模擬電路基礎(chǔ)：從系統(tǒng)級(jí)到電路級(jí)

前言
常用符號(hào)說明
第1章 電路模型與電路分析方法
1．1 電氣元件的互連構(gòu)成電路
1．1．1 電路——實(shí)際的電氣系統(tǒng)及其模型
1．1．2 電氣元件的互連與芯片封裝
1．1．3 模擬電路研究?jī)?nèi)容
1．2 電路特性的時(shí)域、頻域表示
1．2．1 電壓與電流、能量與功率
1．2．2 電信號(hào)在時(shí)域與頻域中的表示
1．2．3 卷積積分——零狀態(tài)下線性時(shí)不變電路的輸入-輸出關(guān)系
1．3 實(shí)際電路轉(zhuǎn)變?yōu)榭煞治龅碾娐纺Ｐ偷幕舅枷?br />1．3．1 構(gòu)建電路模型的基本思想
1．3．2 理想基本電路元件——構(gòu)建電路模型“大廈”的“磚瓦”
1．3．3 理想互感與受控電源
1．3．4 構(gòu)建簡(jiǎn)單實(shí)體電路的電路模型舉例
1．4 基于電路模型分析、預(yù)測(cè)電路的特性
1．4．1 基爾霍夫電路定律與線性電路的疊加原理
1．4．2 節(jié)點(diǎn)分析法與拉普拉斯變換
1．4．3 系統(tǒng)函數(shù)H（s）的幾個(gè)基本性質(zhì)與電路的系統(tǒng)框圖表示
1．4．4 RC電路的充電與放電
1．5 電路模塊化分析思路與自頂向下的設(shè)計(jì)方法
1．5．1 電路層次化架構(gòu)與模塊化分析的思路
1．5．2 自頂向下設(shè)計(jì)方法
1．6 電氣元件的電路模型與RLC電路的頻率響應(yīng)
1．6．1 實(shí)際電阻、電容、電感與電源的電路模型
1．6．2 互連線的電路模型
1．6．3 碰c電路的頻率響應(yīng)
1．6．4 理想運(yùn)算放大器的電路模型
習(xí)題
第2章 基于運(yùn)放的弱信號(hào)放大處理電路
2．1 理想模擬運(yùn)算電路
2．1．1 反相放大器
2．1．2 同相放大器
2．1．3 加法放大器
2．1．4 減法運(yùn)算電路與差分放大器
2．1．5 微分與積分電路
2．1．6 基于CDTA的乘法、除法運(yùn)算電路
2．1．7 測(cè)量放大器
2．2 描述運(yùn)放非理想特性的參數(shù)與非理想因素對(duì)運(yùn)放電路特性的影響
2．2．1 描述運(yùn)放非理想特性的參數(shù)
2．2．2 非理想因素對(duì)運(yùn)放電路特性的影響
2．3 有源RC濾波器
2．3．1 濾波器特征參數(shù)
2．3．2 基于電壓型運(yùn)放的一階有源RC濾波器
2．3．3 基于電壓型運(yùn)放的二階有源RC濾波器
2．3．4 基于電流模技術(shù)的運(yùn)放的多功能有源RC濾波器
2．4 測(cè)量放大器與心電信號(hào)處理電路模擬部分的設(shè)計(jì)
2．4．1 測(cè)量放大器的設(shè)計(jì)
2．4．2 心電信號(hào)處理電路的設(shè)計(jì)
習(xí)題
第3章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路
3．1 數(shù)／模轉(zhuǎn)換器
3．1．1 奈奎斯特速率DAC框圖表示與特性參數(shù)
3．1．2 奈奎斯特速率DAC結(jié)構(gòu)類型與工作原理
3．2 比較器及其特性表示
3．3 ADC基本架構(gòu)與ADc特性參數(shù)
3．3．1 ADC基本架構(gòu)與ADC結(jié)構(gòu)類型
3．3．2 ADC的主要性能參數(shù)
3．4 逐次逼近寄存器型ADC與全平行ADC
3．4．1 逐次逼近寄存器型ADC
3．4．2 全平行ADC
3．5 流水線ADC
3．5．1 流水線ADC結(jié)構(gòu)及其輸入-輸出關(guān)系
3．5．2 采樣／保持電路（S／H電路）
3．5．3 流水線子轉(zhuǎn)換級(jí)
3．5．4 流水線ADC總體架構(gòu)設(shè)計(jì)
3．5．5 流水線ADC行為級(jí)建模與仿真
3．6 ∑-△結(jié)構(gòu)ADC
3．6．1 一階∑-△調(diào)制器
3．6．2 高階噪聲整形∑-△調(diào)制器
3．6．3 ∑-△結(jié)構(gòu)調(diào)制系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)舉例
