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半導體材料標準匯編:方法標準國標分冊(2014版)

半導體材料標準匯編:方法標準國標分冊(2014版)

定 價:¥230.00

作 者: 全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分會,中國標準出版社 編
出版社: 中國標準出版社
叢編項:
標 簽: 半導體技術(shù) 電子 通信 工業(yè)技術(shù)

ISBN: 9787506677523 出版時間: 2014-11-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 703 字數(shù):  

內(nèi)容簡介

半導體材料是指介于金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm~108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料,廣泛應用于制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領(lǐng)域,支撐著通信、計算機、信息家電、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業(yè)的發(fā)展。半導體材料及其應用已成為現(xiàn)代社會各個領(lǐng)域的核心和基礎(chǔ)。

作者簡介

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圖書目錄

GB/T 1550-1997 非本征半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶向測定方法
GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體硅材料中雜質(zhì)元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 硅片彎曲度測試方法-
GB/T 6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 硅片徑向電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法
GB/T 13388-2009 硅片參考面結(jié)晶學取向X射線測試方法
GB/T 14140-2009 硅片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 硅外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法
GB/T 14146-2009 硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 硅拋光片表面顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 第1部分:鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分:砷量的測定 硫酸亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分:硫量的測定 硫酸鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分:氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分:二氧化硅量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 硅單晶中Ⅲ-V族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定硅片表面的有機污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物
GB/T 24580-2009 重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、V族雜質(zhì)含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)
GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、錫、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氫硅化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法
GB/T 29057-2012 用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法
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GB/T 29851-2013 光伏電池用硅材料中B、A1受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法
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GB/T 30869-2014 太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化測試方法

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