晶體生長(zhǎng)手冊(cè)1：晶體生長(zhǎng)及缺陷形成概論

定　價(jià)：￥48.00

作　者：	（美）德哈納拉等主編
出版社：	哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	化學(xué) 晶體學(xué) 自然科學(xué)

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ISBN：	9787560333861	出版時(shí)間：	2013-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：	201	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　多年以來，有很多探索研究已經(jīng)成功地描述了晶體生長(zhǎng)的生長(zhǎng)工藝和科學(xué)，有許多文章、專著、會(huì)議文集和手冊(cè)對(duì)這一領(lǐng)域的前沿成果做了綜合評(píng)述。這些出版物反映了人們對(duì)體材料晶體和薄膜晶體的興趣日益增長(zhǎng)，這是由于它們的電子、光學(xué)、機(jī)械、微結(jié)構(gòu)以及不同的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用引起的。實(shí)際上，大部分半導(dǎo)體和光器件的現(xiàn)代成果，如果沒有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶體的發(fā)展則是不可能的。這些文章致力于生長(zhǎng)機(jī)制的基本理解、缺陷形成、生長(zhǎng)工藝和生長(zhǎng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，因此數(shù)量是龐大的。本手冊(cè)針對(duì)目前備受關(guān)注的體材料晶體和薄膜晶體的生長(zhǎng)技術(shù)水平進(jìn)行闡述。我們的目的是使讀者了解經(jīng)常使用的生長(zhǎng)工藝、材料生產(chǎn)和缺陷產(chǎn)生的基本知識(shí)。為完成這一任務(wù)，我們精選了50多位頂尖科學(xué)家、學(xué)者和工程師，他們的合作者來自于22個(gè)不同國(guó)家。這些作者根據(jù)他們的專業(yè)所長(zhǎng)，編寫了關(guān)于晶體生長(zhǎng)和缺陷形成共計(jì)52章內(nèi)容：從熔體、溶液到氣相體材料生長(zhǎng)；外延生長(zhǎng)；生長(zhǎng)工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術(shù)以及一些現(xiàn)代的特別課題。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《晶體生長(zhǎng)手冊(cè)1：晶體生長(zhǎng)及缺陷形成概論》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

縮略語Part A晶體生長(zhǎng)基礎(chǔ)及缺陷形成1.晶體生長(zhǎng)技術(shù)和表征：綜述　1.1發(fā)展歷史　1.2晶體生長(zhǎng)理論　1.3晶體生長(zhǎng)技術(shù)　1.4晶體缺陷及表征　參考文獻(xiàn)2.表面成核　2.1晶體環(huán)境相平衡　2.2晶核形成及工作機(jī)理　2.3成核率　2.4飽和晶核密度　2.5在同質(zhì)外延中的第二層成核　2.6異質(zhì)外延中的聚集機(jī)理　2.7表面活性劑對(duì)成核的影響　2.8結(jié)論與展望　參考文獻(xiàn)3.溶液中的晶體生長(zhǎng)形態(tài)　3.1相平衡　3.2晶體的生長(zhǎng)相理論　3.3影響晶體特性的因素　3.4表面結(jié)構(gòu)　3.5晶體缺陷　3.6成核動(dòng)力學(xué)一一過飽和　3.7溶劑　3.8雜質(zhì)　3.9其他因素　3.10晶體特性變化過程　3.11小結(jié)　3.A附錄　參考文獻(xiàn)4.晶體生長(zhǎng)過程中缺陷的生長(zhǎng)及演變　4.1綜述　4.2包晶　4.3條紋和生長(zhǎng)區(qū)　4.4位錯(cuò)　4.5孿晶　4.6溶液中快速生長(zhǎng)完整晶體　參考文獻(xiàn)5.沒有約束條件下的單晶生長(zhǎng)　5.1背景　5.2光滑和粗糙的接觸面：生長(zhǎng)機(jī)理和形態(tài)學(xué)　5.3表面微形貌　5.4多面體材料晶體的生長(zhǎng)形貌　5.5內(nèi)部形態(tài)　5.6完整單晶　參考文獻(xiàn)6.熔體生長(zhǎng)晶體期間缺陷的形成　6.1綜述　6.2點(diǎn)缺陷　6.3位錯(cuò)　6.4第二相粒子　6.5面缺陷　6.6孿晶　6.7總結(jié)　參考文獻(xiàn)