氮化鎵電力電子器件原理與應用

定　價：￥69.00

作　者：	秦海鴻，荀倩，張英，嚴仰光著
出版社：	北京航空航天大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787512431904	出版時間：	2020-03-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	270	字數(shù)：

內容簡介

　　《氮化鎵電力電子器件原理與應用》介紹了氮化鎵半導體電力電子器件的原理、特性和應用，概括了這一領域近十年來的主要研究進展。內容包括：多種類型氮化鎵器件的原理與特性、典型氮化鎵器件的驅動電路原理與設計方法、氮化鎵基變換器的擴容方法、氮化鎵器件在不同領域和不同變換器中的應用實例分析，以及氮化鎵基變換器的性能制約因素和關鍵問題?！兜夒娏﹄娮悠骷砼c應用》可作為高等院校電力電子技術、電機驅動技術以及新能源技術等專業(yè)的本科生、研究生和教師的參考書，也可供從事氮化鎵半導體器件研制和測試的工程技術人員，以及應用氮化鎵半導體器件研制高性能電力電子變換器的工程技術人員參考。

作者簡介

　　秦海鴻，男，博士，副教授，研究方向：新能源電力電子變換技術、電動飛機先進驅動技術、寬禁帶半導體器件應用技術。參與及承擔國家自然科學基金重點項目、面上項目、863項目、973項目、教育部博士點基金、上海市教委基金、航空廠所及相關企業(yè)合作項目等多項課題研究任務。在國內外學術期刊和會議上發(fā)表學術論文80余篇。出版專著《多電飛機的電氣系統(tǒng)》（“十二五”工信部規(guī)劃專著）、《碳化硅電力電子器件原理與應用》、《氮化鎵電力電子器件原理與應用》、《混合勵磁電機的結構與原理》及研究生精品教材《現(xiàn)代交流調速技術》。在職學習及工作經歷包括：2009-2010，美國馬里蘭大學高級訪問學者；2010-2013，南自通華電器集團企業(yè)博士后；2014年，成飛工程實踐暑期進修；2018年，西飛工程實踐暑期進修；2019-2020，英國諾丁漢大學國家公派訪問學者。擔任南京航空航天大學“新能源發(fā)電大學生示范主題創(chuàng)新區(qū)”負責人，獲得南京航空航天大學校級教學成果獎一等獎2次、校級教學優(yōu)秀二等獎2次、校級微課建設團隊比賽一等獎1次、江蘇省微課競賽二等獎、南京航空航天大學“十二五本科教學建設先鋒”榮譽稱號、國防科學技術獎三等獎1次；擔任江蘇省電子學會電源專業(yè)委員會秘書長、中國電源學會高級會員、以及IEEE Transactions on Power Electronics，《中國電機工程學報》、《南京航空航天大學學報》、《電源學報》等期刊的審稿專家。

