紫外光電子器件：氮化物技術(shù)及應(yīng)用

定　價(jià)：￥198.00

作　者：	（德）邁克爾·尼塞爾，延斯·拉斯
出版社：	化學(xué)工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787122303592	出版時(shí)間：	2018-02-01	包裝：
開本：	16開	頁數(shù)：	400	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書全面介紹了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探測(cè)器的新技術(shù)，涵蓋不同的襯底及外延方法，InAlGaN材料的光學(xué)、電學(xué)和結(jié)構(gòu)特性以及各種光電子器件，如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探測(cè)器。此外，綜述了紫外發(fā)光器件和探測(cè)的一些關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域，包括水凈化、光療、氣敏、熒光激發(fā)、植物生長照明和UV固化。本書含有大量翔實(shí)的圖表和參考文獻(xiàn)，可供讀者進(jìn)一步了解和認(rèn)識(shí)氮化物紫外光電器件及其應(yīng)用。本書由德國、美國、日本、愛爾蘭等國的知名專家共同執(zhí)筆，各章的作者都在相關(guān)領(lǐng)域有著豐富的經(jīng)驗(yàn)，其對(duì)技術(shù)發(fā)展的獨(dú)到見解，能夠開拓讀者思路，為國內(nèi)氮化物紫外光電子器件的發(fā)展提供借鑒和參考。本書可供電氣工程、材料科學(xué)、物理學(xué)研究生層次的學(xué)生、研究人員和科學(xué)家，以及將紫外發(fā)光器件和探測(cè)器用到各種領(lǐng)域的開發(fā)人員參考。

作者簡介

　　段瑞飛，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所博士，北京中科優(yōu)唯科技有限公司副總經(jīng)理，氮化物半導(dǎo)體物理、材料、器件以及應(yīng)用十多年研究經(jīng)驗(yàn)，致力于氮化物深紫外LED的產(chǎn)業(yè)化。王軍喜，研究員，博導(dǎo)，中國科學(xué)半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在國內(nèi)首先制備出深紫外LED專用設(shè)備，開拓性實(shí)現(xiàn)國內(nèi)300nm以下毫瓦級(jí)LED器件，填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。李晉閩，原中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所所長，科技部“半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”主任，“國家半導(dǎo)體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”研發(fā)主席兼“聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)”主任。半導(dǎo)體照明外延、芯片及應(yīng)用集成技術(shù)團(tuán)隊(duì)的發(fā)起人和領(lǐng)導(dǎo)者。

