半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)匯編：基礎(chǔ)、產(chǎn)品和管理標(biāo)準(zhǔn)分冊（2014版）

定　價(jià)：￥230.00

作　者：	全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會，中國標(biāo)準(zhǔn)出版社編
出版社：	中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	半導(dǎo)體技術(shù) 電子通信工業(yè)技術(shù)

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ISBN：	9787506677516	出版時(shí)間：	2014-11-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	702	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

半導(dǎo)體材料是指介于金屬和絕緣體之間的電導(dǎo)率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應(yīng)用于制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領(lǐng)域，支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用已成為現(xiàn)代社會各個(gè)領(lǐng)域的核心和基礎(chǔ)。

作者簡介

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圖書目錄

一、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 8756-1988 鍺晶體缺陷圖譜
GB/T 13389-1992 摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
GB/T 14264-2009 半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T 14844-1993 半導(dǎo)體材料牌號表示方法
GB/T 16595-1996 晶片通用網(wǎng)格規(guī)范
GB/T 16596-1996 確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范
GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷圖譜
YS/T 28-1992 硅片包裝

二、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 5238-2009 鍺單晶和鍺單晶片
GB/T 10117-2009 高純銻
GB/T 10118-2009 高純鎵
GB/T 11069-2006 高純二氧化鍺
GB/T 11070-2006 還原鍺錠
GB/T 11071-2006 區(qū)熔鍺錠
GB/T 11072-2009 銻化銦多晶、單晶及切割片
GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片
GB/T 11094-2007 水平法砷化鎵單晶及切割片
GB/T 12962-2005 硅單晶
GB/T 12963-2009 硅多晶
GB/T 12964-2003 硅單晶拋光片
GB/T 12965-2005 硅單晶切割片和研磨片
GB/T 14139-2009 硅外延片
GB/T 20228-2006 砷化鎵單晶
GB/T 20229-2006 磷化鎵單晶
GB/T 20230-2006 磷化銦單晶
GB/T 25074-2010 太陽能級多晶硅
GB/T 25075-2010 太陽能電池用砷化鎵單晶
GB/T 25076-2010 太陽電池用硅單晶
GB/T 26065-2010 硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范
GB/T 26069-2010 硅退火片規(guī)范
GB/T 26071-2010 太陽能電池用硅單晶切割片
GB/T 26072-2010 太陽能電池用鍺單晶
GB/T 29054-2012 太陽能級鑄造多晶硅塊
GB/T 29055-2012 太陽電池用多晶硅片
GB/T 29504-2013 300mm硅單晶
GB/T 29506-2013 300mm硅單晶拋光片
GB/T 29508-2013 300mm硅單晶切割片和磨削片
GB/T 30854-2014 LED發(fā)光用氮化鎵基外延片
GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化鎵襯底
GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化鎵襯底
GB/T 30858-2014 藍(lán)寶石單晶襯底拋光片
GB/T 30861-2014 太陽能電池用鍺襯底片
YS/T 13-2007 高純四氯化鍺
YS/T 43-2011 高純砷
YS 68-2004 砷
YS/T 99-1997 三氧化二砷
YS/T 222-2010 碲錠
YS/T 223-2007 硒
YS/T 257-2009 銦錠
YS/T 264-2012 高純銦
YS/T 265-2012 高純鉛
YS/T 300-2008 鍺精礦
YS/T 651-2007 二氧化硒
YS/T 724-2009 硅粉
YS/T 792-2012 單晶爐用碳／碳復(fù)合材料坩堝
YS/T 816-2012 高純硒
YS/T 817-2012 高純碲
YS/T 838-2012 碲化鎘
YS/T 916-2013 高純鎘

三、管理標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 23522-2009 再生鍺原料
GB/T 23523-2009 再生鍺原料中鍺的測定方法
GB 29413-2012 鍺單位產(chǎn)品能源消耗限額
GB 29447-2012 多晶硅企業(yè)單位產(chǎn)品能源消耗限額
YS 783-2012 紅外鍺單晶單位產(chǎn)品能源消耗限額
YS/T 840-2012 再生硅料分類和技術(shù)條件
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