產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告：功率半導(dǎo)體器件（第10冊(cè)）

第1章 研究概述
1.1 技術(shù)概況
1.1.1 主要功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)特點(diǎn)及應(yīng)用
1.1.2 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3 行業(yè)需求
1.2 研究對(duì)象和方法
1.2.1 技術(shù)分解
1.2.2 數(shù)據(jù)檢索
1.2.3 查全查準(zhǔn)評(píng)估
1.2.4 數(shù)據(jù)處理
1.2.5 相關(guān)事項(xiàng)和約定
第2章 功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?qū)＠治?br />2.1 全球?qū)＠治?br />2.1.1 發(fā)展趨勢(shì)分析
2.1.2 首次申請(qǐng)國(guó)家／地區(qū)分析
2.1.3 目標(biāo)國(guó)家／地區(qū)分析
2.1.4 申請(qǐng)人分析
2.2 中國(guó)專利分析
2.2.1 中國(guó)專利申請(qǐng)發(fā)展趨勢(shì)分析
2.2.2 主要技術(shù)分析
2.2.3 專利申請(qǐng)的國(guó)別分析
2.2.4 專利申請(qǐng)的省市／地區(qū)區(qū)域分布
2.2.5 國(guó)內(nèi)外申請(qǐng)人的類型分析
2.2.6 主要申請(qǐng)人分析
2.3 結(jié)論
第3章 IGBT領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)分析
3.1 IGBT領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)技術(shù)概況
3.1.1 技術(shù)概況
3.1.2 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
3.2 全球?qū)＠暾?qǐng)現(xiàn)狀
3.2.1 技術(shù)構(gòu)成分析
3.2.2 IGBT結(jié)構(gòu)的技術(shù)發(fā)展路線
3.2.3 首次申請(qǐng)國(guó)家／地區(qū)分析
3.2.4 目標(biāo)國(guó)家／地區(qū)分析
3.2.5 申請(qǐng)人分析
3.3 中國(guó)專利申請(qǐng)現(xiàn)狀
3.3.1 申請(qǐng)趨勢(shì)分析
3.3.2 技術(shù)構(gòu)成分析
3.3.3 技術(shù)功效分析
3.3.4 國(guó)外申請(qǐng)人區(qū)域分布分析
3.3.5 中國(guó)申請(qǐng)人區(qū)域分布分析
3.3.6 主要申請(qǐng)人分析
3.3.7 小結(jié)
3.4 結(jié)論
3.4.1 全球申請(qǐng)
3.4.2 中國(guó)申請(qǐng)
第4章 SiC器件專利申請(qǐng)分析
4.1 全球?qū)＠暾?qǐng)現(xiàn)狀
4.1.1 申請(qǐng)趨勢(shì)分析
4.1.2 技術(shù)生命周期分析
4.1.3 技術(shù)構(gòu)成分析
4.1.4 申請(qǐng)人國(guó)家／地區(qū)分布
4.1.5 申請(qǐng)人分析
4.2 中國(guó)專利申請(qǐng)現(xiàn)狀
4.2.1 申請(qǐng)趨勢(shì)分析
4.2.2 技術(shù)構(gòu)成分析
4.2.3 申請(qǐng)人分析
4.3 MOSFET柵氧化膜技術(shù)分析
4.3.1 發(fā)展路線分析
4.3.2 中國(guó)申請(qǐng)技術(shù)布局
4.3.3 未來(lái)需重點(diǎn)關(guān)注的相關(guān)申請(qǐng)
4.4 結(jié)論
4.4.1 全球申請(qǐng)狀況
4.4.2 中國(guó)申請(qǐng)狀況
4.4.3 MOSFET柵氧化膜技術(shù)
第5章 英飛凌公司專利申請(qǐng)分析
5.1 專利申請(qǐng)現(xiàn)狀
5.1.1 申請(qǐng)量趨勢(shì)分析
……
第6章 ABB公司專利申請(qǐng)分析
第7章 重要專利篩選及分析
第8章 主要結(jié)論
附錄1 重要專利列表
附錄2 SiCMOSFET器件柵氧化膜技術(shù)未來(lái)需要關(guān)注的相關(guān)申請(qǐng)
圖索引
表索引