微波與光波融合的新一代微電子裝備制造技術(shù)

目 錄
第1章 微電子裝備裝聯(lián)工藝技術(shù)及其發(fā)展歷程\t1
1．1 微電子裝備裝聯(lián)工藝技術(shù)\t1
1．1．1 電子裝備、微電子裝備及新一代微電子裝備\t1
1．1．2 電子裝備制造中的裝聯(lián)工藝技術(shù)\t2
1．2 現(xiàn)代微電子裝備技術(shù)的發(fā)展\t4
1．2．1 現(xiàn)代微電子裝備技術(shù)發(fā)展的特點(diǎn)\t4
1．2．2 新一代微電子裝備的應(yīng)用場(chǎng)景\t6
1．3 新一代微電子裝備裝聯(lián)工藝技術(shù)及其發(fā)展\t6
1．3．1 新一代電子裝備裝聯(lián)工藝技術(shù)\t6
1．3．2 微電子裝備裝聯(lián)工藝安裝技術(shù)的發(fā)展歷程\t7
1．3．3 一代新裝備、一代新設(shè)計(jì)、一代新工藝\t9
第2章 微波與光波的基本物理現(xiàn)象及特性\t11
2．1 微波的基本特性及其應(yīng)用簡(jiǎn)介\t11
2．1．1 電磁波譜及其應(yīng)用\t11
2．1．2 微波的基本概念\t12
2．1．3 微波工程中要解決的核心問(wèn)題\t14
2．1．4 微波應(yīng)用\t15
2．2 光波的產(chǎn)生與光波的基本特性\t20
2．2．1 光的產(chǎn)生與光譜\t20
2．2．2 光波的基本特性\t22
第3章 將光波導(dǎo)入高速數(shù)字信號(hào)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)傳輸光化的意義及應(yīng)用\t30
3．1 信號(hào)及其傳輸特性\t30
3．1．1 兩類不同的信號(hào)\t30
3．1．2 兩類不同的設(shè)備及信號(hào)傳輸問(wèn)題\t31
3．2 在高速數(shù)字信號(hào)傳輸中實(shí)現(xiàn)光化的發(fā)展前景\t32
3．2．1 光波承載高速數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)膬?yōu)點(diǎn)\t32
3．2．2 在高速信號(hào)傳輸中光化的實(shí)現(xiàn)\t32
3．3 光化產(chǎn)業(yè)化的實(shí)施過(guò)程\t34
3．3．1 目前光化的產(chǎn)業(yè)化態(tài)勢(shì)\t34
3．3．2 光化產(chǎn)業(yè)化的實(shí)施過(guò)程\t35
3．3．3 光電子電路組裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化動(dòng)向\t37
第4章 微波與光波融合的新一代微電子裝備用印制電路板\t38
4．1 微波微電子裝備用印制電路板\t38
4．1．1 概述\t38
4．1．2 MWPCB在設(shè)計(jì)中應(yīng)關(guān)注的問(wèn)題\t39
4．1．3 MWPCB的結(jié)構(gòu)工藝性分析\t40
4．1．4 對(duì)MWPCB基材的要求\t42
4．1．5 MWPCB制造工藝簡(jiǎn)介\t47
4．2 光印制布線板與光電印制電路板\t49
4．2．1 概述和背景\t49
4．2．2 光印制布線板的原理、構(gòu)造及應(yīng)用\t49
4．2．3 光電印制電路板結(jié)構(gòu)及其材料與制作成型工藝\t52
第5章 微波與光波能量傳輸裝置\t60
5．1 微波能量傳輸裝置\t60
5．1．1 微波能量傳輸裝置概述\t60
5．1．2 雙導(dǎo)線傳輸線\t62
5．1．3 同軸傳輸線\t63
5．1．4 波導(dǎo)管傳輸線\t65
5．1．5 微帶線\t69
5．1．6 微波天線\t70
5．2 光波能量傳輸裝置\t74
5．2．1 光介質(zhì)波導(dǎo)\t74
5．2．2 光纖\t77
5．2．3 光纖的制造\t82
第6章 微波元器件、微波模塊與微波組件及其應(yīng)用\t84
6．1 集總參數(shù)元件的微波特性\t84
6．1．1 金屬導(dǎo)線\t84
6．1．2 電阻器\t85
6．1．3 電容器\t87
6．1．4 電感器\t88
6．1．5 印刷微波元件\t89
6．2 半導(dǎo)體芯片與微波元器件\t90
6．2．1 半導(dǎo)體芯片核心技術(shù)的發(fā)展軌跡\t90
6．2．2 微波芯片分類\t91