圖書目錄

第1章緒論
1．1 高性能電力電子裝置的發(fā)展要求
1．2 Si基電力電子器件的限制
1．3 GaN材料特性
1．4 GaN基電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展
1．4．1 不同結構的GaN器件
1．4．2 不同類型的GaN器件
參考文獻
第2章 GaN器件的原理與特性
2．1 GaN基二極管的特性與參數(shù)
2．1．1 通態(tài)特性及其參數(shù)
2．1．2 阻斷特性及其參數(shù)
2．1．3 關斷過程及其參數(shù)
2．2 常通型GaN HEMT的特性與參數(shù)
2．2．1 穩(wěn)態(tài)特性及其參數(shù)
2．2．2 開關特性及其參數(shù)
2．2．3 常通型GaN HEMT的電流崩塌現(xiàn)象
2．3 Cascode GaN HEMT的特性與參數(shù)
2．3．1 工作原理和模態(tài)
2．3．2 特性及其參數(shù)
2．4 增強型GaN HEMT的特性與參數(shù)
2．4．1 工作模態(tài)
2．4．2 低壓eGaN HEMT的特性及參數(shù)
2．4．3 高壓eGaN HEMT的特性及參數(shù)
2．5 GaN GIT的特性與參數(shù)
2．5．1 通態(tài)特性及其參數(shù)
2．5．2 開關特性及其參數(shù)
2．5．3 驅動特性及其參數(shù)
2．6 小結
參考文獻
第3章 GaN器件驅動電路原理與設計
3．1 GaN HEMq、的驅動電路設計挑戰(zhàn)與要求
3．1．1 驅動芯片
3．1．2 驅動參數(shù)
3．1．3 布局設計
3．1．4 輔助功能電路
3．2 常通型GaN HEMT的驅動電路原理與設計
3．2．1 常通型GaN HEMT的單電源驅動電路
3．2．2 常通型GaN HEMT的諧振型驅動電路
3．3 Cascode GaN HEMT的驅動電路原理與設計
3．3．1 Cascode GaN HEMT的驅動電路設計挑戰(zhàn)
3．3．2 Cascode GaN HEMT電壓振蕩抑制方法
3．4 eGaN HEMT的驅動電路原理與設計
3．4．1 低壓eGaN HEMT的驅動電路
3．4．2 高壓eGaN HEMT的驅動電路
3．5 GaN GIT的驅動電路原理與設計
3．5．1 GaN GIT的驅動電路要求
3．5．2 帶加速電容的單電源驅動電路
3．5．3 無容式驅動電路
3．6 GaN器件短路特性與保護
3．6．1 GaN器件短路特性與機理分析
3．6．2 GaN器件與Si和SiC器件短路特性對比
3．7 小結
參考文獻
第4章 GaN基變換器擴容方法
4．1 eGaN器件的并聯(lián)
4．1．1 器件參數(shù)不匹配對均流的影響
4．1．2 電路參數(shù)不匹配對均流的影響
4．1．3 并聯(lián)均流控制方法
4．2 Cascode GaN HEMT器件的并聯(lián)
4．2．1 均流影響因素分析
4．2．2 電流振蕩機理
4．2．3 Cascode GaN HEMT器件的并聯(lián)均流方法
4．3 GaN／Si可控器件混合并聯(lián)
4．4 GaN基變換器并聯(lián)
4．4．1 交錯并聯(lián)GaN基變換器
4．4．2 內置交錯并聯(lián)橋臂的GaN基變換器
4．4．3 器件并聯(lián)和變換器并聯(lián)優(yōu)化設計
4．5 GaN基多電平變換器
4．6 GaN基變換器的組合擴容
4．7 小結
參考文獻
第5章 GaN器件在電力電子變換器中的應用
5．1 GaN器件在典型領域中的應用
5．1．1 GaN器件在電動汽車領域的應用
5．1．2 GaN器件在無線電能傳輸領域的應用
5．1．3 GaN器件在光伏發(fā)電領域的應用
5．1．4 GaN器件在照明領域的應用
5．1．5 GaN器件在數(shù)據(jù)中心領域的應用
5．1．6 GaN器件在航空航天領域的應用
5．2 GaN器件在不同種類變換器中的應用
5．2．1 GaN基DC／DC變換器
5．2．2 GaN基AC／DC變換器
5．2．3 GaN基DC／AC變換器
5．3 小結
參考文獻
第6章 GaN基變換器的性能制約因素與關鍵問題
6．1 GaN器件高速開關限制因素
6．1．1 寄生電感的影響
6．1．2 寄生電容的影響
6．1．3 驅動電路驅動能力的影響
6．1．4 電壓和電流的測試問題
6．1．5 長電纜電壓反射問題
6．1．6 EMI問題
6．2 GaN基電路的PCB優(yōu)化設計技術
6．3 GaN集成驅動技術
6．3．1 傳統(tǒng)分立驅動
6．3．2 GaN集成驅動
6．3．3 GaN集成驅動實例分析
6．4 GaN器件的散熱設計技術
6．4．1 GaN器件的典型封裝形式
6．4．2 GaN器件的熱傳輸路徑
6．4．3 PCB散熱設計考慮
6．5 多目標優(yōu)化設計
6．5．1 變換器現(xiàn)有設計方法存在的不足
6．5．2 GaN基變換器參數(shù)優(yōu)化設計思路
6．6 小結
參考文獻