圖書目錄

第1章氮化物紫外光電子器件技術(shù)及應(yīng)用概述/001
摘要001
1．1背景002
1．2UV發(fā)光器件及其應(yīng)用003
1．3UV-LED的最新技術(shù)和未來挑戰(zhàn)004
1．4UV-LED的主要參數(shù)和器件性能007
1．5缺陷對(duì)UV-LED IQE的作用008
1．6UV-LED的電注入效率和工作電壓010
1．7UV-LED的光提取011
1．8UV-LED的熱管理與退化012
1．9展望013
1．10小結(jié)014
致謝015
參考文獻(xiàn)015
第2章AlN體襯底的生長與性能/025
摘要025
2．1AlN晶體的特性與歷史026
2．2PVT法生長AlN體單晶：理論027
2．3PVT法生長AlN體單晶：技術(shù)029
2．4籽晶生長與晶體長大031
2．5PVT生長AlN體單晶的結(jié)構(gòu)缺陷033
2．6AlN襯底的雜質(zhì)及相應(yīng)性質(zhì)034
2．7結(jié)論與展望037
致謝038
參考文獻(xiàn)038
第3章藍(lán)寶石襯底上氮化物UV發(fā)光器件用AlGaN層氣相外延/044
摘要044
3．1簡介045
3．2MOVPE生長Al(Ga)N緩沖層046
3．3減少M(fèi)OVPE生長Al(Ga)N層TDD的技術(shù)048
3．4HVPE生長AlGaN層050
3．4．1HVPE技術(shù)基礎(chǔ)050
3．4．2襯底的選擇053
3．4．3HVPE選擇生長AlGaN層結(jié)果054
3．5小結(jié)062
致謝063
參考文獻(xiàn)063
第4章AlN/AlGaN生長技術(shù)和高效DUV-LED開發(fā)/067
摘要067
4．1簡介068
4．2DUV-LED研究背景068
4．3藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN的生長技術(shù)073
4．4內(nèi)量子效率(IQE)的顯著提高076
4．5222～351nm AlGaN和InAlGaN DUV-LED080
4．6電注入效率(EIE)通過MQB的增加086
4．7未來高光提取效率(LEE)的LED設(shè)計(jì)092
4．8小結(jié)098
參考文獻(xiàn)098
第5章位錯(cuò)和點(diǎn)缺陷對(duì)近帶邊發(fā)射AlGaN基DUV發(fā)光材料內(nèi)量子效率的影響/101
摘要101
5．1簡介103
5．2實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)104
5．3雜質(zhì)和點(diǎn)缺陷對(duì)AlN近帶邊發(fā)光動(dòng)力學(xué)的影響107
5．4AlxGa1-xN薄膜的近帶邊有效輻射壽命112
5．5硅摻雜及引起的陽離子空位形成對(duì)AlN模板上生長Al0．6Ga0．4N薄膜近帶邊發(fā)光的發(fā)光動(dòng)力學(xué)影響113
5．6小結(jié)117
致謝118
參考文獻(xiàn)118
第6章UV-LED的光偏振和光提取/122
摘要122
6．1紫外LED光提取123
6．2光偏振125
6．2．1影響AlGaN層光偏振開關(guān)的因素127
6．2．2光學(xué)偏振與襯底方向的關(guān)系130
6．2．3光學(xué)偏振對(duì)光提取效率的影響132
6．3改善光提取的概念134
6．3．1接觸材料與設(shè)計(jì)134
6．3．2表面制備138
6．3．3封裝144
參考文獻(xiàn)145
第7章半導(dǎo)體AlN襯底上高性能UVC-LED的制造及其使用點(diǎn)水消毒系統(tǒng)的應(yīng)用前景/151
摘要151
7．1簡介153
7．1．1UVC光源類型153
7．1．2什么是UVC光？153
7．1．3紫外殺菌如何工作？155
7．2AlN襯底上UVC LED的制造156
7．3提升POU水消毒用的UVC-LED性能增益162
7．3．1UVT效應(yīng)162
7．3．2設(shè)計(jì)靈活性164
7．3．3流動(dòng)單元建模165
7．3．4流動(dòng)分析案例165
7．3．5UVC光的使用168
參考文獻(xiàn)169
第8章AlGaN基紫外激光二極管/171
摘要171
8．1簡介172
8．2AlN體材上的最高材料質(zhì)量生長174
8．2．1AlN體襯底174
8．2．2同質(zhì)外延AlN174
8．2．3AlGaN激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)175
8．2．4多量子阱有源區(qū)176
8．3寬帶隙AlGaN材料的大電流能力177
8．4大電流水平下的高注入效率180
8．5光泵浦UV激光器183
8．6緊湊深紫外Ⅲ-N激光器的其他概念186
8．6．1電子束泵浦激光器186
8．6．2InGaN基VECSEL+二次諧波產(chǎn)生187
8．7小結(jié)187
致謝188
參考文獻(xiàn)188
第9章日盲和可見光盲AlGaN探測(cè)器/192
摘要192
9．1簡介193
9．2光電探測(cè)器基礎(chǔ)195
9．2．1特征參數(shù)與現(xiàn)象195
9．2．2各種類型的半導(dǎo)體光電探測(cè)器202
