固態(tài)表面界面與薄膜（第6版 精）

第1章 表面、界面物理：定義及其重要性
附錄Ⅰ 超高真空（UHV）技術(shù)
附錄Ⅱ 粒子光學(xué)和光譜學(xué)的基礎(chǔ)
問題
第2章 嚴(yán)格定義的表面、界面及薄膜的制備
2．1 需要超高真空的原因
2．2 UHV條件下的材料界面解理
2．3 離子轟擊與退火
2．4 蒸發(fā)與分子束外延（MBE）
2．5 利用化學(xué)反應(yīng)外延生長膜
附錄Ⅲ 俄歇電子能譜（AES）
附錄Ⅳ 二次離子質(zhì)譜（SIMS）
問題
第3章 表面、界面和薄膜的形貌與結(jié)構(gòu)
3．1 表面應(yīng)力、表面能和宏觀形狀
3．2 弛豫、重構(gòu)和缺陷
3．3 二維點(diǎn)陣、超結(jié)構(gòu)和倒易空間
3．3．1 表面點(diǎn)陣和超結(jié)構(gòu)
3．3．2 二維倒易點(diǎn)陣列
3．4 固一固界面結(jié)構(gòu)模型
3．5 薄膜的形核和生長
3．5．1 薄膜生長的模型
3．5．2 形核的“毛細(xì)模型
3．6 薄膜生長研究：實(shí)驗(yàn)方法和結(jié)果
附錄Ⅴ 掃描電子顯微鏡（SEM）和微探針技術(shù)
附錄Ⅵ 掃描隧道顯微鏡（STM）
附錄Ⅶ 表面擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)（SEXAFS）
問題
第4章 表面和薄膜散射
4．1 表面散射運(yùn)動(dòng)學(xué)理論
4．2 低能電子衍射的運(yùn)動(dòng)學(xué)理論
4．3 從LEED圖中能知道什么
4．4 動(dòng)力學(xué)LEED理論和結(jié)構(gòu)分析
4．4．1 匹配公式化
4．4．2 多重散射理論體系
4．4．3 結(jié)構(gòu)分析
4．5 非彈性表面散射實(shí)驗(yàn)的運(yùn)動(dòng)學(xué)理論
4．6 非彈性電子散射的電介質(zhì)理論
4．6．1 固體散射
4．6．2 表面散射
4．7 薄表面層的介電散射
4．8 一些低能電子在表面非彈性散射的實(shí)驗(yàn)例子
4．9 顆粒散射的經(jīng)典限制條件
4．10 原子碰撞的守恒定律：表面化學(xué)分析
4．11 盧瑟福背散射（RBS）：通道和阻塞
附錄Ⅷ 低能電子衍射（LEED）和反射高能電子衍射（RHEED）
附錄Ⅸ X射線衍射（XRD）對(duì)薄膜特性的描述
附錄Ⅹ 電子能量損失譜（EELS）
問題
第5章 表面聲子
5．1 線性鏈上的“表面”晶格振動(dòng)的存在
5．2 擴(kuò)展到具有表面的三維固體
5．3 瑞利波
5．4 作為高頻過濾器的瑞利波的應(yīng)用
5．5 表面一聲子（等離子體激元）極化子
5．6 實(shí)驗(yàn)和實(shí)際計(jì)算的散射曲線
附錄Ⅺ 原子和分子束散射
問題
第6章 表面電子態(tài)
6．1 近自由電子模型中半無限鏈的表面電子態(tài)
6．2 三維晶體表面態(tài)及其帶電特征
6．2．1 本征表面態(tài)
6．2．2 非本征表面態(tài)
6．3 光電發(fā)射理論
6．3．1 概述
6．3．2 角積分的光電發(fā)射
6．3．3 體與表面態(tài)發(fā)射
6．3．4 初始態(tài)的對(duì)稱性和選擇定則
6．3．5 多體方面
6．4 一些金屬表面態(tài)能帶結(jié)構(gòu)
6．4．1 類s和類p表面態(tài)
6．4．2 類d表面態(tài)
6．4．3 空表面態(tài)和像勢表面態(tài)
6．5 半導(dǎo)體的表面態(tài)
6．5．1 元素半導(dǎo)體
6．5．2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體
6．5．3 Ⅲ族氮化物
6．5．4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體
