PSpice元器件模型建立及應(yīng)用

序言
致謝
第1章　電壓源和電流源1
1.1　信號源1
1.1.1　直流源和交流源1
1.1.2　脈沖信號源VPULSE和
IPULSE 2
1.1.3　正弦信號源VSIN和ISIN 5
1.1.4　指數(shù)信號源VEXP和
IEXP 7
1.1.5　分段線性信號源VPWL和
IPWL 9
1.1.6　周期性分段線性信號源
VPWL＿RE和IPWL＿RE 9
1.1.7　單頻調(diào)頻信號源VSFFM和
ISFFM 12
1.1.8　File信號源VPWL＿FILE和
IPWL＿FILE 13
1.2　受控源16
1.2.1　受控源符號及其功能16
1.2.2　受控源應(yīng)用實例：變壓器
功能模型建立與測試16
1.3　ABM器件18
1.3.1　ABM基本器件18
1.3.2　限幅器20
1.3.3　切比雪夫濾波器24
1.3.4　積分器和微分器27
1.3.5　TABLE和FTABLE及其
功能擴展28
1.3.6　Laplace變換34
1.3.7　數(shù)學(xué)函數(shù)37
1.3.8　表達式器件38
1.3.9　等效器件39
1.3.10　IF語句42
1.3.11　Time時間變量45
1.4　Temp溫度變量47
1.5　運算函數(shù)50
1.5.1　運算函數(shù)簡介50
1.5.2　運算函數(shù)創(chuàng)建及測試52
1.6　Probe中運算函數(shù)54
第2章　無源元件57
2.1　電阻模型57
2.1.1　定值電阻模型57
2.1.2　可變阻抗模型62
2.1.3　壓控電阻模型Rvar建模63
2.1.4　電阻器和電位器型號命名
方法及主要技術(shù)指標(biāo)67
2.2　電容模型72
2.2.1　定值電容模型72
2.2.2　可變電容模型73
2.2.3　壓控電容模型Cvar建模73
2.2.4　電容器型號命名方法及
主要技術(shù)指標(biāo)77
2.3　電感模型79
2.3.1　定值電感模型79
2.3.2　可變電感模型82
2.3.3　壓控電感模型Lvar建模82
2.3.4　電感器分類及主要技術(shù)
指標(biāo)85
2.4　變壓器模型85
2.4.1　變壓器分類和使用86
2.4.2　變壓器應(yīng)用87
2.4.3　非線性變壓器使用88
2.4.4　非線性磁心建模89
2.4.5　實際變壓器模型參數(shù)
辨識92
2.4.6　變壓器模型在反激
變換器中的應(yīng)用97
目　　錄Ⅶ
2.4.7　變壓器模型總結(jié)97
2.5　開關(guān)99
2.5.1　壓控開關(guān)99
2.5.2　流控開關(guān)101
2.5.3　時控開關(guān)101
第3章　二極管103
3.1　二極管模型103
3.2　二極管工作特性104
3.3　二極管模型參數(shù)計算建模106
3.4　二極管曲線擬合建模110
3.5　二極管子電路建模118
3.6　齊納二極管124
3.7　二極管分類和選型125
3.7.1　半導(dǎo)體二極管分類125
3.7.2　半導(dǎo)體二極管主要參數(shù)125
3.7.3　常用二極管特性126
第4章　三端穩(wěn)壓器模型建立及
應(yīng)用128
4.1　LM78XX系列穩(wěn)壓器PSpice
模型建立128
4.1.1　LM78XX功能模型建立及
仿真測試129
4.1.2　三端穩(wěn)壓器物理模型建立及
仿真測試133
4.2　LM78XX系列三端穩(wěn)壓器
典型應(yīng)用電路139
4.2.1　固定輸出穩(wěn)壓電路139
4.2.2　輸出電壓調(diào)節(jié)139
4.2.3　輸入電壓擴展140
4.2.4　輸出擴流141
4.2.5　輸出電流提高和限流144
4.2.6　三端穩(wěn)壓器擴展功能146
4.3　三端穩(wěn)壓器實際應(yīng)用
電路設(shè)計149
4.3.1　三端穩(wěn)壓器實際應(yīng)用電路
設(shè)計和仿真149
