貼片陶瓷電容器應(yīng)用手冊(cè)

第 1章　貼片陶瓷電容器發(fā)展史簡(jiǎn)介 1
1．1　貼片陶瓷電容器的命名　1
1．2　全球主要MLCC生產(chǎn)商介紹　1
1．3　MLCC發(fā)展歷程簡(jiǎn)介　2
第　2章 電容器的基本概念和定義　3
2．1　電容器定義和介電常數(shù)概念　3
2．2　電容器的充電和放電　4
2．2．1 電容器的充電原理演示　4
2．2．2 電容器的放電原理演示　5
2．3　電容器尺寸小型化能力判定標(biāo)準(zhǔn)　6
2．4　電容器的串并聯(lián)　6
2．4．1 電容器的并聯(lián)　6
2．4．2 電容器的串聯(lián)　6
2．5　復(fù)合絕緣介質(zhì)　7
2．6　絕緣介質(zhì)的極化現(xiàn)象與容值的頻率特性　7
2．6．1 絕緣介質(zhì)中的偶極子及其極化作用　7
2．6．2 容值的頻率特性　9
2．7　絕緣介質(zhì)吸收DA　9
2．7．1 絕緣介質(zhì)吸收的成因　9
2．7．2 絕緣介質(zhì)吸收的測(cè)試方法　11
2．8　II類和III類陶瓷絕緣介質(zhì)的壓電效應(yīng)　11
2．9　絕緣電阻的概念和定義　12
2．9．1 絕緣電阻的測(cè)量方法　12
2．9．2 時(shí)間常數(shù)的概念　13
2．9．3 貼片陶瓷電容器漏電流的換算　14
2．10　耐電壓DWV的概念和定義　14
2．10．1 擊穿電壓BDV　14
2．10．2 電暈電壓　15
2．10．3 MLCC的額定電壓　16
2．10．4 耐電壓DWV的測(cè)試方法　16
2．11　介質(zhì)損耗的概念和定義　16
2．11．1 阻抗形成的三要素　16
2．11．2 損耗的降額特性　19
2．11．3 介質(zhì)損耗因數(shù)　20
2．11．4 Q 值　21
2．11．5 損耗的頻率特性　23
2．12　內(nèi)能和外力　23
2．12．1 內(nèi)能　23
2．12．2 電磁場(chǎng)作用力　24
2．12．3 靜電場(chǎng)中的作用力　24
2．13　與電容器有關(guān)的功率概念　25
2．13．1 電容器上電流與電壓之間的相位角　25
2．13．2 電容器的功率損耗　25
2．13．3 電容器的功率因數(shù)　25
2．14　電容器的基本性質(zhì)及在電路中的作用　25
2．14．1 電容器的兩個(gè)基本功能　25
2．14．2 儲(chǔ)能　26
2．14．3 平滑　26
2．14．4 耦合　26
2．14．5 去耦　27
2．14．6 調(diào)諧　28
2．14．7 振蕩　28
2．14．8 分壓　28
2．14．9 計(jì)時(shí)　29
第3章　靜電電容器構(gòu)造方案簡(jiǎn)介　30
3．1　靜電電容器常用構(gòu)造方案簡(jiǎn)介　30
3．2　疊層結(jié)構(gòu)　30
3．3　卷繞結(jié)構(gòu)　31
3．4　擴(kuò)大表面積　31
3．5　電極間距最小化　32
3．6　絕緣介質(zhì)材料選擇較高的介電常數(shù)　32
3．7　金屬化工藝　32
3．8　熱處理/收縮　35
3．9　浸漬/電壓分布　35
3．10　密封封裝　36
3．11　環(huán)氧樹脂包封　36
3．12　四端子連接　37
3．13　阻燃性　37
第4章　貼片陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)組成及生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)介　38
4．1　陶漿制帶工藝簡(jiǎn)介　38
4．2　貼片陶瓷電容器燒結(jié)工藝簡(jiǎn)介　39
4．3　NME和BME制程介紹　40
4．4　MLCC生產(chǎn)工藝流程簡(jiǎn)介　41
4．4．1 MLCC生產(chǎn)流程　41
4．4．2 MLCC各個(gè)生產(chǎn)工序簡(jiǎn)要說明及可能誘發(fā)的品質(zhì)問題　43
第5章　MLCC陶瓷絕緣介質(zhì)分類及溫度特性介紹　52
5．1　陶瓷絕緣介質(zhì)溫度特性的定義和分類　52
5．2　陶瓷絕緣介質(zhì)溫度特性類別代碼　52
5．2．1 I類陶瓷絕緣介質(zhì)的定義及溫度特性代碼（EIA標(biāo)準(zhǔn)）　53
