高頻集成電路設(shè)計(jì)

目錄
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推薦語(yǔ)
譯者序
前言
第1章引言
1.1無(wú)線(xiàn)通信、光纖與成像系統(tǒng)中的高頻電路
1.2高頻集成電路簡(jiǎn)史
1.3展望未來(lái)
1.4高頻IC設(shè)計(jì)工程師
參考文獻(xiàn)
第2章高頻與高數(shù)據(jù)率通信系統(tǒng)
2.1無(wú)線(xiàn)與光纖通信系統(tǒng)
2.2射頻收發(fā)機(jī)
2.3調(diào)制技術(shù)
2.4接收機(jī)架構(gòu)
2.5發(fā)射機(jī)架構(gòu)
2.6接收機(jī)指標(biāo)
2.7發(fā)射機(jī)指標(biāo)
2.8鏈路預(yù)算
2.9相控陣
2.10其他系統(tǒng)應(yīng)用舉例
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章高頻線(xiàn)性帶噪聲網(wǎng)絡(luò)分析
3.1二端口與多端口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)
3.2噪聲
3.3二端口與多端口網(wǎng)絡(luò)噪聲
3.4負(fù)反饋電路中的噪聲
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章高頻器件
4.1高頻有源器件
4.2納米尺度MOS晶體管
4.3異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
4.4高電子遷移率晶體管
4.5高頻無(wú)源元件
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章高頻集成電路分析技術(shù)
5.1模擬與高頻電路設(shè)計(jì)對(duì)比
5.2阻抗匹配
5.3調(diào)諧電路的結(jié)構(gòu)和分析技術(shù)
5.4帶寬最大化技術(shù)
5.5高頻差分電路的挑戰(zhàn)
5.6非線(xiàn)性技術(shù)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章調(diào)諧功率放大器設(shè)計(jì)
6.1調(diào)諧PA基本原理
6.2調(diào)諧PA的分類(lèi)及相關(guān)的電壓波形
6.3PA的線(xiàn)性調(diào)制
6.4A類(lèi)PA的設(shè)計(jì)方法
6.5PA中的非理想因素
6.6CMOS和SiGe HBT毫米波PA設(shè)計(jì)實(shí)例
6.7效率提升技術(shù)
6.8功率合并技術(shù)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第7章低噪聲調(diào)諧放大器
7.1LNA性能規(guī)格和評(píng)價(jià)因子
7.2調(diào)諧LNA的設(shè)計(jì)目標(biāo)
7.3低噪聲設(shè)計(jì)理念和原理
7.4電感退化結(jié)構(gòu)的LNA
7.5功率約束的 CMOS LNA設(shè)計(jì)
7.6低電流CMOS反相器LNA
7.7低壓LNA結(jié)構(gòu)
7.8其他LNA結(jié)構(gòu)
7.9差分LNA設(shè)計(jì)方法
7.10調(diào)諧LNA的工藝波動(dòng)
7.11溫度波動(dòng)對(duì)調(diào)諧LNA的影響
7.12LNA中的低噪聲偏置網(wǎng)絡(luò)
7.13LNA的MOSFET版圖
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第8章寬帶低噪聲放大器和跨阻放大器
8.1低噪聲寬帶高速數(shù)字接收機(jī)
8.2跨阻放大器技術(shù)指標(biāo)
8.3跨阻放大器設(shè)計(jì)
8.4其他寬帶低噪聲放大器結(jié)構(gòu)
8.5直流失調(diào)補(bǔ)償和VGATIA結(jié)構(gòu)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第9章混頻器、開(kāi)關(guān)、調(diào)制器及其他控制電路
9.1混頻器基礎(chǔ)
9.2混頻器指標(biāo)
9.3混頻器結(jié)構(gòu)
9.4下變頻器設(shè)計(jì)方法
9.5上變頻器設(shè)計(jì)方法
9.6毫米波Gilbert單元混頻器實(shí)例
9.7鏡像抑制及單邊帶混頻器結(jié)構(gòu)
9.8混頻器的仿真
9.9開(kāi)關(guān)、移相器和調(diào)制器
9.10Gilbert單元的版圖
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第10章壓控振蕩器的設(shè)計(jì)
10.1VCO基本原理
10.2低噪聲VCO結(jié)構(gòu)
10.3VCO仿真技術(shù)
10.4VCO設(shè)計(jì)方法
10.5CMOS VCO頻率按比例縮放和工藝移植
10.6VCO的版圖
10.7毫米波VCO設(shè)計(jì)實(shí)例
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第11章高速數(shù)字邏輯
11.1高速邏輯系統(tǒng)
11.2高速數(shù)字邏輯系列
11.3感性峰化
11.4電感帶寬擴(kuò)展
11.5實(shí)現(xiàn)最大數(shù)據(jù)率的設(shè)計(jì)方法學(xué)
11.6BiCMOS MOSHBT邏輯
11.7偽CML邏輯
11.8其他雙極型、MOSCML和BiCMOS CML以及ECL邏輯門(mén)
11.9分頻器
11.10CML/ECL邏輯門(mén)版圖技術(shù)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第12章采用波形控制的高速數(shù)字驅(qū)動(dòng)器
12.1高速數(shù)字驅(qū)動(dòng)的類(lèi)型
12.2驅(qū)動(dòng)器的指標(biāo)和FoM
12.3驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)與組成模塊
12.4輸出緩沖器
12.5前置驅(qū)動(dòng)器
12.6工作在40Gb/s及以上的分布式輸出驅(qū)動(dòng)器實(shí)例
12.7高速D/A轉(zhuǎn)換器
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第13章SoC實(shí)例
13.1高頻SoC設(shè)計(jì)方法學(xué)
13.2應(yīng)用于毫米波射頻電路、雷達(dá)和圖像傳感器的收發(fā)機(jī)架構(gòu)、封裝和自測(cè)試
13.365GHz相控陣的SiGe BiCMOS與65nm CMOS實(shí)現(xiàn)對(duì)比
13.4SiGe 異質(zhì)結(jié)晶體管技術(shù)制造的77GHz、4通道汽車(chē)?yán)走_(dá)收發(fā)機(jī)
13.5采用SiGeHBT工藝的70~80GHz有源成像器
13.6采用SiGe BiCMOS工藝，帶片上天線(xiàn)的150~168GHz有源成像收發(fā)機(jī)
總結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)