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低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機理

低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機理

定 價:¥35.00

作 者: 陳國祥,王豆豆 著
出版社: 中國石化出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

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ISBN: 9787511446381 出版時間: 2017-09-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 106 字數(shù):  

內容簡介

  《低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機理》系統(tǒng)地研究了低維氮化鎵納米材料的穩(wěn)定性、電子、磁性等性質。全書共包括7章:第1章為本書概述;第2章詳細地介紹了*一性原理方法;第3至第7章采用基于密度泛函框架下的*一性原理系統(tǒng)研究了填充GaN納米管、缺陷和摻雜GaN納米帶、吸附和摻雜GaN單層納米片、二維GaN/SiC納米片的穩(wěn)定性、電子、磁學特性和磁性起源機理。

作者簡介

  陳國祥,男,1979年3月出生,博士,副教授(校聘教授崗位),碩士研究生導師,“新型半導體光電子材料及器件”青年科研創(chuàng)新團隊帶頭人。西安石油大學“青年拔尖人才”,陜西省“青年科技新星”,國家自然科學基金項目同行評議專家,陜西省物理學會會員。2015年起享受陜西省“三秦人才”政府津貼。2015年1月至2016年1月在美國佛羅里達大學物理系進行合作科學研究(訪問學者)。王豆豆, 2012年畢業(yè)于中國科學院西安光學精密機械研究所,獲理學博士學位,現(xiàn)為西安科技大學理學院教師。主要從事納米聚合物材料結構和物性的理論研究。曾作為主要參與者承擔了國家自然科學基金項目“光學聚合物/二氧化鈦有序結構化新材料的設計、制備及應用基礎研究”的大部分研究工作。曾獲陜西省高等學??茖W技術一等獎。合作出版教材4部,先后發(fā)表學術論文10篇,其中SCI收錄8篇,EI收錄2篇。

圖書目錄

第1章 概述
第2章 理論計算基礎
第3章 過渡金屬納米線填充GaN納米管的結構、電子特性和磁性
第4章 GaN納米帶的結構和電子性質
第5章 過渡金屬吸附二維GaN單層納米片的電子結構和磁性
第6章 過渡金屬摻雜GaN單層納米片磁性起源機理
第7章 二維GaN/SiC納米片: 界面電子和磁學特性以及電場響應

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