5．2．2 I類陶瓷絕緣介質(zhì)溫度系數(shù)極限值的換算（EIA標(biāo)準(zhǔn)）　54
5．2．3 I類陶瓷絕緣介質(zhì)定義及溫度特性代碼（IEC標(biāo)準(zhǔn)）　56
5．2．4 I類陶瓷絕緣介質(zhì)容值變化允許偏差（IEC標(biāo)準(zhǔn)）　56
5．2．5 I類陶瓷介質(zhì)的燒結(jié)收縮率和介質(zhì)吸收　58
5．2．6 高頻元件（HF chips）中高精密陶瓷絕緣介質(zhì)的應(yīng)用　58
5．2．7 II類陶瓷絕緣介質(zhì)定義（EIA標(biāo)準(zhǔn)）　58
5．2．8 III類陶瓷絕緣介質(zhì)定義（EIA標(biāo)準(zhǔn)）　59
5．2．9 IV類陶瓷絕緣介質(zhì)定義（EIA標(biāo)準(zhǔn)）　59
5．2．10 II、III類陶瓷絕緣介質(zhì)的溫度特性代碼及容值允許變量（EIA標(biāo)準(zhǔn)）　59
5．2．11 II類陶瓷絕緣介質(zhì)的溫度系數(shù)和偏差（IEC標(biāo)準(zhǔn)）　60
5．2．12 MLCC常用陶瓷絕緣介質(zhì)代碼及溫度系數(shù)　60
第6章　陶瓷絕緣介質(zhì)的電氣特性介紹　62
6．1　陶瓷絕緣介質(zhì)的溫度特性　62
6．1．1 容值和損耗因數(shù)的溫度特性　62
6．1．2 陶瓷絕緣介質(zhì)的絕緣電阻的溫度特性　70
6．2　陶瓷絕緣介質(zhì)的頻率特性　71
6．2．1 容值和損耗因數(shù)的頻率特性　71
6．2．2 陶瓷絕緣介質(zhì)和阻抗的頻率特性　83
6．2．3 陶瓷絕緣介質(zhì)電抗的頻率特性　97
6．2．4 陶瓷絕緣介質(zhì)等效串聯(lián)電感的頻率特性　100
6．3　陶瓷絕緣介質(zhì)的電壓特性　103
6．3．1 陶瓷絕緣介質(zhì)的直流偏壓特性　103
6．3．2 陶瓷絕緣介質(zhì)的交流電壓特性　107
6．4　陶瓷絕緣介質(zhì)的紋波電流發(fā)熱特性　110
6．4．1 紋波電流發(fā)熱特性測(cè)試方法　110
6．4．2 C0G（NP0）紋波電流發(fā)熱特性　111
6．4．3 X7R的紋波電流發(fā)熱特性　111
6．4．4 X5R的紋波電流發(fā)熱特性　112
6．4．5 Y5V的紋波電流發(fā)熱特性　113
6．5　II類和III類陶瓷絕緣介質(zhì)的老化特性　113
6．5．1 老化原理　113
6．5．2 老化規(guī)律　113
6．5．3 容值測(cè)量和容值偏差　115
6．5．4 容值測(cè)量前的特殊預(yù)處理　115
6．6　S-參數(shù)數(shù)據(jù)　116
6．6．1 S-參數(shù)測(cè)試方法　116
6．6．2 C0G的S-參數(shù)曲線　118
6．6．3 X7R的S-參數(shù)曲線　122
6．6．4 X5R的S-參數(shù)曲線　124
6．6．5 Y5V的S-參數(shù)曲線　127
6．7　II類和III類陶瓷絕緣介質(zhì)的壓電特性　129
6．7．1 壓電特性原理介紹　129
6．7．2 壓電陶瓷介紹　129
6．7．3 壓電特性對(duì)MLCC的影響　129
第7章　貼片陶瓷電容器規(guī)格描述　130
7．1　MLCC尺寸規(guī)格介紹　130
7．1．1 公制與英制換算關(guān)系　130
7．1．2 MLCC長(zhǎng)與寬的偏差　130
7．1．3 端電極寬度　130
7．1．4 MLCC尺寸的IEC標(biāo)準(zhǔn)　131
7．1．5 MLCC尺寸的各大廠家標(biāo)準(zhǔn)　131
7．2　MLCC容值優(yōu)先數(shù)系和容值代碼的
引用標(biāo)準(zhǔn)　132
7．2．1 E系列先值數(shù)系定義　132
7．2．2 MLCC容值偏差與E優(yōu)先數(shù)系的對(duì)應(yīng)關(guān)系　134
7．2．3 MLCC容值代碼定義　135
7．2．4 MLCC容值優(yōu)先值定義　136
7．3　MLCC額定電壓優(yōu)先數(shù)系和額定電壓代碼的引用標(biāo)準(zhǔn)　139
7．3．1 R系列優(yōu)先數(shù)系定義　139
