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電子材料與器件實驗

電子材料與器件實驗

定 價:¥30.00

作 者: 蘭偉,盛英卓,韓衛(wèi)華 著
出版社: 蘭州大學(xué)出版社
叢編項:
標(biāo) 簽: 暫缺

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ISBN: 9787311055813 出版時間: 2019-02-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 149 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  《電子材料與器件實驗》分為“三個層次”的實驗教學(xué)內(nèi)容,即基礎(chǔ)性實驗、提高性實驗和創(chuàng)新性實驗。實驗內(nèi)容既涵蓋了經(jīng)典的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)實驗,又增加了多個應(yīng)用性和創(chuàng)新性實驗,例如太陽能電池、鋰離子電池、超級電容器、氣敏探測器、太陽能光催化等。增加實驗后,《電子材料與器件實驗》既豐富了實驗內(nèi)容,同時又體現(xiàn)了物理基本原理與知識應(yīng)用的重要性,目的在于緊跟科學(xué)發(fā)展前沿,提高學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,拓寬學(xué)生的視野,最終達到培養(yǎng)和提高學(xué)生科研素質(zhì)和創(chuàng)新能力的目的。

作者簡介

暫缺《電子材料與器件實驗》作者簡介

圖書目錄

第一部分 基礎(chǔ)性實驗
實驗一 四探針法測量半導(dǎo)體電阻率
實驗二 橢圓偏振法測量薄膜厚度和折射率
實驗三 激光測定單晶硅的晶向
實驗四 熒光分光光度計測試半導(dǎo)體光致發(fā)光
實驗五 紫外一可見分光光度計測試光譜
實驗六 MOS結(jié)構(gòu)的高頻電容一電壓特性測試
實驗七 半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)和電阻率
實驗八 半導(dǎo)體材料的塞貝克系數(shù)測定
實驗九 光刻工藝
第二部分 提高性實驗
實驗十 肖特基二極管的伏安特性測量
實驗十一 電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法制備硅基薄膜
實驗十二 射頻濺射法沉積氧化物薄膜
實驗十三 熱絲化學(xué)氣相沉積制備非晶碳基薄膜
實驗十四 場效應(yīng)晶體管的性能測定
實驗十五 太陽能電池參數(shù)測定
第三部分 創(chuàng)新性實驗
實驗十六 靜電紡絲制備半導(dǎo)體納米材料
實驗十七 微弱電能信號的測量與收集
實驗十八 光化學(xué)電池型自供能紫外探測器
實驗十九 鋰離子電池的組裝與性能
實驗二十 超級電容器的性能測量
實驗二十一 納米氧化物半導(dǎo)體材料TiO3光催化性能
實驗二十二 氣敏傳感器的組裝與性能

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