9．3Ⅲ族氮化物用于固態(tài)UV光電檢測(cè)211
9．3．1AlGaN基光電導(dǎo)體213
9．3．2AlGaN基MSM光電探測(cè)器213
9．3．3AlGaN基肖特基勢(shì)壘光電二極管214
9．3．4AlGaN基PIN光電二極管215
9．3．5AlGaN基雪崩光電探測(cè)器217
9．3．6AlGaN基光陰極219
9．3．7高度集成的Ⅲ氮族器件220
9．4寬禁帶光電探測(cè)器現(xiàn)狀221
9．5小結(jié)223
參考文獻(xiàn)224
第10章紫外LED水消毒應(yīng)用/234
摘要234
10．1簡介235
10．2紫外消毒的基本原則235
10．2．1影響紫外能流的因素237
10．2．2紫外反應(yīng)器性能的建模與驗(yàn)證239
10．3案例分析240
10．3．1測(cè)試紫外LED的實(shí)驗(yàn)設(shè)置提案241
10．3．2測(cè)試條件243
10．3．3使用紫外LED測(cè)試的結(jié)果246
10．4紫外LED水消毒應(yīng)用潛力251
致謝252
參考文獻(xiàn)252
第11章紫外發(fā)光器件皮膚病光療應(yīng)用/256
摘要256
11．1簡介257
11．2紫外光療的光源257
11．2．1自然日光258
11．2．2氣體放電燈259
11．2．3激光器261
11．2．4UV-LED261
11．3皮膚紫外光療的變化262
11．3．1補(bǔ)骨脂素加UVA(PUVA)治療262
11．3．2寬譜UVB(BB-UVB)治療263
11．3．3窄譜UVB(NB-UVB)治療264
11．3．4UVA-1治療265
11．3．5靶向紫外光療265
11．3．6體外光化學(xué)治療(ECP)266
11．4主要皮膚適應(yīng)證的作用機(jī)制267
11．4．1牛皮癬268
11．4．2特應(yīng)性皮炎268
11．4．3白癜風(fēng)269
11．4．4皮膚T細(xì)胞淋巴瘤269
11．4．5扁平蘚和斑禿269
11．4．6全身性硬化癥和硬斑病270
11．4．7移植體抗宿主病270
11．4．8多形性日光疹270
11．5采用新型UV發(fā)光器件的臨床研究271
11．5．1使用無極準(zhǔn)分子燈的研究271
11．5．2使用紫外LED的研究272
11．6總結(jié)與展望273
參考文獻(xiàn)273
第12章紫外發(fā)光器件氣體傳感應(yīng)用/281
摘要281
12．1簡介282
12．2吸收光譜284
12．3吸收光譜系統(tǒng)288
12．4紫外光譜儀光源291
12．5光譜儀用LED的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)295
12．6UV-LED吸收光譜儀的應(yīng)用298
12．6．1臭氧傳感器299
12．6．2臭氧傳感器設(shè)計(jì)299
12．6．3測(cè)量配置300
12．6．4結(jié)果300
12．6．5SO2和NO2傳感器301
12．6．6SO2/NO2氣體排放傳感器設(shè)計(jì)301
12．6．7測(cè)量配置302
12．7結(jié)論與展望303
參考文獻(xiàn)304
第13章化學(xué)與生命科學(xué)中的紫外熒光探測(cè)和光譜儀/306
摘要306
13．1簡介307
13．2熒光檢測(cè)和光譜儀的基礎(chǔ)和裝置308
13．3實(shí)驗(yàn)室分析儀器用熒光313
13．4環(huán)境監(jiān)測(cè)和生物分析用熒光化學(xué)傳感315
13．5用自發(fā)熒光探測(cè)微生物322
13．6皮膚病醫(yī)療診斷用熒光326
13．7總結(jié)與展望329
參考文獻(xiàn)329
第14章UVB誘導(dǎo)次生植物代謝物/339
摘要339
14．1次生植物代謝物的本質(zhì)和形成340
14．2次生植物代謝物的營養(yǎng)生理學(xué)341
14．3水果蔬菜消費(fèi)與慢性病的關(guān)系342
14．4植物-環(huán)境相互作用中的次生植物代謝物342
14．4．1植物的UVB感知和信令342
14．4．2UVB應(yīng)激源及植物生長調(diào)節(jié)劑344
14．5結(jié)構(gòu)分化UVB響應(yīng)345
14．5．1類黃酮和其他酚類346
14．5．2硫代葡萄糖苷349
14．6定制的UVB-LED次生植物代謝物UVB誘導(dǎo)351
14．6．1研究現(xiàn)狀：UVB-LED用于植物照明351
14．6．2UVB-LED針對(duì)性植物屬性觸發(fā)的優(yōu)勢(shì)352
14．6．3UVB-LED針對(duì)性植物屬性觸發(fā)實(shí)驗(yàn)裝置353
14．7展望354
參考文獻(xiàn)354
第15章紫外LED固化應(yīng)用/365
摘要365
15．1簡介366
15．2光源367
15．3化學(xué)機(jī)制368
15．4動(dòng)力學(xué)371
15．5醫(yī)學(xué)應(yīng)用372
15．6涂層、油墨和印刷375
15．7光固化快速成型377
15．8結(jié)論與展望378
參考文獻(xiàn)379
專業(yè)術(shù)語中英文對(duì)照表383
單位換算表400