7．3．2 額定電壓優(yōu)先數(shù)系　139
7．3．3 額定電壓代碼　139
7．4　類別概念　140
7．5　MLCC各尺寸規(guī)格的容值和電壓設(shè)計(jì)范圍查詢表　141
7．6　MLCC儲(chǔ)存條件　160
第8章　MLCC的測(cè)試和測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)　161
8．1　通用規(guī)范　161
8．2　通用標(biāo)準(zhǔn)大氣壓條件　162
8．2．1 測(cè)試和測(cè)量大氣條件　162
8．2．2 測(cè)試樣品恢復(fù)條件　162
8．2．3 推薦條件　163
8．2．4 參考條件　163
8．3　通用預(yù)處理　163
8．3．1 測(cè)試樣品的預(yù)干燥（適用于I類陶瓷電容器）　163
8．3．2 測(cè)試樣品的預(yù)處理　163
8．4　通用貼裝焊接　163
8．4．1 測(cè)試基板　163
8．4．2 波峰焊　165
8．4．3 回流焊　165
8．5　容值測(cè)試　165
8．5．1 通用描述　165
8．5．2 測(cè)試樣品的預(yù)處理　165
8．5．3 測(cè)試條件　165
8．5．4 容值測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　166
8．6　損耗因數(shù)　166
8．6．1 通用描述　167
8．6．2 測(cè)試樣品的預(yù)處理　167
8．6．3 tan （DF）的測(cè)試條件　167
8．6．4 tan （DF）測(cè)試的判定標(biāo)準(zhǔn)　167
8．7　絕緣電阻　176
8．7．1 通用描述　176
8．7．2 測(cè)試前預(yù)處理　176
8．7．3 絕緣電阻的測(cè)試條件　176
8．7．4 測(cè)試點(diǎn)的選擇　177
8．7．5 外部絕緣測(cè)試方法　178
8．7．6 絕緣電阻 測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　179
8．8　耐電壓　182
8．8．1 通用描述　182
8．8．2 測(cè)試電路（兩個(gè)端電極之間）　183
8．8．3 測(cè)試方法　183
8．8．4 耐電壓測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　184
8．9　擊穿電壓測(cè)試　185
8．9．1 通用描述　185
8．9．2 BDV測(cè)試條件　185
8．9．3 BDV測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　185
8．10　阻抗　186
8．10．1 通用描述　186
8．10．2 阻抗測(cè)試方法　186
8．10．3 阻抗測(cè)試條件　186
8．10．4 阻抗測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　187
8．11　自諧振頻率和等效串聯(lián)電感　187
8．11．1 通用描述　187
8．11．2 等效串聯(lián)電感　187
8．11．3 測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　187
8．12　等效串聯(lián)電阻　187
8．12．1 通用描述　187
8．12．2 測(cè)試樣品的預(yù)處理　188
8．12．3 測(cè)試條件　188
8．12．4 測(cè)試儀器要求　188
8．12．5 測(cè)試方法　188
8．12．6 ESR測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　188
8．13　容值溫度特性　188
8．13．1 測(cè)試樣品的預(yù)處理　188
8．13．2 初始測(cè)量　189
8．13．3 測(cè)試步驟　189
8．13．4 測(cè)試方法　189
8．13．5 溫度系數(shù) 和溫度循環(huán)下容值變化比的計(jì)算方法　189
8．13．6 溫度系數(shù)測(cè)試的判定標(biāo)準(zhǔn)　190
8．14　壽命測(cè)試　191
8．14．1 一般描述　191
