Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管：從紫外到綠光（英文版）

定　價：￥149.00

作　者：	周圣軍，劉勝著
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787030724694	出版時間：	2022-06-01	包裝：	精裝
開本：	16開	頁數(shù)：	239	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　《Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管：從紫外到綠光（英文版）》面向世界科技前沿和國家重大需求，針對高效率Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計和制造的關(guān)鍵問題，基于作者在III族氮化物L(fēng)ED外延生長和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，融入國內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍(lán)光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計與材料生長、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計與制造工藝、LED失效機(jī)理與可靠性這三個方面系統(tǒng)闡述Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計和制造技術(shù)?！　盯笞宓锇l(fā)光二極管：從紫外到綠光（英文版）》共六章，第一章對Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的發(fā)展歷程、工作原理和物性參數(shù)進(jìn)行了全面的介紹；第二章詳細(xì)闡述了藍(lán)光/綠光/紫外LED外延生長工藝；第三章介紹高效率水平結(jié)構(gòu)LED芯片制造工藝；第四章介紹倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片制造技術(shù)，對高反射率、低阻歐姆接觸p型電極和通孔接觸n型電極進(jìn)行了詳細(xì)的闡述；第五章介紹高壓LED芯片、垂直結(jié)構(gòu)LED芯片和Mini/Micro-LED芯片制造工藝；第六章介紹LED芯片失效機(jī)理和LED光學(xué)、電學(xué)、色度學(xué)參數(shù)在線測試方法。

作者簡介

暫缺《Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管：從紫外到綠光（英文版）》作者簡介

圖書目錄

Contents
1　Physics of ni-Nitnde Light-Emitting Diodes　1
1.1　History of III-Nitride LEDs　1
1.2　Mechanisms of Di-Nitride LEDs　2
1.3　Radiative Recombination and Non-radiative Recombination　4
1.4　Internal Quantum Efficiency　5
1.5　Light Extraction Efficiency and External Quantum Efficiency　9
References　10
2　Epitaxial Growth of III-Nitride LEDs　13
2.1　III-Nitride Blue LEDs　13
2.2　III-Nitride Green LEDs　19
2.2.1　InGaN/GaN Superlattice 19
2.2.2　Stacked GaN/AIN Last Quantum Barrier　36
2.3　III-Nitride Ultraviolet LEDs　41
2.3.1　Sputtered AIN Nucleation Layer　41
2.3.2　Effect of PSS onUYLED　57
2.3.3　Patterned Sapphire with Silica Array　61
2.3.4　Isoelectronic Doping　67
2.3.5　InAIGaN/AIGaN Electron Blocking Layer　74
2.3.6　Graded Al-Content AlGaN Insertion Layer　78
Referencces　82
3　High-Efficiency Top-Emitting III-Nitride LEDs　91
3.1　Light Extraction Microstructure　91
3.1.1　PSS and Patterned ITO　91
3.1.2　Double Layer ITO　96
3.1.3　3D Patterned ITO and Wavy Sidewalls　99
3.1.4　Roughened Sidewalls　102
3.1.5　Air Voids Structure　107
3.2　Current Blocking Layer　112
3.2.1　SiO2 Current Blocking Layer　112
3.2.2　Patterned Current Blocking Layer　117
3.2.3　Reflective Current Blocking Layer　122
3.3　Back Reflector　125
3.4　Low Optical Loss Electrode Structure　135
3.5　Ni/Au Wire Grid Transparent Conductive Electrodes　142
Referencces　147
4.1　Via-Hole-Based Two-Level Metallization Electrodes　151
4.2　Dielectric DBR　158
4.3　Comparison of Flip-Chip LEDs and Top-Emitting LEDs　161
4.4　Ag/TiW， Ni/Ag and ITO/DBR Ohmic Contacts　164
4.5　High-Power Flip-Chip LEDs　175
4.6　Double-Layer Electrode and Hybrid Reflector　180
4.7　Mini/Micro-LED　184
4.7.1　Prism-Structured Sidewall of Mini-LED　184
4.7.2　Light Extraction Analysis of Micro-LED　186
Referencces　190
5　High Voltage and Vertical LEDs　193
5.1　Direct Current High Voltage LED　193
5.2　Alternating Current High Voltage LED　199
5.3　Comparison of DC-HV LED and AC-HV LED　201
5.4　Vertical LEDs　203
References　215
6　Device Reliability and Measurement　217
6.1　Influence of Dislocation Density on Device Reliability　217
6.2　Forward Leakage Current　219
6.3　Reverse Leakage Current　222
6.4　Pad Luster Consistency　225
6.5　Transient Measurement of LED Characteristic Parameters References　230