絕緣體上硅（silicon on insulator，SOI）技術(shù)在高速、低壓低功耗電路、高壓電路、抗輻射、耐高溫電路、微機(jī)械傳感器、光電集成等方面具有重要應(yīng)用，是微電子和光電子領(lǐng)域發(fā)展的前沿，被國際上公認(rèn)為“二十一世紀(jì)的硅集成電路技術(shù)”。本書收集的納米技術(shù)時代的高端硅基SOI材料方面的研究論文40篇，主要內(nèi)容包括：SOI——納米技術(shù)時代的高端硅基材料進(jìn)展，SOI新材料的制備科學(xué)，SOI材料與器件特有的物理效應(yīng)，絕緣體上鍺硅（silicon germanium on insulator，SGOI）新結(jié)構(gòu)和應(yīng)變硅的制備科學(xué)，SOI技術(shù)的若干應(yīng)用研究等。書中包含了高端硅基材料前沿領(lǐng)域的多方面創(chuàng)新研究成果。本書可作為微電子、光電子、微機(jī)械、半導(dǎo)體材料、納米材料等專業(yè)的大專院校師生和專業(yè)技術(shù)人員重要的參考書，也可以作為信息領(lǐng)域其他專業(yè)的師生、科研人員和工程技術(shù)人員參考資料。
作者簡介
林成魯，1965年畢業(yè)于中國科技大學(xué)近代化學(xué)系，現(xiàn)為中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員、博士生導(dǎo)師，上海新傲科技有限公司總工程師。長期從事高端硅基半導(dǎo)體新材料SOI（silicon on insulator）的研究。20世紀(jì)80年代，在國內(nèi)率先開展SOI技術(shù)基礎(chǔ)研究；90年代，作為SOI創(chuàng)新項目總設(shè)計師，組織領(lǐng)導(dǎo)突破SOI材料工程化的關(guān)鍵技術(shù)；2001年開始，作為新傲公司總工程師，為成功實現(xiàn)SOI研究成果轉(zhuǎn)化，打破國外的技術(shù)封鎖，為建成國內(nèi)唯一的SOI材料工業(yè)化生產(chǎn)線做出了重要貢獻(xiàn)，實現(xiàn)了我國微電子材料的跨越式發(fā)展，取得了重大的經(jīng)濟(jì)和社會效益。先后承擔(dān)國家攻關(guān)、“973”、“863”等多項國家重大項目。在國內(nèi)外刊物上發(fā)表論文300余篇，被SCI收錄的論文240余篇。申請的國家發(fā)明專利19項，其中已授權(quán)12項。前后已為國家培養(yǎng)數(shù)十名研究生，所培養(yǎng)的研究生中獲全國百篇優(yōu)秀博士論文2名。曾獲得國家科技進(jìn)步一等獎、中科院杰出科技成就獎等十一項獎勵。
圖書目錄
SOI——納米技術(shù)時代的高端硅基材料進(jìn)展 納米技術(shù)時代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI SOI技術(shù)的發(fā)展動態(tài) 硅基光電子材料和器件的進(jìn)展和發(fā)展趨勢 Fabrication of SiGe-on-insulator and applications for strained Si Overview of SOI materials technology in China SOI新材料的制備科學(xué) 以注氧隔離(SIMOX)技術(shù)制備高阻SOI材料 硅中注H+引起的缺陷和應(yīng)力以及剝離的機(jī)制 以AlN為絕緣埋層的新結(jié)構(gòu)SOAN材料 多孔硅外延層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備SOI材料 ELTRAN技術(shù)制備雙埋層SOIM新結(jié)構(gòu) SOI新結(jié)構(gòu)——SOI研究的新動向 Fabrication of silicon．on．AlN novel structure and its residual strain characterization· Buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by Smart-cut Void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation Microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on P+porous silicon Formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon Thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator Study of SOI substrates incorporated with buried MoSiz layer SOI材料與器件特有的物理效應(yīng) S0I MOSFET浮體效應(yīng)研究 SOI MOSFET的自加熱效應(yīng)研究 S0I器件的輻射效應(yīng)及其在抗輻射電子學(xué)方面的應(yīng)用進(jìn)展 Evolution of hydrogen and helium CO-implanted single-crystal silicon during annealing …… SGOI新結(jié)構(gòu)和應(yīng)變硅的制備科學(xué) SOI技術(shù)的若干應(yīng)用研究
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