集成微電子器件（英文版）

定　價(jià)：￥149.00

作　者：	Jesus A. del Alamo 著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

購(gòu)買這本書(shū)可以去

ISBN：	9787121344039	出版時(shí)間：	2019-03-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	864	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)的重要特點(diǎn)是以與現(xiàn)代集成微電子學(xué)相關(guān)的方式介紹半導(dǎo)體器件操作的基本原理，不涉及任何光學(xué)或者功率器件，重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)集成微電子器件的頻率響應(yīng)、布局、集合效應(yīng)、寄生問(wèn)題以及建模等。本書(shū)分為兩部分，合計(jì)11章。第一部分（第1章至第5章）介紹半導(dǎo)體物理的基本原理，包括電子和光子及聲子、平衡狀態(tài)下的載流子統(tǒng)計(jì)學(xué)、載流子產(chǎn)生與復(fù)合、載流子漂移和擴(kuò)散、載流子運(yùn)動(dòng)以及PN結(jié)二極管，涵蓋能帶結(jié)構(gòu)、電子統(tǒng)計(jì)、載流子產(chǎn)生與復(fù)合、漂移和擴(kuò)散、多數(shù)載流子和少數(shù)載流子等相關(guān)知識(shí)。第二部分（第6章至第11章）分別講解肖特基二極管與歐姆接觸、硅表面與金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、長(zhǎng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、短金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及雙極結(jié)晶體管，詳細(xì)探討各種器件的物理及操作原理。各章涵蓋了不理想性、二階效應(yīng)以及其他與實(shí)際器件相關(guān)的重要因素。全書(shū)的內(nèi)容架構(gòu)有利于學(xué)生的理論知識(shí)學(xué)習(xí)與未來(lái)工作實(shí)踐的銜接過(guò)渡。

作者簡(jiǎn)介

　　Jesús A. del Alamo，美國(guó)麻省理工學(xué)院電氣工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)系Donner教授和電氣工程教授，同時(shí)也是麻省理工學(xué)院微系統(tǒng)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室主任。于西班牙馬德里政治大學(xué)獲得電信工程師學(xué)位，并于斯坦福大學(xué)獲得電氣工程碩士和博士學(xué)位。長(zhǎng)期從事于不同材料系統(tǒng)中的晶體管和其他電子設(shè)備的研究，取得多項(xiàng)重要成果；在麻省理工學(xué)院長(zhǎng)期講授電子學(xué)、電子器件與電路，以及高級(jí)半導(dǎo)體器件物理相關(guān)的本科生和研究生課程，并獲得多項(xiàng)教學(xué)和成就獎(jiǎng)。

