模擬電子技術(shù)（第二版）

定　價(jià)：￥69.00

作　者：	（美）Robert L. Boylestad（羅伯特. L. 博伊斯坦） Louis Nashelsky（路易斯. 納什斯凱）
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	工學(xué) 教材研究生/本科/?？平滩?/td>

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ISBN：	9787121289255	出版時(shí)間：	2016-07-01	包裝：	平塑
開本：		頁(yè)數(shù)：	452	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)、二極管及其應(yīng)用電路、晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的基本原理及頻率響應(yīng)、功率放大電路、多級(jí)放大電路、差分放大電路、電流源等模擬集成電路的單元電路、反饋電路、模擬集成運(yùn)算放大器、電壓比較器和波形變換電路等。本書對(duì)原版教材進(jìn)行了改編，精簡(jiǎn)了內(nèi)容，突出了重點(diǎn)，補(bǔ)充了必要知識(shí)點(diǎn)，內(nèi)容更加新穎和系統(tǒng)化，反映了器件和應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)，強(qiáng)調(diào)了系統(tǒng)工程的概念。

作者簡(jiǎn)介

　　Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大學(xué)從事電路分析、電子電路基礎(chǔ)等相關(guān)學(xué)科教學(xué)的資深教授，在電子電路學(xué)科領(lǐng)域出版了多部?jī)?yōu)秀教材，受到很高的評(píng)價(jià)。 Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大學(xué)從事電路分析、電子電路基礎(chǔ)等相關(guān)學(xué)科教學(xué)的資深教授，在電子電路學(xué)科領(lǐng)域出版了多部?jī)?yōu)秀教材，受到很高的評(píng)價(jià)。

圖書目錄

第1章半導(dǎo)體二極管1.1概述1.2半導(dǎo)體材料：鍺、硅和砷化鎵1.3共價(jià)鍵和本征材料1.4摻雜材料：n型材料和p型材料1.5半導(dǎo)體二極管1.6理想特性與實(shí)際特性1.7電阻水平1.8二極管等效電路1.9勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容1.10反向恢復(fù)時(shí)間1.11二極管規(guī)格表1.12半導(dǎo)體二極管符號(hào)1.13齊納二極管1.14發(fā)光二極管1.15小結(jié)1.16計(jì)算機(jī)分析習(xí)題第2章二極管應(yīng)用2.1概述2.2負(fù)載線分析2.3等效模型分析2.4與/或門2.5正弦波輸入、半波整流2.6全波整流2.7限幅電路2.8鉗位電路2.9齊納二極管2.10小結(jié)習(xí)題第3章雙極性結(jié)型晶體管3.1概述3.2晶體管的結(jié)構(gòu)3.3晶體管的工作原理3.4共基組態(tài)3.5晶體管放大原理3.6共射組態(tài)3.7共集組態(tài)3.8晶體管的工作限3.9晶體管規(guī)格說(shuō)明書3.10晶體管外形及引腳識(shí)別3.11小結(jié)習(xí)題第4章BJT電路直流偏置4.1概述4.2工作點(diǎn)4.3固定偏置電路4.4射極偏置4.5分壓式偏置4.6電壓反饋式直流偏置4.7其他偏置電路4.8晶體管開關(guān)電路4.9pnp型晶體管4.10偏置的穩(wěn)定性4.11小結(jié)習(xí)題第5章BJT交流分析5.1概述5.2交流放大5.3BJT管建模5.4re晶體管模型5.5混合等效模型5.6混合π模型5.7晶體管參數(shù)的變化5.8固定偏置共射放大電路5.9分壓式偏置共射放大電路5.10射極偏置共射放大電路5.11射極跟隨電路5.12共基電路5.13集電極反饋電路5.14集電極直流反饋電路5.15電流放大倍數(shù)的確定5.16RL和RS的影響5.17雙端口網(wǎng)絡(luò)方法5.18總結(jié)表5.19級(jí)聯(lián)系統(tǒng)5.20達(dá)林頓復(fù)合管5.21反饋對(duì)復(fù)合管5.22鏡像電流源電路5.23電流源電路5.24簡(jiǎn)化混合等效模型5.25小結(jié)習(xí)題第6章場(chǎng)效應(yīng)晶體管6.1概述6.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造和特性6.3轉(zhuǎn)移特性6.4規(guī)格清單（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）6.5重要關(guān)系6.6耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管6.7增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管6.8互補(bǔ)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管6.9總結(jié)表6.10小結(jié)習(xí)題第7章場(chǎng)效應(yīng)管的偏置7.1概述7.2固定偏置電路7.3自偏置電路7.4分壓偏置電路7.5耗盡型MOSFET7.6增強(qiáng)型MOSFET7.7總結(jié)表7.8組合電路7.9p溝道場(chǎng)效應(yīng)管7.10小結(jié)習(xí)題第8章場(chǎng)效應(yīng)管放大器8.1概述8.2場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型8.3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管固定偏置的共源放大電路8.4結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管自偏置的共源放大電路8.5結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分壓偏置的共源放大電路8.6結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的源極跟隨器（共漏極）電路8.7結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的共柵極電路8.8耗盡型MOSFET8.9增強(qiáng)型MOSFET8.10增強(qiáng)型MOSFET漏極反饋共源放大電路8.11增強(qiáng)型MOSFET分壓偏置共源放大電路8.12總結(jié)表8.13RL和Rsig的影響8.14級(jí)聯(lián)電路8.15小結(jié)習(xí)題第9章BJT和FET的頻率響應(yīng)9.1概述9.2一般的頻率因素9.3低頻分析——伯德圖9.4低頻響應(yīng)——BJT放大器9.5低頻響應(yīng)——FET放大器9.6密勒效應(yīng)電容或密勒電容9.7高頻響應(yīng)——BJT放大器9.8高頻響應(yīng)——FET放大器9.9多級(jí)頻率響應(yīng)9.10小結(jié)習(xí)題第10章運(yùn)算放大器10.1概述10.2差分放大電路10.3差模和共模操作10.4BiFET, BiMOS和CMOS構(gòu)成的差分放大電路10.5運(yùn)算放大器基礎(chǔ)10.6運(yùn)算放大器參數(shù)——直流補(bǔ)償參數(shù)10.7運(yùn)算放大器參數(shù)——頻率參數(shù)10.8運(yùn)算放大器規(guī)格說(shuō)明書10.9小結(jié)習(xí)題第11章運(yùn)算放大器的應(yīng)用11.1運(yùn)算電路11.2有源濾波器11.3比較器應(yīng)用11.4施密特觸發(fā)器11.5小結(jié)習(xí)題第12章功率放大器12.1概述——功率放大器的定義與類型12.2串饋型甲類功率放大器12.3變壓器耦合甲類功率放大器12.4乙類功率放大器的工作12.5乙類功率放大器12.6丙類和丁類功率放大器12.7小結(jié)習(xí)題第13章反饋電路13.1反饋的概念13.2反饋的組態(tài)類型13.3實(shí)用反饋電路13.4反饋放大器——相位和頻率考慮13.5小結(jié)習(xí)題