納米科學與技術(shù)：自旋電子學導論（下卷）

《納米科學與技術(shù)：自旋電子學導論（下卷）》由工作在自旋電子學研究領(lǐng)域里的國內(nèi)外50余位學者撰寫而成?！都{米科學與技術(shù)：自旋電子學導論（下卷）》分兩卷、共28章，各章均由該領(lǐng)域富有研究經(jīng)驗的知名專家負責，較全面地介紹和論述了目前自旋電子學研究領(lǐng)域中的各個重要研究方向及其進展，并重點關(guān)注自旋電子學的關(guān)鍵材料探索、物理效應研究及其原理型器件的設計開發(fā)和實際應用。
　　《納米科學與技術(shù)：自旋電子學導論（下卷）》適合物理（特別是自旋電子學）及相關(guān)領(lǐng)域的大學本科高年級學生、研究生、教師、工程師和科研工作者等參考閱讀。

韓秀峰，中國科學院物理研究所研究員、博士生導師、課題組組長。1984年畢業(yè)于蘭州大學物理系，1993年在吉林大學獲博士學位。主要從事“自旋電子學材料、物理和器、件”研究，包括：磁性隧道結(jié)及隧穿磁電阻（TMR）效應、多種鐵磁復合隧道結(jié)（MTJ）材料、新型磁隨機存取存儲器（MRAM）、磁邏輯、自旋納米振蕩器、自旋晶體管、磁電阻磁敏傳感器等原理型器件的研究。已發(fā)表SCI學術(shù)論文200余篇，獲得中國發(fā)明專利授權(quán)50余項和國際專利授權(quán)5項。與合作者研制成功一種新型納米環(huán)磁隨機存取存儲器（Nanoring MRAM）原理型演示器件、四種磁電阻磁敏傳感器原理型演示器件；其中“納米環(huán)磁性隧道結(jié)及新型納米環(huán)磁隨機存取存儲器的基礎性研究”獲2013年度北京市科學技術(shù)獎一等獎。