高性能低功耗高可靠三維集成電路設(shè)計(jì)（精）

定　價(jià)：￥169.00

作　者：	（美）林圣圭
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

購(gòu)買(mǎi)這本書(shū)可以去

ISBN：	9787118113464	出版時(shí)間：	2017-12-01	包裝：
開(kāi)本：		頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《高性能，低功耗，高可靠三維集成電路設(shè)計(jì)》系統(tǒng)地介紹了三維集成電路設(shè)計(jì)所涉及的一些問(wèn)題，包括物理設(shè)計(jì)自動(dòng)化、結(jié)構(gòu)、建模、探索、驗(yàn)證等，分成五部分，共20章。*部分為三維集成電路設(shè)計(jì)方法及解決方案，主要討論硅通孔布局、斯坦納布線、緩沖器插入、時(shí)鐘樹(shù)、電源分配網(wǎng)絡(luò)；第二部分為三維集成電路的電可靠性設(shè)計(jì)，主要討論硅通孔-硅通孔耦合、電流聚集效應(yīng)、電源完整性、電遷移失效機(jī)制；第三部分為三維集成電路的熱可靠性設(shè)計(jì)，主要討論熱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)布局、門(mén)級(jí)布局、微流通道散熱問(wèn)題；第四部分為三維集成電路的機(jī)械可靠性設(shè)計(jì)，主要分析全芯片和封裝級(jí)機(jī)械應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力對(duì)時(shí)序的影響、硅通子L界面裂紋；第五部分為三維集成電路設(shè)計(jì)的其他方面，主要討論利用單片三維集成實(shí)現(xiàn)超高密度邏輯的方法、硅通孔按比例縮小問(wèn)題，并給出一個(gè)三維大規(guī)模并行處理器設(shè)計(jì)實(shí)例?！陡咝阅?，低功耗，高可靠三維集成電路設(shè)計(jì)》可作為高等院校微電子技術(shù)、電路與系統(tǒng)等專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的教材或參考書(shū)，也可作為從事三維集成電路設(shè)計(jì)的相關(guān)技術(shù)人員的參考資料。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《高性能低功耗高可靠三維集成電路設(shè)計(jì)（精）》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

部分高性能低功耗三維集成電路設(shè)計(jì)
第1章三維集成電路的硅通孔布局
1．1 引言
1．2 研究現(xiàn)狀
1．3 基礎(chǔ)知識(shí)
1．3．1 三維集成電路設(shè)計(jì)
1．3．2 允許硅通孔數(shù)
1．3．3 小硅通孔數(shù)
1．3．4 線長(zhǎng)和硅通孔數(shù)的折衷
1．4 三維集成電路物理設(shè)計(jì)流程
1．4．1 劃分
1．4．2 硅通孔插入和布局
1．4．3 布線
1．5 三維全局布局算法
1．5．1 力驅(qū)動(dòng)布局簡(jiǎn)介
1．5．2 三維布局算法簡(jiǎn)介
1．5．3 三維集成電路中的單元布局
1．5．4 硅通孔位置原理中硅通孔的預(yù)布局
1．5．5 三維節(jié)點(diǎn)的線長(zhǎng)計(jì)算
1．6 硅通孔分配算法
1．6．1 硅通孔分配算法的解
1．6．2 基于MST的硅通孔分配
1．6．3 基于布局的硅通孔分配
1．7 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
1．7．1 線長(zhǎng)和運(yùn)行時(shí)間比較
1．7．2 金屬層和硅面積比較
1．7．3 線長(zhǎng)和硅通孔數(shù)折衷
1．7．4 線長(zhǎng)，管芯面積和管芯數(shù)折衷
1．7．5 硅通孔協(xié)同布局與硅通孑L位置對(duì)照
1．7．6 硅通孔尺寸影響
1．7．7 時(shí)序和功耗比較
1．8 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章三維集成電路斯坦納布線
2．1 引言
2．2 研究現(xiàn)狀
2．3 基礎(chǔ)知識(shí)
2．3．1 問(wèn)題表述
2．3．2 研究方法簡(jiǎn)介
2．4 三維斯坦納樹(shù)構(gòu)建
2．4．1 算法簡(jiǎn)介
2．4．2 計(jì)算連接點(diǎn)和硅通孔位置
2．4．3 延時(shí)方程優(yōu)化
2．5 采用硅通孔重布局進(jìn)行三維樹(shù)精化
2．5．1 算法簡(jiǎn)介
2．5．2 可移動(dòng)范圍
2．5．3 簡(jiǎn)化熱分析
2．5．4 非線性規(guī)劃
2．5．5 整數(shù)線性規(guī)劃
2．5．6 快速整數(shù)線性規(guī)劃
2．6 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
2．6．1 實(shí)驗(yàn)參數(shù)
2．6．2 樹(shù)構(gòu)建結(jié)果
2．6．3 延時(shí)和線長(zhǎng)分布
2．6．4 硅通孔重布局結(jié)果
2．6．5 硅通孔尺寸和寄生效應(yīng)影響
2．6．6 鍵合類型影響
2．6．7 兩管芯和四管芯疊層比較
2．7 結(jié)論
附錄
參考文獻(xiàn)
第3章三維集成電路的緩沖器插入
3．1 引言
3．2 問(wèn)題定義
3．3 研究動(dòng)機(jī)宴例
……
第二部分三維集成電路設(shè)計(jì)中的電可靠性
第三部分三維集成電路設(shè)計(jì)中的熱可靠性
第四部分三維集成電路設(shè)計(jì)的機(jī)械可靠性
第五部分其他論題
縮略語(yǔ)