8．14．2 測(cè)試樣品的預(yù)處理　191
8．14．3 初始測(cè)試　191
8．14．4 測(cè)試條件　191
8．14．5 測(cè)試樣品的放置　192
8．14．6 測(cè)試樣品的恢復(fù)　192
8．14．7 壽命測(cè)試最終判定標(biāo)準(zhǔn)　192
8．15　介質(zhì)吸收　194
8．15．1 測(cè)試步驟　194
8．15．2 判定標(biāo)準(zhǔn)　194
8．16　加速壽命測(cè)試　195
8．16．1 一般描述　195
8．16．2 壽命測(cè)試和加速壽命測(cè)試條件　195
8．16．3 壽命測(cè)試和加速壽命測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　195
8．17　外觀檢查　196
8．17．1 外觀檢查條件　196
8．17．2 外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)　196
8．18　抗彎曲測(cè)試　197
8．18．1 測(cè)試目的和一般描述　197
8．18．2 測(cè)試基板　197
8．18．3 預(yù)處理　198
8．18．4 貼裝焊接　198
8．18．5 初始測(cè)量　198
8．18．6 抗彎測(cè)試方法　198
8．18．7 測(cè)試樣品恢復(fù)　199
8．18．8 抗彎測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　199
8．19　端電極附著力測(cè)試　200
8．19．1 測(cè)試的目的和一般描述　200
8．19．2 測(cè)試基板　200
8．19．3 預(yù)處理　200
8．19．4 貼裝焊接　200
8．19．5 初始測(cè)量　201
8．19．6 端電極附著力測(cè)試方法　201
8．19．7 端電極附著力測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　202
8．20　斷裂強(qiáng)度測(cè)試　202
8．20．1 通用描述　202
8．20．2 測(cè)試方法　202
8．20．3 斷裂強(qiáng)度測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　203
8．21　抗震測(cè)試　203
8．21．1 通用描述　203
8．21．2 貼裝焊接　203
8．21．3 測(cè)試方法　203
8．21．4 中期測(cè)試　204
8．21．5 抗震測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　204
8．22　焊錫性測(cè)試　204
8．22．1 通用描述　204
8．22．2 測(cè)試樣品的預(yù)處理　204
8．22．3 加速老化　204
8．22．4 初始檢查　205
8．22．5 焊錫槽測(cè)試法（適合于0603/0805/1206）　205
8．22．6 回流焊測(cè)試法　207
8．22．7 MLCC廠家采用的焊錫性測(cè)試方法和條件　209
8．22．8 焊錫性測(cè)試后測(cè)試樣品的恢復(fù)　209
8．22．9 焊錫性測(cè)試完成后最終判定標(biāo)準(zhǔn)　209
8．23　抗焊熱沖擊測(cè)試　210
8．23．1 通用描述　210
8．23．2 測(cè)試樣品的預(yù)處理　210
8．23．3 初始檢查　210
8．23．4 焊錫槽測(cè)試法（適合于0603/0805/1206）　210
8．23．5 回流焊測(cè)試法　212
8．23．6 抗焊熱沖擊測(cè)試后測(cè)試樣品的恢復(fù)　214
8．23．7 抗焊熱沖擊測(cè)試完成后最終判定標(biāo)準(zhǔn)　214
8．24　錫爆測(cè)試　215
8．24．1 通用描述　215
8．24．2 測(cè)試條件　215
8．24．3 錫爆測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　215
8．25　沾錫天平測(cè)試　216
8．25．1 通用描述　216
8．25．2 測(cè)試裝置說明　216
