本書分4篇探討晶體生長的原理與技術。第一篇為晶體生長的基本原理,分5章對晶體生長的熱力學原理、動力學原理、界面過程、生長形態(tài)及晶體生長初期的形核相關原理進行論述。第二篇為晶體生長的技術基礎,分3章進行晶體生長過程的涉及傳輸行為(傳質、傳熱、對流)、化學基礎問題(材料的提純與合成問題)以及物理基礎(電、磁、力的作用原理)的綜合分析。第三篇為晶體生長技術,分4章分別對以Bridgman法為主的熔體法晶體生長、以Czochralski方法為主的熔體法晶體生長、溶液法晶體生長以及氣相晶體生長技術與**發(fā)展進行介紹。第四篇分2章分別對晶體生長過程中缺陷的形成與控制和晶體的結構與性能表征方法進行論述。