產(chǎn)業(yè)專利分析報告：第三代半導體（第67冊）

定　價：￥60.00

作　者：	國家知識產(chǎn)權(quán)局學術(shù)委員會著
出版社：	知識產(chǎn)權(quán)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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京東 (￥60.00)

ISBN：	9787513063302	出版時間：	2019-07-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	168	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是相關(guān)行業(yè)的專利分析報告。報告從該行業(yè)的專利（國內(nèi)、國外）申請、授權(quán)、申請人的已有專利狀態(tài)、其他先進國家的專利狀況、同領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)的專利壁壘等方面入手，充分結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，展開分析，并得出分析結(jié)果。本書是了解該行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀并預(yù)測未來走向，幫助企業(yè)做好專利預(yù)警的必備工具書。

作者簡介

　　國家知識產(chǎn)權(quán)局學術(shù)委員會為國家知識產(chǎn)權(quán)局內(nèi)設(shè)的專利審查業(yè)務(wù)學術(shù)研究機構(gòu)，本年度10種分析報告的承辦方為優(yōu)選的各地專利代理事務(wù)所、律師事務(wù)所以及相關(guān)行業(yè)協(xié)會。每種報告的課題組約由20人組成，分別進行數(shù)據(jù)收集、整理、分析、制圖、審核、統(tǒng)稿。

圖書目錄

目錄
第1章緒論
1.1 技術(shù)背景
1.2 主要內(nèi)容
1.2.1 技術(shù)現(xiàn)狀
1.2.2 市場現(xiàn)狀
1.2.3 政策現(xiàn)狀
1.3 主要研究內(nèi)容
1.3.1 技術(shù)分解
1.3.2 數(shù)據(jù)來源及檢索策略
1.3.3 查全查準驗證
1.4 相關(guān)約定
1.4.1 專利分析術(shù)語
1.4.2 技術(shù)術(shù)語
第2章第三代半導體產(chǎn)業(yè)全球?qū)＠麘B(tài)勢
2.1 專利申請趨勢
2.1.1 碳化硅專利申請趨勢
2.1.2 氮化鎵專利申請趨勢
2.1.3 其他材料專利申請趨勢
2.2 全球?qū)＠麉^(qū)域分布
2.2.1 國家/地區(qū)分布
2.2.2 專利流向分析
2.2.3 在華分布情況
2.3 主要申請人排名
2.3.1 全球?qū)＠暾埲伺琶?br />2.3.2 在華專利申請人排名
2.4 技術(shù)構(gòu)成
2.4.1 全球技術(shù)構(gòu)成
2.4.2 主要國家/地區(qū)技術(shù)構(gòu)成對比
第3章碳化硅關(guān)鍵技術(shù)專利分析
3.1 碳化硅制備技術(shù)分析
3.1.1 專利申請趨勢
3.1.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比
3.1.3 主要申請人分析
3.1.4 單晶生長技術(shù)發(fā)展路線
3.1.5 外延生長技術(shù)發(fā)展路線
3.1.6 技術(shù)生命周期分析
3.2 碳化硅器件技術(shù)分析
3.2.1 專利申請趨勢
3.2.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比
3.2.3 主要申請人分析
3.2.4 碳化硅IGBT技術(shù)發(fā)展路線
3.2.5 技術(shù)生命周期分析
3.3 碳化硅應(yīng)用技術(shù)分析
3.3.1 專利申請趨勢
3.3.2 主要國家專利布局對比
3.3.3 主要申請人分析
3.3.4 技術(shù)生命周期分析
第4章氮化鎵關(guān)鍵技術(shù)專利分析
4.1 氮化鎵制備技術(shù)分析
4.1.1 專利申請趨勢
4.1.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比
4.1.3 主要申請人分析
4.1.4 氮化鎵技術(shù)發(fā)展路線
4.1.5 技術(shù)生命周期分析
4.2 氮化鎵器件和應(yīng)用技術(shù)分析
4.2.1 專利申請趨勢
4.2.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比
4.2.3 主要申請人分析
4.2.4 MicroLED技術(shù)發(fā)展路線
4.2.5 技術(shù)生命周期分析
第5章英飛凌專利布局及運用策略分析
5.1 發(fā)展歷程
5.2 專利布局
5.2.1 專利申請趨勢
5.2.2 專利區(qū)域布局
5.2.3 專利主題布局
5.3 主要研發(fā)團隊
5.3.1 研發(fā)團隊總覽
5.3.2 研發(fā)合作分析
5.4 專利運用
5.4.1 專利運用圖譜
5.4.2 專利運用策略
第6章科銳專利布局及運用策略研究
6.1 發(fā)展歷程
6.2 專利布局
6.2.1 專利申請趨勢
6.2.2 專利區(qū)域布局
6.2.3 專利主題布局
6.3 主要研發(fā)團隊
6.3.1 研發(fā)團隊總覽
6.3.2 研發(fā)合作分析
6.4 專利運用
6.4.1 專利運用圖譜
6.4.2 專利運用策略
第7章第三代半導體領(lǐng)域主要發(fā)明人分析
7.1 發(fā)明人全景分析
7.1.1 全球主要發(fā)明人
7.1.2 技術(shù)分支主要發(fā)明人
7.2 國外主要發(fā)明人
7.2.1 國外發(fā)明人
7.2.2 技術(shù)分支主要發(fā)明人
第8章第三代半導體領(lǐng)域?qū)＠D(zhuǎn)讓策略研究
8.1 專利轉(zhuǎn)讓態(tài)勢分析
8.1.1 專利轉(zhuǎn)讓趨勢
8.1.2 專利轉(zhuǎn)讓主要區(qū)域
8.1.3 專利轉(zhuǎn)讓人排名
8.1.4 專利受讓人
8.1.5 專利轉(zhuǎn)讓技術(shù)排名
8.2 英飛凌專利轉(zhuǎn)讓案例分析
第9章第三代半導體領(lǐng)域?qū)＠S可策略研究
9.1 專利許可分析
9.1.1 專利許可趨勢
9.1.2 專利許可人排名
9.1.3 專利被許可人
9.1.4 專利許可技術(shù)排名
9.2 科銳專利許可案例分析
第10章第三代半導體領(lǐng)域?qū)＠V訟策略研究
10.1 專利訴訟態(tài)勢分析
10.1.1 專利訴訟主要國家/地區(qū)
10.1.2 專利訴訟人排名
10.1.3 專利訴訟技術(shù)排名
10.2 專利訴訟案例分析
10.2.1 科銳vs.旭明光電
10.2.2 威科vs.中微半導體
10.3 專利訴訟策略小結(jié)
第11章美國政府資助項目知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)出機制研究
11.1 項目簡介
11.2 美國政府資助項目專利產(chǎn)出機制
11.3 美國政府資助典型案例分析
第12章主要結(jié)論和建議
12.1 主要結(jié)論
12.2 主要建議
附錄美國政府資助項目碳化硅領(lǐng)域主要專利
圖索引
表索引