固體化學(xué)

第1章 晶體結(jié)構(gòu)
　1.1 點群，空間群和晶體結(jié)構(gòu)
　　1.1.1 一維點陣結(jié)構(gòu)
　　1.1.2 二維點陣結(jié)構(gòu)
　　1.1.3 三維點陣結(jié)構(gòu)
　1.2 點陣面，Miller指數(shù)和方向指數(shù)
　1.3 d間距公式
　1.4 晶體密度和晶胞參數(shù)
　1.5 晶體結(jié)構(gòu)的描述（密堆積結(jié)構(gòu)和空間多面體結(jié)構(gòu)）
　　1.5.1 等徑圓球密堆積
　　1.5.2 球密堆積的方式
　　1.5.3 密堆積結(jié)構(gòu)的空隙和配位數(shù)
　　1.5.4 可描述成密堆積的材料
　1.6 常見的晶體結(jié)構(gòu)
　　1.6.1 AX型
　　1.6.2 AXz型
　　1.6.3 ABX3型
　　1.6.4 硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型
　1.7 空間填充多面體結(jié)構(gòu)模型
第2章 固體中的鍵合力
　2.1 離子鍵
　　2.1.1 離子和離子半徑
　　2.1.2 離子型結(jié)構(gòu)的一般原則
　2.2 離子型結(jié)構(gòu)
　2.3 半徑比規(guī)則
　2.4 離子型晶體的點陣能
　2.5 Kapustinskii公式
　2.6 Born-Haber循環(huán)和熱化學(xué)計算
　2.7 部分共價鍵
　2.8 配位聚合物的結(jié)構(gòu)
　　2.8.1 有效核電荷
　　2.8.2 原子半徑
　　2.8.3 電負(fù)性和部分帶電原子
　　2.8.4 配位聚合結(jié)構(gòu)
　　2.8.5 Mooser-Pearson圖和離子性
　2.9 鍵價和鍵強(qiáng)
　2.10 非鍵電子效應(yīng)
　　2.10.1 d電子效應(yīng)
　　2.10.2 惰性電子對效應(yīng)
　2.11 金屬鍵和能帶理論
　　2.11.1 金屬的能帶結(jié)構(gòu)
　　2.11.2 絕緣體的能帶結(jié)構(gòu)
　　2.11.3 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)：Si
　　2.11.4 無機(jī)固體中的能帶結(jié)構(gòu)
　2.12 什么是最佳鍵合力的模型？
第3章 結(jié)晶學(xué)和衍射技術(shù)
　3.1 分子型固體和非分子型固體
　3.2 固體結(jié)構(gòu)的鑒定
　3.3 衍射技術(shù)
　　3.3.1 X射線衍射技術(shù)
　　3.3.2 勞埃方程
　　3.3.3 布拉格方程
　　3.3.4 系統(tǒng)消缺反射
　　3.3.5 多重性
　　3.3.6 X射線衍射的實驗方法
　　3.3.7 X射線的衍射強(qiáng)度
　　3.3.8 常規(guī)X射線粉末衍射的應(yīng)用
　　3.3.9 高溫X射線粉末衍射的應(yīng)用
　　3.3.10 電子衍射技術(shù)
　　3.3.11 中子衍射技術(shù)
第4 章固體的其他鑒定技術(shù)
　4.1 顯微鏡技術(shù)
　　4.1.1 光學(xué)顯微鏡
　　4.1.2 電子顯微鏡
　4.2 光譜技術(shù)
　　4.2.1 振動光譜：IR和Raman
　　4.2.2 可見和紫外光譜
　　4.2.3 核磁共振波譜
　　4.2.4 電子自旋共振波譜
　　4.2.5 X射線光譜：XRF、AEFS、EXAFS
　　4.2.6 電子光譜
　　4.2.7 Mossbauer譜
　4.3 熱分析技術(shù)
　　4.3.1 熱重分析
　　4.3.2 差熱分析及差示掃描量熱分析
　　4.3.3 應(yīng)用
第5章 晶體缺陷。非整比和固溶體
　5.1 固體中的缺陷
……
第6章 相圖的闡述
第7章 固體的電性質(zhì)
第8章 固體的磁性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)
第9章 固體的合成方法
參考文獻(xiàn)