習(xí)題
第4章 射頻收發(fā)器
4．1 射頻收發(fā)器的構(gòu)成模塊
4．2 混頻器
4．2．1 混頻器的一般原理與鏡頻抑制
4．2．2 復(fù)信號(hào)與復(fù)混頻
4．2．3 復(fù)數(shù)濾波器
4．3 射頻收發(fā)器的體系結(jié)構(gòu)
4．3．1 單通道體系結(jié)構(gòu)
4．3．2 雙通道體系結(jié)構(gòu)
4．4 系統(tǒng)噪聲與噪聲表示
4．5 電路的非線性
4．6 射頻收發(fā)器的性能參數(shù)及其預(yù)算
4．6．1 無線移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
4．6．2 射頻收發(fā)器的主要性能參數(shù)
4．6．3 射頻收發(fā)器性能參數(shù)預(yù)算舉例
4．7 寬帶零中頻接收機(jī)射頻前端建模與仿真
4．7．1 接收機(jī)射頻前端指標(biāo)解讀與總體實(shí)現(xiàn)框圖
4．7．2 接收機(jī)射頻前端元器件選型與參數(shù)預(yù)設(shè)
4．7．3 接收機(jī)射頻前端特性的ADS仿真與射頻芯片組
4．8 基于射頻芯片構(gòu)建射頻收發(fā)器電路
習(xí)題
第5章 開關(guān)電源電路
5．1 EMI濾波器與整流濾波電路
5．1．1 電磁干擾濾波器
5．1．2 大功率二極管與功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
5．1．3 整流與濾波電路
5．1．4 功率因數(shù)校正的基本概念
5．2 DC／DC變換器
5．2．1 非隔離型DC／DC變換器的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
5．2．2 隔離型DC／DC變換器
5．3 反饋控制與開關(guān)電源電路
5．3．1 PWM控制技術(shù)
5．3．2 單級(jí)APFC電路
5．3．3 反激式開關(guān)電源電路的設(shè)計(jì)考慮
習(xí)題
第6章 CMOS模擬集成電路
6．1 PN結(jié)與MOSFET
6．1．1 PN結(jié)與PN結(jié)二極管
6．1．2 MOS晶體管電流控制機(jī)理及其特性曲線的定性說明
6．2 MOS晶體管的電路模型
6．2．1 長(zhǎng)溝道近似下簡(jiǎn)單DC MOS模型
6．2．2 MOS晶體管的交流小信號(hào)電路模型
6．2．3 基于Hspice軟件的NMOS晶體管的直流仿真
6．2．4 MOS晶體管特征頻率fT
6．3 恒流源電路
6．3．1 基本恒流源電路
6．3．2 恒流源輸出電阻及其改進(jìn)
6．4 CMOS集成共源極放大電路
6．4．1 CMOS集成共源極放大電路簡(jiǎn)化分析
6．4．2 cMOS集成共源極放大電路Hspice仿真
6．5 CMOS集成共柵極放大電路
6．6 CMOS集成共漏極放大電路
6．7 CMOS集成共源-共柵極放大電路
6．8 CMOS集成差分放大器
6．8．1 差分放大器的結(jié)構(gòu)與性能參數(shù)
6．8．2 單端輸出差分放大器直流大信號(hào)特性
6．8．3 單端輸出差分放大器小信號(hào)特性分析
6．9 負(fù)反饋放大電路的結(jié)構(gòu)、特性及其穩(wěn)定性
6．9．1 負(fù)反饋放大器的增益及結(jié)構(gòu)類型
6．9．2 負(fù)反饋對(duì)放大器電路性能的影響
6．10 電壓型二級(jí)運(yùn)算放大器
6．10．1 二級(jí)運(yùn)算放大器的增益與頻率特性分析
6．10．2 反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
6．10．3 單端輸出二級(jí)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
6．11 基于開關(guān)電容技術(shù)的∑-△調(diào)制器
6．11．1 開關(guān)電容模擬電阻與開關(guān)電容積分器的基本概念
6．11．2 單環(huán)二階∑-△調(diào)制器
6．12 射頻低噪聲放大器與混頻器簡(jiǎn)介
6．12．1 源端電感負(fù)反饋結(jié)構(gòu)的窄帶低噪聲放大器
6．12．2 吉爾伯特混頻器基本原理
習(xí)題
參考文獻(xiàn)