圖書(shū)目錄

1 Electrons, Photons, and Phonons 電子、光子和聲子
1.1 Selected Concepts of Quantum Mechanics 量子力學(xué)的基本概念
1.1.1 The dual nature of the photon 光子的二重性
1.1.2 The dual nature of the electron 電子的二重性
1.1.3 Electrons in confined environments 密閉環(huán)境中的電子特性
1.2 Selected Concepts of Statistical Mechanics 統(tǒng)計(jì)力學(xué)的基本概念
1.2.1 Thermal motion and thermal energy 熱運(yùn)動(dòng)和熱能
1.2.2 Thermal equilibrium 熱平衡
1.2.3 Electron statistics 電子統(tǒng)計(jì)特性
1.3 Selected Concepts of Solid-State Physics 固體物理的基本概念
1.3.1 Bonds and bands 化學(xué)鍵和能帶
1.3.2 Metals, insulators, and semiconductors 金屬、絕緣體和半導(dǎo)體
1.3.3 Density of states 態(tài)密度
1.3.4 Lattice vibrations: phonons 晶格振動(dòng)：聲子
1.4 Summary 小結(jié)
1.5 Further reading 延展閱讀
Problems 習(xí)題
2 Carrier Statistics in Equilibrium 平衡狀態(tài)下的載流子統(tǒng)計(jì)特性
2.1 Conduction and Valence Bands; Bandgap; Holes 導(dǎo)帶和價(jià)帶，帶隙，空穴
2.2 Intrinsic Semiconductor 本征半導(dǎo)體
2.3 Extrinsic Semiconductor 非本征半導(dǎo)體
2.3.1 Donors and acceptors 施主和受主
2.3.2 Charge neutrality 電中性特點(diǎn)
2.3.3 Equilibrium carrier concentration in a doped semiconductor 摻雜半導(dǎo)體中的平衡載流子濃度
2.4 Carrier Statistics in Equilibrium 平衡狀態(tài)下的載流子統(tǒng)計(jì)特性
2.4.1 Conduction and valence band density of states 導(dǎo)帶和價(jià)帶的態(tài)密度
2.4.2 Equilibrium electron concentration 平衡電子濃度
2.4.3 Equilibrium hole concentration 平衡空穴濃度
2.4.4 np product in equilibrium 平衡狀態(tài)下的np積
2.4.5 Location of Fermi level 費(fèi)米能級(jí)的位置
2.5 Summary 小結(jié)
2.6 Further Reading 延展閱讀
AT2.1 Temperature Dependence of the Bandgap 帶隙的溫度依存性
AT2.2 Selected Properties of the Fermi-Dirac Integral 費(fèi)米–狄拉克積分的基本特性
AT2.3 Approximations for Strongly Degenerate Semiconductor 強(qiáng)簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的數(shù)學(xué)近似
AT2.4 Statistics of Donor and Acceptor Ionization 施主和受主電離的數(shù)學(xué)統(tǒng)計(jì)
AT2.5 Carrier Freeze-Out 載流子束縛態(tài)
AT2.6 Heavy-Doping Effects 重?fù)诫s效應(yīng)
AT2.6.1 The Mott transition Mott轉(zhuǎn)移
AT2.6.2 Bandgap narrowing 帶隙變窄
Problems 習(xí)題
3 Carrier Generation and Recombination 載流子的產(chǎn)生與復(fù)合
3.1 Generation and Recombination Mechanisms 產(chǎn)生與復(fù)合機(jī)制
3.2 Thermal Equilibrium: Principle of Detailed Balance 熱平衡：精細(xì)平衡原理
3.3 Generation and Recombination Rates in Thermal Equilibrium 熱平衡下的產(chǎn)生率與復(fù)合率
3.3.1 Band-to-band optical generation and recombination 帶間光產(chǎn)生和光復(fù)合
3.3.2 Auger generation and recombination 俄歇產(chǎn)生與復(fù)合
3.3.3 Trap-assisted thermal generation and recombination 陷阱輔助的熱產(chǎn)生與復(fù)合
3.4 Generation and Recombination Rates Outside Equilibrium 非平衡條件下的產(chǎn)生與復(fù)合
3.4.1 Quasi-neutral low-level injection; recombination lifetime 準(zhǔn)中性低濃度注入，復(fù)合壽命
3.4.2 Extraction; generation lifetime 提取和產(chǎn)生壽命
3.5 Dynamics of Excess Carriers in Uniform Situations 均勻條件下的過(guò)剩載流子動(dòng)力學(xué)
3.5.1 Example 1: Turn-on transient 例1：開(kāi)瞬態(tài)
3.5.2 Example 2: Turn-off transient 例2：關(guān)瞬態(tài)
3.5.3 Example 3: A pulse of light 例3：一個(gè)光脈沖
3.6 Surface Generation and Recombination 表面產(chǎn)生與復(fù)合
3.7 Summary 小結(jié)
3.8 Further Reading 延展閱讀
AT3.1 Shockley–Read–Hall Model 肖克利–里德–霍爾模型
AT3.1.1 Recombination lifetime 復(fù)合壽命
AT3.1.2 Generation lifetime 產(chǎn)生壽命
AT3.2 High-Level Injection 高濃度注入
Problems 習(xí)題

4 Carrier Drift and Diffusion 載流子的漂移和擴(kuò)散
4.1 Thermal Motion 熱運(yùn)動(dòng)
4.1.1 Thermal velocity 熱運(yùn)動(dòng)速率
4.1.2 Scattering 散射
4.2 Drift 漂移
4.2.1 Drift velocity 漂移速率
4.2.2 Velocity saturation 速率飽和
4.2.3 Drift current 漂移電流
4.2.4 Energy band diagram under electric field 電場(chǎng)作用下的能帶圖
4.3 Diffusion 擴(kuò)散
4.3.1 Fick’s first law 菲克第一定律
4.3.2 The Einstein relation 愛(ài)因斯坦關(guān)系
4.3.3 Diffusion current 擴(kuò)散電流
4.4 Transit Time 渡越時(shí)間
4.5 Nonuniformly Doped Semiconductor in Thermal Equilibrium 熱平衡下的非均勻摻雜半導(dǎo)體
4.5.1 Gauss’law 高斯定律
4.5.2 The Boltzmann relations 玻爾茲曼關(guān)系
4.5.3 Equilibrium carrier concentration 平衡載流子濃度
4.6 Quasi-Fermi Levels and Quasi-Equilibrium 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)與準(zhǔn)平衡態(tài)
4.7 Summary 小結(jié)
4.8 Further Reading 延展閱讀
AT4.1 Selected Properties of the Gamma Function 伽馬函數(shù)的基本性質(zhì)
AT4.2 Hot Carrier Effects 熱載流子效應(yīng)
AT4.2.1 Energy relaxation versus momentum relaxation 能量弛豫和動(dòng)量弛豫
AT4.2.2 Hot-electron transport 熱電子輸運(yùn)
AT4.2.3 Impact ionization 碰撞電離
Problems 習(xí)題

5 Carrier Flow 載流子運(yùn)動(dòng)
5.1 Continuity Equations 連續(xù)性方程
5.2 Surface Continuity Equations 表面連續(xù)性方程
5.2.1 Free surface 自由表面
5.2.2 Ohmic contact 歐姆接觸
5.3 Shockley Equations 肖克利公式
5.4 Simplifications of Shockley Equations to One-