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多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶體管

多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶體管

定 價:¥68.00

作 者: 岳蘭
出版社: 西南交通大學(xué)出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787564369781 出版時間: 2019-07-01 包裝:
開本: 頁數(shù): 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  全書共7章,全面介紹了平板顯示器中核心驅(qū)動元件——多元非晶氧化物薄膜晶體管(TFT)的原理、結(jié)構(gòu)、表征,以及其在超高清大屏顯示、3D顯示、透明顯示、柔性顯示等新一代顯示技術(shù)中的應(yīng)用優(yōu)勢,反映了當(dāng)前多元非晶氧化物的性能、制備技術(shù)及發(fā)展的前沿信息。《多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶體管》還結(jié)合實(shí)例,基于一性原理計(jì)算介紹了復(fù)雜多元氧化物半導(dǎo)體材料的模型構(gòu)建和物理特性,并基于浸漬提拉工藝較完整地介紹了低成本制備的新型非晶氧化物溝道層材料和有機(jī)介質(zhì)層材料的工藝條件、性能、組成成分,以及由其構(gòu)成的TFT器件制備流程、影響器件性能的關(guān)鍵因素。

作者簡介

暫缺《多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶體管》作者簡介

圖書目錄

第1章 緒論
1.1 薄膜晶體管的技術(shù)特點(diǎn)
1.2 氧化物材料及多元非晶氧化物TFT的優(yōu)勢
1.2.1 氧化物材料
1.2.2 多元非晶氧化物TFT的優(yōu)勢
1.3 多元非晶氧化物TFT的結(jié)構(gòu)、工作原理及性能表征
1.3.1 多元非晶氧化物TFT的結(jié)構(gòu)
1.3.2 多元非晶氧化物TFT的工作原理
1.3.3 多元非晶氧化物TFT的性能指標(biāo)
1.4 多元非晶氧化物TFT的研究現(xiàn)狀
1.4.1 多元非晶氧化物溝道層的研究
1.4.2 介質(zhì)層材料的研究
1.4.3 電極材料的研究
1.4.4 器件結(jié)構(gòu)的研究
1.4.5 多元非晶氧化物TFT在顯示領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀
1.5 選題意義及研究內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
第2章 多元非晶氧化物TFT的制備及表征
2.1 多元非晶氧化物TFT的成膜工藝
2.1.1 溶膠凝膠法
2.1.2 真空蒸發(fā)法
2.2 多元非晶氧化物TFT的結(jié)構(gòu)與制備流程
2.3 表征方法
2.3.1 溶膠的熱重分析
2.3.2 薄膜的厚度測試
2.3.3 薄膜的結(jié)構(gòu)分析測試
2.3.4 薄膜光學(xué)性能測試
2.3.5 薄膜電學(xué)性能測試
2.3.6 薄膜晶體管電學(xué)性能測試
參考文獻(xiàn)
第3章 非晶La-Zn-Sn-O溝道層及其薄膜晶體管的研究
3.1 概述
3.2 La-Zn-Sn-O溝道層薄膜及其薄膜晶體管的制備
3.3 溶膠的TGA測試
3.4 La-Zn-Sn-O薄膜結(jié)構(gòu)與性能的研究
3.4.1 La含量對薄膜特性的影響
3.4.2 膜厚對薄膜特性的影響
3.5 非晶La-Zn-Sn-O薄膜晶體管電學(xué)性能的研究
3.5.1 溝道層La含量對薄膜晶體管性能的影響
3.5.2 溝道層厚度對薄膜晶體管性能的影響
3.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 非晶A1-In-Zn-O溝道層及其薄膜晶體管的研究
4.1 概述
4.2 A1-In-Zn-O溝道層薄膜及其薄膜晶體管的制備
4.3 溶膠的TGA測試
4.4 A1-In-Zn-O薄膜結(jié)構(gòu)與性能的研究
4.4.1 A1含量對薄膜特性的影響
4.4.2 退火溫度對薄膜特性的影響
4.5 非晶A1-In-Zn-O薄膜晶體管電學(xué)性能的研究
4.5.1 溝道層A1含量對薄膜晶體管性能的影響
4.5.2 溝道層退火溫度對薄膜晶體管性能的影響
4.5.3 高/低電阻率雙溝道層薄膜晶體管的制備及性能的研究
4.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 有機(jī)聚甲基丙烯酸甲酯介質(zhì)層的研究
5.1 概述
5.2 介質(zhì)層薄膜的制備
5.3 溶膠的TGA測試
5.4 介質(zhì)層薄膜的性能分析
5.4.1 薄膜的表面形貌
5.4.2 薄膜的光學(xué)性能
5.4.3 薄膜的介電特性
5.5 介質(zhì)層厚度對薄膜晶體管性能的影響
5.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 氧空位及A1摻雜IZO電子結(jié)構(gòu)的性原理研究
6.1 概述
6.2 密度泛函理論
6.2.1 Hohenberg-Kohn定理
6.2.2 自洽Kohn-Sham方程
6.2.3 局域密度近似
6.3 模型構(gòu)建與計(jì)算方法
6.4 理想IZO電子結(jié)構(gòu)的理論計(jì)算與分析
6.5 氧空位缺陷對IZO電子結(jié)構(gòu)的影響
6.6 A1摻雜對IZO電子結(jié)構(gòu)的影響
6.7 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章 結(jié)論與展望
7.1 結(jié)論
7.2 展望

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