第三代半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用

定　價(jià)：￥128.00

作　者：	姚玉，洪華編
出版社：	暨南大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：	中國(guó)芯片制造系列
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787566832382	出版時(shí)間：	2021-12-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	330	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)為“中國(guó)芯片制造系列”的第二本，是一本系統(tǒng)地闡述碳化硅半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)和加工工藝的專(zhuān)著，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域書(shū)籍對(duì)于近期碳化硅制造工藝新技術(shù)及進(jìn)展介紹的空白。本書(shū)較為全面地闡述了不同晶型的碳化硅從長(zhǎng)晶、襯底制造、外延制造全流程的生產(chǎn)技術(shù)，展現(xiàn)了國(guó)內(nèi)外碳化硅制造領(lǐng)域近期的發(fā)展成果，論述了碳化硅材料的熱力學(xué)性質(zhì)、生長(zhǎng)原理、晶體摻雜和缺陷控制等相關(guān)基礎(chǔ)理論，以及生長(zhǎng)數(shù)據(jù)建模、測(cè)試表征等各方面知識(shí)，介紹了碳化硅上的氮化鎵生長(zhǎng)、碳化硅材料加工與封裝關(guān)鍵工藝和碳化硅器件在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用、前景及發(fā)展趨勢(shì)等知識(shí)，是讀者全面了解第三代半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)的重要參考。

作者簡(jiǎn)介

　　姚玉，博士畢業(yè)于加拿大不列顛哥倫比亞大學(xué)，多年來(lái)專(zhuān)注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝制程材料、工藝及理論的研究，對(duì)于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝中運(yùn)用的多種關(guān)鍵的鍍層材料以及制程的工藝整合及芯片制造、管理有著豐富的經(jīng)驗(yàn)。參與主編《芯片先進(jìn)封裝制造》一書(shū)，是近年來(lái)第一本芯片領(lǐng)域系統(tǒng)性講述新先進(jìn)封裝制造工藝的專(zhuān)業(yè)圖書(shū)。洪華，東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、國(guó)家示范性微電子學(xué)院、MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室助理教授。曾入選2020年江蘇省“雙創(chuàng)計(jì)劃”，2013、2015年兩次入選美國(guó)能源部普林斯頓CEFRC學(xué)者，2015年被選為美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金REU項(xiàng)目導(dǎo)師，2020年入選東南大學(xué)紫金學(xué)者。

圖書(shū)目錄

序言（張汝京）
前言
1 概述
1．1 碳化硅的歷史和性質(zhì)
1．2 碳化硅的應(yīng)用及材料要求
1．3 碳化硅材料在應(yīng)用中的注意事項(xiàng)
1．3．1 電子器件
1．3．2 微機(jī)電系統(tǒng)
1．4 碳化硅的主要生長(zhǎng)方法
1．4．1 籽晶升華生長(zhǎng)
1．4．2 高溫化學(xué)氣相沉積
1．4．3 鹵化物化學(xué)氣相沉積
1．4．4 改良版的物理氣相傳輸
1．4．5 連續(xù)進(jìn)料物理氣相傳輸
1．4．6 頂部籽晶液相生長(zhǎng)
1．4．7 碳化硅外延層技術(shù)的發(fā)展
1．5 新潁趨勢(shì)和未來(lái)發(fā)展
2 碳化硅材料生長(zhǎng)的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技術(shù)
2．2．1 生長(zhǎng)過(guò)程可視化
2．2．2 晶體表征
2．3 物理氣相傳輸
2．3．1 簡(jiǎn)介及熱力學(xué)性質(zhì)
2．3．2 生長(zhǎng)過(guò)程控制
2．3．3 碳化硅原料制備
2．3．4 碳化硅籽晶及其安裝
2．3．5 晶體形狀控制
2．3．6 晶體應(yīng)力控制
2．3．7 氣相組成對(duì)晶體的影響
2．3．8 保證晶型穩(wěn)定生長(zhǎng)的方法
2．3．9 摻雜
2．3．1 0終止生長(zhǎng)過(guò)程
2．3．1 1通過(guò)生長(zhǎng)參數(shù)定制晶體特性
2．4 高溫化學(xué)氣相沉積
2．4．1 化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)介
2．4．2 高溫化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)介
2．4．3 實(shí)驗(yàn)裝置
2．4．4 提高生長(zhǎng)速率的措施
2．4．5 晶體質(zhì)量與生長(zhǎng)條件分析
2．4．6 氮摻雜效率
2．5 液相生長(zhǎng)
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷種類(lèi)
2．6．2 缺陷的產(chǎn)生、演化以及減少
2．7 摻雜
2．7．1 摻雜問(wèn)題
2．7．2 摻雜對(duì)基矢面位錯(cuò)演化的影響
2．7．3 摻雜對(duì)晶格硬度變化的影響
2．7．4 摻雜對(duì)費(fèi)米能級(jí)的影響
……
3 碳化硅外延薄膜生長(zhǎng)
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積
5 碳化硅襯底上的氮化鎵生長(zhǎng)
6 碳化硅加工工藝
7 碳化硅封裝工藝
8 碳化硅應(yīng)用前景及發(fā)展趨勢(shì)
9 結(jié)語(yǔ)
參考文獻(xiàn)
附錄本書(shū)主要名詞英漢對(duì)照表