8．25．3 測(cè)試樣品的預(yù)處理　217
8．25．4 測(cè)試材料　217
8．25．5 測(cè)試步驟　218
8．25．6 沾錫天平測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　218
8．26　耐溫度急劇變化測(cè)試　219
8．26．1 一般描述　219
8．26．2 預(yù)處理　219
8．26．3 初始測(cè)量　219
8．26．4 測(cè)試方法　219
8．26．5 最終測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　221
8．27　氣候變化連續(xù)性測(cè)試　222
8．27．1 一般描述　222
8．27．2 測(cè)試樣品的預(yù)處理　222
8．27．3 初始測(cè)量　222
8．27．4 干熱測(cè)試　222
8．27．5 第 一次濕熱循環(huán)測(cè)試　223
8．27．6 低溫測(cè)試　226
8．27．7 第二次濕熱循環(huán)測(cè)試　228
8．27．8 氣候變化連續(xù)性測(cè)試的恢復(fù)　229
8．27．9 氣候變化連續(xù)性測(cè)試最終檢驗(yàn)判定標(biāo)準(zhǔn)　229
8．28　穩(wěn)態(tài)濕熱測(cè)試　229
8．28．1 一般描述　229
8．28．2 測(cè)試室和測(cè)試系統(tǒng)介紹　231
8．28．3 測(cè)試樣品的預(yù)處理　231
8．28．4 測(cè)試樣品的初始測(cè)量　231
8．28．5 測(cè)試條件嚴(yán)苛程度　231
8．28．6 測(cè)試步驟　232
8．28．7 測(cè)試樣品的中期測(cè)試　232
8．28．8 測(cè)試樣品的恢復(fù)　232
8．28．9 最終測(cè)量判定標(biāo)準(zhǔn)　232
8．29　機(jī)械沖擊測(cè)試　234
8．29．1 通用描述　234
8．29．2 測(cè)試設(shè)備　234
8．29．3 貼裝焊接　234
8．29．4 測(cè)試樣品的預(yù)處理　235
8．29．5 測(cè)試方法　235
8．29．6 機(jī)械沖擊測(cè)試判定標(biāo)準(zhǔn)　235
8．30　破壞性物理分析　235
8．30．1 破壞性物理分析（DPA，Destructive Physical Analysis）的適用范圍和目的　235
8．30．2 MLCC破壞性物理分析（DPA）的術(shù)語　236
8．30．3 DPA分析的步驟和方法　237
8．30．4 拋光后樣品的微觀判定　242
第9章　MLCC質(zhì)量評(píng)審　248
9．1　MLCC質(zhì)量評(píng)審一般要求　248
9．1．1 確認(rèn)MLCC制造初級(jí)階段　248
9．1．2 MLCC屬于結(jié)構(gòu)近似性元件　248
9．1．3 發(fā)布批次的記錄證明　248
9．2　資格承認(rèn)　248
9．2．1 資格承認(rèn)的一般要求　248
9．2．2 基于固定樣本量的資格承認(rèn)流程　249
9．2．3 關(guān)于資格承認(rèn)的系列完整測(cè)試　250
9．3　質(zhì)量合格檢驗(yàn)　251
9．3．1 檢驗(yàn)批次的形成　251
9．3．2 測(cè)試抽樣計(jì)劃　251
9．3．3　評(píng)審標(biāo)準(zhǔn)　252
第　10章 元件壽命和可靠性的相關(guān)理論　253
10．1　設(shè)計(jì)選型時(shí)對(duì)元件使用壽命的評(píng)估　253
10．2　加速壽命測(cè)試?yán)碚摷皯?yīng)用　253
10．2．1 加速壽命測(cè)試的由來　253
10．2．2 加速壽命測(cè)試（HALT）介紹　254
10．2．3 加速壽命測(cè)試（HALT）理論　254
10．2．4 HALT實(shí)驗(yàn)結(jié)果　257
10．2．5 HALT測(cè)試流程　257
10．2．6 HALT測(cè)試結(jié)果說明　257
10．2．7 HALT測(cè)試結(jié)論　258
10．2．8 加速壽命測(cè)試?yán)碚摰膽?yīng)用　258
