1緒論（1）
11引言（2）
12MOS器件輻照效應的國內外研究現(xiàn)狀（6）
121國外研究現(xiàn)狀（6）
122國內研究現(xiàn)狀（9）
13本書章節(jié)安排（11）
2應變Si技術及MOS器件輻照效應產生機理（13）
21應變Si技術（14）
211應變硅MOSFET性能增強機理（14）
212應變引入機制（16）
22MOS器件電離效應（21）
221MOS器件電離效應（21）
222MOS器件總劑量損傷機制（22）
23MOS器件單粒子效應（25）
231單粒子效應電荷淀積機理（27）
232單粒子效應電荷收集機理（27）
233單粒子瞬態(tài)效應模型（30）
24本章小結（31）
3單軸應變Si納米溝道MOS器件設計與制造（33）
31應變Si材料（34）
311應變Si材料的能帶結構（34）
312載流子遷移率的增強機制（35）
32單軸應變Si納米溝道MOS器件設計（37）
321SiN薄膜致應變器件性能仿真（37）
322納米級應變MOS器件工藝參數(shù)優(yōu)化（40）
33單軸應變Si納米MOS器件制造（44）
331單軸應變Si納米溝道MOS器件制造工藝及實物樣品（45）
332單軸應變Si納米溝道MOS器件測試結果與分析（50）
34本章小結（52）
4應變Si MOS器件γ射線總劑量輻照損傷機制（53）
41輻照損傷效應總體分析（54）
411移位損傷效應（54）
412電離損傷效應（55）
42應變Si MOS器件γ射線輻照損傷的物理過程（56）
421電子空穴對的產生能量（57）
422初始的空穴逃脫（57）
423空穴的輸運（58）
424深空穴陷落和退火（59）
425輻照引入的界面陷阱（60）
43本章小結（61）
5單軸應變Si納米MOS器件總劑量輻照閾值電壓模型（63）
51總劑量γ射線輻照實驗（64）
52γ射線總劑量輻照MOS器件損傷機制（71）
521總劑量輻照閾值電壓模型（73）
522總劑量輻照溝道電流模型（79）
523模型結果討論與驗證（80）
53總劑量X射線輻照實驗（87）
54本章小結（90）
6總劑量輻照對單軸應變Si納米MOS器件柵電流的研究（91）
61總劑量輻照熱載流子柵電流模型（92）
611總劑量輻照熱載流子柵電流增強機制（92）
612熱載流子柵電流模型（94）
613結果與討論（96）
62總劑量輻照隧穿柵電流模型（101）
621總劑量輻照柵隧穿電流（101）
622結果與討論（108）
63總劑量輻照下襯底熱載流子效應（112）
631襯底熱載流子電流模型的建立（113）
632總劑量輻照下襯底電流的仿真分析（115）
633總劑量輻照下襯底電流的結果與討論（116）
64本章小結（118）
7單軸應變結構對Si NMOS器件單粒子瞬態(tài)影響研究（119）
71單軸應變Si NMOS器件仿真模型（120）
72氮化硅膜的能量阻擋模型建立（123）
73不同氮化硅膜厚度下的單粒子瞬態(tài)（125）
731電離損傷參數(shù)提?。?25）
732不同氮化硅膜厚度下的單粒子瞬態(tài)研究（126）
74雙極效應研究（127）
741單個NMOS器件雙極放大效應研究（127）
742反相器鏈的雙極效應研究（130）
75不同重離子能量下的單粒子瞬態(tài)（134）
751電離損傷參數(shù)提?。?34）
752不同重離子能量下的單粒子瞬態(tài)研究（135）
76本章小結（136）
8應變Si NMOS器件單粒子效應及加固技術研究（137）
82MOS器件單粒子瞬態(tài)效應研究（140）
821器件結構及物理模型（140）
822仿真結果與分析（141）
83總劑量輻照對單粒子瞬態(tài)效應影響（147）
831總劑量效應模型參數(shù)提取（147）
832總劑量效應與單粒子效應耦合仿真（148）
84U形溝槽新型加固器件結構（151）
841新型加固結構（151）
842新型加固器件結構對單粒子瞬態(tài)效應的影響（154）
843漏極擴展加固結構（157）
844源極擴展加固結構（158）
85兩種加固結構的仿真（159）
851漏極擴展結構仿真（159）
852源極擴展結構仿真（162）
853兩種結構的對比和討論（164）
86本章小結（166）
9總結與展望（167）
參考文獻（171）
鄂公網安備 42010302001612號 