功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用

定　價(jià)：￥59.00

作　者：	斯蒂芬林德（Stefan Linder）
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	傳記工業(yè)技術(shù) 科學(xué)家

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ISBN：	9787111534570	出版時(shí)間：	2016-05-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	183	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件?！豆β拾雽?dǎo)體器件與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，《功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用》詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的國(guó)際知名專(zhuān)家，作者斯蒂芬•林德（Stefan Linder）還給出了上述各類(lèi)器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)?！豆β拾雽?dǎo)體器件與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專(zhuān)業(yè)、自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書(shū)，也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

　　斯蒂芬•林德（Stefan Linder）1965年出生于瑞士日內(nèi)瓦，1990年在瑞士聯(lián)邦工學(xué)院（EHT）完成了電氣工程的本科教育。他在美國(guó)工作一段時(shí)間后，于1991年回到瑞士蘇黎世，在聯(lián)邦工學(xué)院開(kāi)始從事研究生的研究工作。他在1996年獲得博士學(xué)位后不久加入了ABB公司，成為功率半導(dǎo)體事業(yè)部的研發(fā)工程師。在ABB公司，他主要負(fù)責(zé)門(mén)極換流晶閘管（IGCT）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)工作。從2000年1月開(kāi)始，林德博士開(kāi)始擔(dān)任ABB公司研究開(kāi)發(fā)副總裁。

圖書(shū)目錄

目錄譯者序

原書(shū)前言

第1章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)1

1.1硅的結(jié)構(gòu)和特性1

1.2電荷遷移11

1.3載流子注入17

1.4電荷載流子的激發(fā)和復(fù)合17

1.5連續(xù)性方程24

1.6泊松方程25

1.7強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)26

第2章pn結(jié)29

2.1pn結(jié)的內(nèi)建電壓29

2.2耗盡層（空間電荷區(qū)）32

2.3pn結(jié)的伏安特性34

2.4射極效率40

2.5實(shí)際的pn結(jié)42

第3章pin二極管50

3.1高壓二極管的基本結(jié)構(gòu)50

3.2pin二極管的導(dǎo)通狀態(tài)51

3.3pin二極管的動(dòng)態(tài)工況59

3.4 二極管反向恢復(fù)的瞬變過(guò)程67

3.5二極管工作條件的限制70

3.6現(xiàn)代pin二極管的設(shè)計(jì)72

第4章雙極型晶體管77

4.1雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)77

4.2雙極型晶體管的電流增益78

4.3雙極型晶體管的電流擊穿83

4.4正向?qū)▔航?5

4.5基極推出(“柯克”效應(yīng))85

4.6二次擊穿87

第5章晶閘管89

5.1晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理89

5.2觸發(fā)條件91

5.3靜態(tài)伏安特性91

5.4正向阻斷模式和亞穩(wěn)態(tài)區(qū)域92

5.5晶閘管擎住狀態(tài)95

5.6反向阻斷狀態(tài)下的晶閘管98

5.7開(kāi)通特性100

5.8關(guān)斷特性106

第6章門(mén)極關(guān)斷（GTO）晶閘管與門(mén)極換流晶閘管（GCT）/

集成門(mén)極換流晶閘管（IGCT）1106.1GTO晶閘管110

6.2GCT125

第7章功率MOSFET130

7.1場(chǎng)效應(yīng)晶體管基本理論130

7.2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的I（V）特性136

7.3功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)139

7.4功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)特性148

7.5雪崩效應(yīng)153

7.6源極漏極二極管（體二極管）155

第8章IGBT156

8.1IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理156

8.2IGBT的I（V）特性158

8.3IGBT的開(kāi)關(guān)特性162

8.4短路特性168

8.5IGBT的強(qiáng)度168

8.6IGBT損耗的折中方案171

附錄176

附錄A符號(hào)表176

附錄B常數(shù)177

附錄C單位177

附錄D單位詞頭（十進(jìn)倍數(shù)和分?jǐn)?shù)單位詞頭）178

附錄E書(shū)寫(xiě)約定178

附錄F電氣工程中的電路圖形符號(hào)179

附錄G300K時(shí)的物質(zhì)特性180

附錄H縮略語(yǔ)180

參考文獻(xiàn)181