10．3　失效率和既設(shè)可靠性　259
10．3．1 失效率和平均故障間隔時(shí)間　259
10．3．2 測(cè)試中出現(xiàn)的失效率　259
10．3．3 元件失效率概念　260
10．3．4 電容器元件的失效模式　263
10．3．5 第二貨源　263
10．4　標(biāo)準(zhǔn)值、最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)偏差　263
第　11章 MLCC常見客戶投訴及失效模式分析　265
11．1　機(jī)械性能方面投訴　265
11．1．1 尺寸不良　265
11．1．2 外觀不良　266
11．2　貼片焊接方面投訴　273
11．2．1 拋料不良　273
11．2．2 焊錫性不良　283
11．2．3 焊接后端頭脫落（附著力不良）　291
11．2．4 焊接后斷裂　292
11．2．5 鍍層浸析不良　296
11．2．6 錫球錫珠不良（錫爆現(xiàn)象）　297
11．2．7 豎件不良（立碑效應(yīng)）　299
11．3　電氣性能方面投訴　299
11．3．1 容值不良　299
11．3．2 DF或Q值不良　302
11．3．3 漏電和燒板（絕緣電阻不良）　303
11．3．4 耐壓不良（被擊穿）　316
11．3．5 異響（嘯叫）　320
11．4　有害物質(zhì)管控方面投訴　322
11．4．1 ROHS要求　322
11．4．2 REACH要求　323
11．4．3 MLCC物質(zhì)安全資料表MSDS　324
11．4．4 SVHC高關(guān)注物質(zhì)　324
11．4．5 無鹵要求　325
第　12章 MLCC在電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用知識(shí)　326
12．1　設(shè)計(jì)選型時(shí)需要考慮的性能和參數(shù)　326
12．1．1 MLCC應(yīng)用類別選擇　326
12．1．2 MLCC陶瓷絕緣介質(zhì)選擇　327
12．1．3 MLCC容值選擇　334
12．1．4 MLCC額定電壓選擇　336
12．1．5 MLCC尺寸選擇　336
12．2　用錯(cuò)額定電壓對(duì)MLCC使用壽命影響的評(píng)估方法　337
12．2．1 近似推算方法　337
12．2．2 利用加速壽命理論推算　338
12．2．3 應(yīng)用舉例　339
12．3　關(guān)于DC額定電壓MLCC的AC功率計(jì)算　339
12．4　PCB設(shè)計(jì)如何避免擊穿現(xiàn)象發(fā)生　342
12．5　應(yīng)對(duì)MLCC斷裂問題的選型推介　344
12．5．1 柔性端電極產(chǎn)品　344
12．5．2 疊層開路模式設(shè)計(jì)產(chǎn)品　345
12．6　關(guān)于ESR的損耗系數(shù)　346
12．7　電容器ESR測(cè)量技巧　347
12．7．1 ESR測(cè)試方法　347
12．7．2 ESR測(cè)試裝置　347
12．7．3 影響ESR測(cè)量的因素　348
12．8　如何理解絕緣電阻IR　348
12．8．1 IR的組成分析　348
12．8．2 IR的測(cè)量原理　349
12．8．3 影響IR的因素　349
12．8．4 IR在應(yīng)用中需考量的因素　350
12．9　MLCC耦合交流和阻截直流應(yīng)用　350
12．9．1 耦合應(yīng)用的基本要求　350
12．9．2 凈阻抗　351
12．9．3 插入損耗S21　351
12．9．4 ESR和品質(zhì)因數(shù)Q　352
12．10　MLCC的旁路應(yīng)用　352
12．10．1 旁路應(yīng)用的基本要求　352
12．10．2 相關(guān)術(shù)語　352
12．10．3 應(yīng)用舉例　353
12．10．4 漏極偏置網(wǎng)絡(luò)　353
12．11　高Q電容器的匹配應(yīng)用　354
12．11．1 匹配應(yīng)用的作用　354
12．11．2 將高Q電容設(shè)計(jì)成匹配網(wǎng)絡(luò)的原因　355
12．11．3 應(yīng)用舉例　355
12．11．4 可靠性　356
縮寫　357