3　TEM下的取向測定技術(shù)
　1.3　EBSD技術(shù)在我國應(yīng)用的現(xiàn)狀
　1.4　有關(guān)EBSD技術(shù)應(yīng)用的文章發(fā)表情況
　1.5　EBSD系統(tǒng)在我國的銷售情況
　1.6　相關(guān)教材
　參考文獻(xiàn)
2　晶體學(xué)及晶體結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)
　2.1　晶體的對稱性及對稱操作
　　2.1.1　晶體的宏觀對稱性與微觀對稱性
　　2.1.2　對稱變換（操作）
　2.2　晶體結(jié)構(gòu)、符號與原子占位
　　2.2.1　晶體結(jié)構(gòu)簡述
　　2.2.2　晶體結(jié)構(gòu)符號
　　2.2.3　原子位置及位置的對稱性（等效點(diǎn)系）
　2.3　晶體投影與標(biāo)準(zhǔn)投影圖
　　2.3.1　晶體投影
　　2.3.2　標(biāo)準(zhǔn)投影圖
　2.4　晶體內(nèi)部的界面及結(jié)構(gòu)
　　2.4.1　晶界類型
　　2.4.2　小角度晶界
　　2.4.3　重合位置點(diǎn)陣CSL及CSL晶界
　　2.4.4　相界面結(jié)構(gòu)及晶體學(xué)
　參考文獻(xiàn)
3　晶體取向（差）、織構(gòu)及界面晶體學(xué)
　3.1　晶體取向及其表示法
　　3.1.1　晶體取向的概念
　　3.1.2　取向的各種表示方法
　3.2　織構(gòu)的概念及表達(dá)
　　3.2.1　織構(gòu)存在的普遍性
　　3.2.2　織構(gòu)的表示法
　　3.2.3　由EBSD數(shù)據(jù)算出的織構(gòu)與X射線法獲得的織構(gòu)之間的差異
　3.3　取向差、取向關(guān)系及界面晶體學(xué)
　　3.3.1　同種晶粒間的取向差或角/軸對關(guān)系
　　3.3.2　不同相之間的取向關(guān)系
　　3.3.3　界面法線晶面指數(shù)的測定
　參考文獻(xiàn)
4　取向運(yùn)算及一些取向/織構(gòu)分析軟件
　4.1　取向運(yùn)算的例子
　　4.1.1　六方結(jié)構(gòu)取向的運(yùn)算
　　4.1.2　立方結(jié)構(gòu)和六方結(jié)構(gòu)晶體孿生過程取向運(yùn)算
　　4.1.3　滑移及孿生過程的Schmid因子運(yùn)算
　　4.1.4　晶界面指數(shù)的確定
　4.2　幾個晶體學(xué)及織構(gòu)分析（小）軟件
　　4.2.1　CaRIne　Crystallography晶體學(xué)軟件（法國）
　　4.2.2　PAN取向計算器
　　4.2.3　ResMat-Textools/TexViewer織構(gòu)分析軟件
　　4.2.4　Auswert軟件
　　4.2.5　LaboTex織構(gòu)計算軟件
　　4.2.6　HKL-EBSD　Simulator演示軟件
　　4.2.7　HKL-Channel軟件包
　　4.2.8　EDAX-TSL　EBSD分析軟件
　參考文獻(xiàn)
5　電子背散射衍射的硬件技術(shù)及相關(guān)原理
　5.1　電子背散射衍射（EBSD）裝置的基本布局
　5.2　EBSD系統(tǒng)硬件
　5.3　EBSD數(shù)據(jù)獲取過程涉及的主要原理
　　5.3.1　菊池帶的產(chǎn)生原理
　　5.3.2　取向標(biāo)定原理
　　5.3.3　菊池帶的自動識別原理
　　5.3.4　相結(jié)構(gòu)鑒定及取向標(biāo)定用晶體學(xué)庫文件
　　5.3.5　EBSD分辨率
　　5.3.6　取向顯微術(shù)（orientation　microscopy）及取向成像（orientation　mapping）