6．2．3 微波IC的應(yīng)用與發(fā)展\t92
6．3 微波封裝技術(shù)與微波模塊\t94
6．3．1 微波封裝技術(shù)\t94
6．3．2 微波模塊\t97
6．3．3 微波組件\t99
6．3．4 微波組件應(yīng)用舉例\t103
第7章 光波元器件與光波組件及其應(yīng)用\t105
7．1 半導(dǎo)體光電器件\t105
7．1．1 半導(dǎo)體光電器件概論\t105
7．1．2 發(fā)光二極管（LED）\t105
7．2 受激輻射器件─光放大器和激光器\t114
7．2．1 受激輻射\t114
7．2．2 光子放大與激光器原理\t115
7．2．3 摻鉺光纖放大器\t116
7．2．4 半導(dǎo)體激光器\t119
7．2．5 垂直腔面發(fā)射激光器\t121
7．2．6 半導(dǎo)體光放大器\t123
7．3 光電探測(cè)器件\t125
7．3．1 p-n結(jié)光電二極管\t125
7．3．2 雪崩光電二極管\t126
7．3．3 光電晶體管\t128
7．4 光模塊\t129
7．4．1 定義和分類\t129
7．4．2 光通信模塊的測(cè)試\t132
第8章 微電子學(xué)焊接技術(shù)\t134
8．1 微電子電路焊接方法\t134
8．1．1 微電子電路連接概述\t134
8．1．2 微電子電路目前流行的連接方法\t134
8．2 微電子電路安裝中常用的幾種焊接方法\t135
8．2．1 熱壓焊\t135
8．2．2 機(jī)械熱脈沖焊\t138
8．2．3 電阻焊\t139
8．2．4 超聲波焊\t141
8．2．5 釬焊\t144
8．2．6 激光焊\t147
8．2．7 電子束焊\t151
8．2．8 其他焊接方法\t153
8．3 半導(dǎo)體器件與微型電路在外殼內(nèi)的安裝及氣密封裝\t154
8．3．1 管芯與外殼的黏結(jié)\t154
8．3．2 半導(dǎo)體器件與微型電路在外殼內(nèi)的安裝\t155
8．3．3 半導(dǎo)體器件與微型電路的氣密封裝\t158
第9章 微波組件的集成與微組裝技術(shù)\t162
9．1 微波組件的集成途徑及其特點(diǎn)\t162
9．1．1 微波組件的定義及應(yīng)用\t162
9．1．2 RF微電子組件的集成封裝路線圖及其特點(diǎn)\t162
9．1．3 微波組件的最優(yōu)集成封裝路線及其特點(diǎn)\t167
9．1．4 裸芯片和KGD及其安裝\t169
9．2 微波組件的組裝技術(shù)\t172
9．2．1 微波組件的組裝特點(diǎn)與方法\t172
9．2．2 微波組件組裝中的關(guān)鍵工序\t173
9．3 微波用底部端子元器件的組裝可靠性\t174
9．3．1 底部端子元器件的定義與分類\t174
9．3．2 底部端子元器件的組裝可靠性問(wèn)題及其形成原因\t176
9．3．3 國(guó)外對(duì)BTC類封裝芯片安裝可靠性的研究試驗(yàn)\t179
9．3．4 改善BTC類芯片封裝焊接可靠性的工藝措施\t183
9．4 微波組件的微組裝工序鏈\t186
9．4．1 微組裝技術(shù)\t186
9．4．2 微波組件微組裝工序鏈的組成\t186
第10章 光組件的微組裝技術(shù)\t194
10．1 光芯片結(jié)構(gòu)及其封裝技術(shù)\t194
10．1．1 光芯片封裝結(jié)構(gòu)及其發(fā)展\t194
10．1．2 光芯片的封裝形式與封裝技術(shù)\t194
10．2 光模塊及其制造技術(shù)\t196
10．2．1 光模塊的定義與結(jié)構(gòu)\t196
10．2．2 光模塊制造技術(shù)\t197
10．3 光電路組件的微組裝技術(shù)\t200
10．3．1 背景\t200
10．3．2 光電路組件的微組裝技術(shù)與工藝\t201
10．3．3 OE模塊的組裝標(biāo)準(zhǔn)\t204
第11章 微波與光波融合的新一代微電子裝備系統(tǒng)集成安裝技術(shù)\t205
11．1 微波與光波融合的新一代微電子裝備系統(tǒng)概論\t205
11．1．1 導(dǎo)言\t205
11．1．2 新一代微電子裝備系統(tǒng)集成技術(shù)\t205
11．1．3 新一代微電子裝備系統(tǒng)集成中的電氣安裝\t206
11．2 影響微波與高速微電子裝備電氣安裝工藝質(zhì)量的因素\t208
11．2．1 影響因素\t208
11．2．2 影響因素分析\t208
11．3 微波與高速微電子裝備的組裝工藝\t211
