半導體科學與技術（第二版）

物理篇

第1章 半導體量子相干和調控

1.1 導言

1.2 實現量子計算物理系統(tǒng)的基本要求

1.3 半導體中的電子自旋退相時間

1.4 Loss—DiVincenzo的量子點方案

1.5 Kane的硅基半導體方案

1.6 金剛石NV色心量子方案

1.7 自旋場效應晶體管

1.8 全光學技術的自組裝量子點量子計算方案

1.9 半導體量子光源

參考文獻

第2章 半導體自旋電子學

2.1 導言

2.2 自旋注入與自旋檢測

2.2.1 半導體自旋場效應晶體管

2.2.2 自旋注入的標準模型：F／N結

2.2.3 自旋的光注入

2.2.4 自旋的光學檢測

2.2.5 磁性半導體自旋的電注入

2.2.6 自旋的電學檢測

2.2.7 鐵磁金屬自旋的電注入

2.2.8 自旋注入的界面工程

2.2.9 半金屬自旋的電注入

2.2.10 基于二維層狀材料的自旋器件

2.2.11 拓撲絕緣體自旋的電注入

2.2.12 自旋霍爾效應器件

2.2.13 自旋弛豫

2.3 自旋調控

2.3.1 電場對自旋的調控

2.3.2 離子液體輔助的電場調控

2.3.3 光場對自旋的調控

2.3.4 熱梯度場對自旋的調控

2.4 稀磁半導體

2.4.1 傳統(tǒng)稀磁半導體

2.4.2 室溫稀磁半導體

2.4.3 稀磁拓撲絕緣體

2.5 小結與展望

參考文獻

第3章 半導體納米結構在光電器件中的應用

3.1 納米線的生長

3.1.1 VLS生長

3.1.2 徑向異質結構的納米線生長

3.1.3 軸向異質結構的納米線生長

3.1.4 合金和摻雜納米線生長

3.1.5 無催化劑的ZnO納米線生長

3.1.6 無催化劑的位置控制的ZnO0米線生長

3.1.7 無催化劑的成分控制的ZnO和GaN納米線生長

3.1.8 無催化劑的Ⅲ—Ⅴ族納米線生長

3.1.9 納米線的低溫濕化學生長

3.2 半導體納米線的器件應用

3.2.1 發(fā)光器件LED

3.2.2 納米線激光器

3.2.3 太陽電池

3.3 小結

參考文獻

第4章 二維材料

4.1 導言

4.1.1 石墨烯

4.1.2 硅烯

4.1.3 石墨炔

4.1.4 黑磷

4.1.5 二維過渡金屬硫屬化物

4.2 二維半導體材料的電子結構和帶階

4.3 石墨炔的電子結構和光學性質

4.4 硅烯納米帶的輸運特性及磁阻效應

4.5 二維材料的大規(guī)模生長

4.5.1 機械剝離法

4.5.2 水熱法

4.5.3 溶液剝離法

4.5.4 電化學法及超聲法

4.5.5 化學氣相沉積法

4.6 新型二維半導體光電器件

4.6.1 二維半導體光電器件

4.6.2 新型二維半導體異質結光電器件

4.6.3 研究展望

4.7 應力對二維材料性能的調控

4.8 摻雜二維合金的生長、物性和器件研究

參考文獻

第5章 表面等離激元光子學

5.1 表面等離激元光子學概述

5.1.1 金屬的介電常數與等離激元

5.1.2 低維金屬結構中的表面等離激元

5.1.3 表面等離激元的主要應用

5.2 表面等離激元納米波導和光子回路

5.2.1 表面等離激元的激發(fā)和探測

5.2.2 表面等離激元的模式和傳播

5.2.3 表面等離激元的發(fā)射

5.2.4 等離激元邏輯器件

5.2.5 其他等離激元光子器件及集成

5.3 表面增強拉曼散射

5.3.1 球形金屬納米顆粒之間的納米間隙

5.3.2 非球形金屬納米結構中的納米間隙

5.3.3 針尖與基底之間的納米間隙

5.4 耦合結構中的表面等離激元

5.4.1 局域表面等離激元的耦合

5.4.2 局域表面等離激元共振的圓二色和非線性效應

5.4.3 局域表面等離激元與激子的強相互作用

5.4.4 耦合結構中的增強光學力

5.5 表面等離激元共振傳感

5.5.1 表面等離激元共振傳感

5.5.2 局域表面等離激元共振傳感

5.5.3 高靈敏局域表面等離激元共振傳感

5.5.4 表面等離激元傳感應用

參考文獻

……

材料篇

器件篇