6．6 表面態(tài)自旋軌道耦合
6．6．1 在二維電子氣中的自旋軌道耦合
6．6．2 Au和半金屬表面自旋分裂表面態(tài)
6．6．3 拓?fù)浣^緣體表面態(tài)
附錄Ⅻ 光電發(fā)射和逆光電發(fā)射
問題
第7章 半導(dǎo)體界面的空間電荷層
7．1 空間電荷層的定義與分類
7．2 肖特基耗盡空間電荷層
7．3 弱空間電荷層
7．4 高度簡并半導(dǎo)體的空間電荷層
7．5 空間電荷層與費(fèi)米能級(jí)釘扎的一般情況
7．6 量子化聚集與反型層
7．7 特殊界面及其表面勢
7．8 硅MOS場效應(yīng)晶體管
7．9 磁場導(dǎo)致的量子效應(yīng)
7．10 二維等離子體激元
附錄Ⅷ 光學(xué)表面技術(shù)
問題
第8章 金屬一半導(dǎo)體結(jié)和半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
8．1 決定固一固界面電子結(jié)構(gòu)的一般原理
8．2 金屬一半導(dǎo)體界面的金屬誘導(dǎo)間隙態(tài)
8．3 在半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)界面的VIGS
8．4 界面態(tài)的結(jié)構(gòu)與化學(xué)性質(zhì)依賴的模型
8．5 金屬一半導(dǎo)體結(jié)與半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用
8．5．1 肖特基勢壘
8．5．2 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)和調(diào)制摻雜
8．5．3 高電子遷移率場效應(yīng)晶體管（HEMT）
8．6 在半導(dǎo)體界面二維電子氣的量子效應(yīng)
附錄ⅪⅤ 肖特基勢壘高度與能帶遷移的電子學(xué)測量
問題
第9章 界面處的集體現(xiàn)象：超導(dǎo)電性和鐵磁性
9．1 在界面的超導(dǎo)電性
9．1．1 基本表述
9．1．2 超導(dǎo)電性的基礎(chǔ)
9．1．3 Andreev反射
9．1．4 貫穿正常導(dǎo)體一超導(dǎo)體界面輸運(yùn)現(xiàn)象的簡單模型
9．2 具有彈道傳輸行為的約瑟夫森結(jié)
9．2．1 約瑟夫森效應(yīng)
9．2．2 約瑟夫森電流和Andreev能級(jí)
9．2．3 亞簡諧能隙結(jié)構(gòu)
9．3 超導(dǎo)體一半導(dǎo)體2DEG一超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)的實(shí)驗(yàn)例證
9．3．1 Nb一2DEG—Nb結(jié)的制備
9．3．2 通過Nb一2DEG—Nb結(jié)的臨界電流
9．3．3 電流載荷區(qū)
9．3．4 非平衡載流子的超流控制
9．4 表面與薄膜內(nèi)的鐵磁性
9．4．1 鐵磁性的能帶模型
9．4．2 降維體系的鐵磁理論
9．5 磁量子阱態(tài)
9．6 磁性層間耦合
9．7 巨磁阻和自旋轉(zhuǎn)矩機(jī)制
9．7．1 巨磁阻（GMR）
9．7．2 磁各向異性和磁疇
9．7．3 自旋轉(zhuǎn)矩效應(yīng)：磁開關(guān)器件
附錄ⅩⅤ 磁光特性：克爾效應(yīng)
附錄ⅩⅥ 自旋極化掃描隧道顯微鏡（sP—sTM）
問題
第10章 固體表面的吸附現(xiàn)象
10．1 物理吸附
10．2 化學(xué)吸附
10．3 吸附物導(dǎo)致功函數(shù)變化
10．4 吸附層的二維相轉(zhuǎn)變
10．5 吸附動(dòng)力學(xué)
附錄ⅩⅦ 解吸附技術(shù)
附錄ⅩⅧ 用于功函數(shù)變化與半導(dǎo)體界面研究的開爾文探針和光電發(fā)射測量
問題
參考文獻(xiàn)
第1章
第2章
第3章
第4章
第5章
第6章
第7章
第8章
第9章
第10章
中英文名詞對(duì)照表