11．3．1 微波與高速微電子裝備電路組裝的發(fā)展過(guò)程\t211
11．3．2 第三代和第四代微波與高速微電子裝備的組裝工藝特點(diǎn)\t212
11．3．3 微波組件的安裝\t220
11．4 光波系統(tǒng)集成與安裝技術(shù)\t221
11．4．1 光電路組裝\t221
11．4．2 光電裝備安裝技術(shù)的發(fā)展\t222
11．4．3 光電組件的安裝\t222
11．4．4 光電融合的新一代微電子裝備的系統(tǒng)集成與安裝\t225
11．4．5 微波與光波融合的微電子裝備系統(tǒng)集成安裝\t226
11．5 微波與光波融合的微電子裝備系統(tǒng)集成工序鏈\t227
11．5．1 微電子學(xué)與光電子學(xué)的最新技術(shù)成果\t227
11．5．2 射頻及射頻前端微波組件的安裝工序\t227
11．5．3 含中頻之后的基頻部分的安裝工序鏈\t228
第12章 微波與光波融合的新一代微電子裝備安裝中的電磁兼容性\t231
12．1 微波與光波融合的微電子裝備裝聯(lián)中面臨的挑戰(zhàn)\t231
12．1．1 概述\t231
12．1．2 新一代微電子裝備裝聯(lián)中的電磁干擾\t232
12．2 新一代微電子裝備裝聯(lián)中的電磁兼容性問(wèn)題\t234
12．2．1 新一代微電子裝備裝聯(lián)中可能形成的噪聲\t234
12．2．2 消除噪聲的措施\t236
12．2．3 干擾與抗干擾歸納\t237
12．3 導(dǎo)線的干擾與電磁屏蔽\t239
12．3．1 導(dǎo)線的干擾\t239
12．3．2 干擾的電磁屏蔽\t242
12．4 接地\t250
12．4．1 概述\t250
12．4．2 基準(zhǔn)線的結(jié)構(gòu)\t250
12．4．3 接地類型分析\t251
第13章 微波與光波融合的新一代微電子裝備安裝中的熱工問(wèn)題\t254
13．1 新一代微電子裝備安裝中的熱工問(wèn)題\t254
13．1．1 概述\t254
13．1．2 新一代微電子裝備安裝中所用基板材料的熱工特性\t256
13．2 微電子裝備中的熱產(chǎn)生源及其管理\t257
13．2．1 微電子裝備工作時(shí)的熱能分布\t257
13．2．2 熱管理與熱量耗散方法\t260
13．2．3 熱阻與接觸熱阻\t263
13．2．4 熱界面材料\t265
13．3 新一代微電子裝備中冷卻手段的選擇\t266
13．3．1 冷卻手段的選擇\t266
13．3．2 特殊冷卻方式\t270
第14章 微波與光波融合的新一代微電子裝備制造中的質(zhì)量控制\t273
14．1 概論\t273
14．1．1 新一代微電子裝備的工作特點(diǎn)\t273
14．1．2 新一代微電子裝備制造中質(zhì)量控制的重點(diǎn)與方向\t274
14．2 微波組件裝聯(lián)中焊接質(zhì)量控制\t275
14．2．1 微波組件裝聯(lián)中微電子學(xué)焊接質(zhì)量控制分類\t275
14．2．2 常見(jiàn)微波組件裝聯(lián)中的失效類型及其機(jī)理\t276
14．3 新一代微電子裝備系統(tǒng)集成電氣裝聯(lián)的質(zhì)量控制\t282
14．3．1 新一代微電子裝備系統(tǒng)集成電氣裝聯(lián)的特點(diǎn)與工藝構(gòu)成\t282
14．3．2 影響新一代微電子裝備系統(tǒng)集成裝聯(lián)質(zhì)量的主要因素\t282
14．3．3 新一代微電子裝備裝聯(lián)工藝所面臨的挑戰(zhàn)\t286
14．4 新一代微電子裝備制造中的相關(guān)裝聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)\t287
14．4．1 國(guó)外相關(guān)裝聯(lián)類標(biāo)準(zhǔn)\t287
14．4．2 日本光線路板標(biāo)準(zhǔn)化項(xiàng)目\t287
14．5 系統(tǒng)裝聯(lián)中的檢測(cè)技術(shù)及裝備\t289
14．5．1 變焦距立體光學(xué)顯微鏡檢查法\t289
14．5．2 微粒碰撞噪聲檢測(cè)\t289
14．5．3 X-ray檢測(cè)\t290
14．5．4 掃描電鏡與能譜分析\t292
14．5．5 聲波掃描顯微鏡檢測(cè)技術(shù)\t294
14．5．6 紅外熱成像\t297
參考文獻(xiàn)\t299