4.3.2　三端穩(wěn)壓器用兵字變壓器
選型指南153
4.4　LM317模型建立與電路測試155
4.4.1　子電路模型建立與測試155
4.4.2　LM317物理模型建立與
測試160
4.5　LM317測試電路164
4.5.1　基本功能測試164
4.5.2　擴流功能測試164
4.5.3　加入AC220V和變壓器整流
后穩(wěn)壓電路仿真164
4.5.4　交流穩(wěn)定性分析166
第5章　雙極結(jié)型晶體管168
5.1　晶體管PSpice模型168
5.2　晶體管工作特性171
5.3　晶體管參數(shù)計算建模172
5.4　晶體管曲線擬合建模176
5.5　晶體管典型電路仿真187
5.5.1　晶體管共射放大電路187
5.5.2　晶體管溫度分析190
5.5.3　晶體管放大電路頻率
響應(yīng)190
5.5.4　晶體管電阻反饋型兩級
放大電路191
5.6　晶體管音頻放大電路
仿真分析193
5.7　晶體管命名與選型197
5.7.1　晶體管命名方法197
5.7.2　晶體管主要技術(shù)參數(shù)及
選型198
第6章　場效應(yīng)晶體管200
6.1　MOSFET工作特性200
6.1.1　截止區(qū)200
6.1.2　放大區(qū)200
6.1.3　飽和區(qū)201
6.2　MOSFET模型參數(shù)201
6.3　MOSFET建模204
6.3.1　MOSFET參數(shù)計算建模204
6.3.2　MOSFET曲線擬合建模206
6.3.3　MOSFET子電路建模及實際
電路測試218
6.4　MOSFET選型224
Ⅷ　PSpice元器件模型建立及應(yīng)用
第7章　運算放大器226
7.1　運放的直流線性模型226
7.1.1　運放直流線性模型建立226
7.1.2　運放直流線性模型
仿真測試227
7.2　運放的交流線性模型229
7.2.1　運放交流線性模型建立229
7.2.2　運放交流線性模型
仿真測試230
7.3　簡化的運放非線性宏模型231
7.4　復(fù)雜的運放非線性宏模型233
7.4.1　復(fù)雜的運放非線性
宏模型建立233
7.4.2　復(fù)雜的運放非線性宏模型
仿真測試235
7.5　運放的物理模型237
7.5.1　運放的簡單物理模型237
7.5.2　運放的復(fù)雜物理模型239
7.6　根據(jù)數(shù)據(jù)手冊建立運放模型241
7.7　AD8061運放模型建立及測試247
7.7.1　根據(jù)官網(wǎng)lib模型建立olb
文件247
7.7.2　根據(jù)AD8061運放數(shù)據(jù)手冊
對模型進行測試249
7.8　LM380集成功放模型建立及
測試254
7.8.1　LM380功能簡介254
7.8.2　LM380工作原理仿真
分析254
7.8.3　LM380模型直流仿真
測試256
7.8.4　LM380模型閉環(huán)測試256
7.9　運放參數(shù)含義及選型
指南259
7.9.1　運放專業(yè)術(shù)語259
7.9.2　運放重要參數(shù)具體含義259
7.9.3　運放選型261
第8章　電源控制器270
8.1　IF語句270
8.2　基本功能模塊274
8.2.1　誤差放大器、比較器274
8.2.2　邏輯門：與門、與非門、或門、
或非門、反相器、觸發(fā)器、
死區(qū)、采樣286
8.3　電壓模式PWMVM控制器建立與
實際電路仿真312
8.4　電流模式PWMCM控制器建立與
實際電路仿真317
8.5　仿真實例：臨界模式BoostPFC
電路仿真322
附錄326
附表1　PSpice元器件庫列表326
附表2　ABM模型列表331
附表3　PSpice中運算函數(shù)334
附表4　Probe中運算函數(shù)336
附表5　Probe中測量函數(shù)336
附表6　快捷鍵342
附表7　數(shù)值縮寫342
附表8　模型語句343
附表9　命令語句348
附表10　齊納穩(wěn)壓二極管
模型（Diode.lib） 348
參考文獻361