　　5.3.7　花樣（或圖像）質(zhì)量IQ、花樣襯度BC與置信指數(shù)CI
　　5.3.8　EBSD系統(tǒng)絕對取向的校正
　5.4　EBSD的操作過程
　5.5　EBSD分析測定時可調(diào)整的一些參數(shù)
　5.6　EBSD測定時可能出現(xiàn)的一些問題
　參考文獻(xiàn)
6　電子背散射衍射數(shù)據(jù)的處理
　6.1　EBSD數(shù)據(jù)所包含的基本信息及可能的用途
　6.2　用于取向、織構(gòu)分析的EBSD數(shù)據(jù)處理
　6.3　取向關(guān)系數(shù)據(jù)（取向差及轉(zhuǎn)軸）的統(tǒng)計分布
　6.4　與組織相關(guān)的取向（差）、微織構(gòu)及晶界特性分析（取向成像分析）
　6.5　如何評價所測數(shù)據(jù)
　6.6　其他方面的分析（Schmid因子，Taylor因子分布）
　參考文獻(xiàn)
7　電子背散射衍射技術(shù)的應(yīng)用I——基礎(chǔ)研究
　7.1　EBSD技術(shù)在晶體材料各領(lǐng)域的應(yīng)用
　7.2　EBSD技術(shù)在基礎(chǔ)研究中的應(yīng)用
　　7.2.1　EBSD技術(shù)在分析金屬形變時內(nèi)部存在的形變不均勻性中的應(yīng)用
　　7.2.2　EBSD技術(shù)在金屬靜態(tài)再結(jié)晶過程分析中的應(yīng)用
　　7.2.3　EBSD技術(shù)在金屬動態(tài)再結(jié)晶過程中的應(yīng)用
　　7.2.4　EBSD技術(shù)在孿晶分析中的應(yīng)用
　　7.2.5　高錳鋼中兩相組織的鑒別
　參考文獻(xiàn)
8　電子背散射衍射技術(shù)的應(yīng)用Ⅱ——工程材料
　8.1　bcc結(jié)構(gòu)低碳鋼熱壓縮動態(tài)再結(jié)晶細(xì)化晶粒的效果分析
　8.2　形變強(qiáng)化相變細(xì)化低碳鋼鐵素體晶粒時的取向特點(diǎn)
　　8.2.1　形變強(qiáng)化相變初期（小應(yīng)變量）晶界及形變帶上形成的鐵素體的取向
　　8.2.2　奧氏體轉(zhuǎn)變中、后期（大應(yīng)變量下）鐵素體晶粒的取向
　8.3　銀薄膜中的晶粒異常生長現(xiàn)象的分析
　8.4　鎂合金中壓縮孿晶的EBSD分析
　8.5　利用EBSD技術(shù)確定鎂合金中形變孿晶量與應(yīng)變量的定量關(guān)系
　8.6　利用EBSD技術(shù)分析fcc鋁合金中立方取向晶粒的特點(diǎn)
　　8.6.1　熱軋板中立方取向晶粒的特點(diǎn)
　　8.6.2　冷軋板再結(jié)晶初期立方晶粒的形核
　　8.6.3　高純鋁再結(jié)晶后立方織構(gòu)的相對量
　　8.6.4　1050鋁合金中制耳率與立方織構(gòu)相對量的關(guān)系
　8.7　EBSD技術(shù)在微電子封裝中金線鍵合性能評價時的應(yīng)用
　　8.7.1　金絲鍵合時不同加工階段的組織與微織構(gòu)特點(diǎn)
　　8.7.2　工藝參數(shù)對金絲鍵合組織與微織構(gòu)的影響
　　8.7.3　工藝參數(shù)對倒裝鍵合后組織與微織構(gòu)的影響
　參考文獻(xiàn)
9　EBSD分析用樣品的制備
　9.1　樣品制備可能出現(xiàn)的問題及對樣品的基本要求
　9.2　一般的樣品制備方法
　9.3　特殊的樣品制備方法
　　9.3.1　小樣品的處理
　　9.3.2　表面噴碳、金
　　9.3.3　離子轟擊
　　9.3.4　聚焦離子束（FIB）技術(shù)
　9.4　一些材料的EBSD樣品制備方法
　參考文獻(xiàn)
結(jié)語與展望
術(shù)語索引