電子線路：線性部分（第6版）

第1章 二極管
1.1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識
1.1.1 本征半導(dǎo)體
1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.1.3 兩種導(dǎo)電機(jī)理——漂移和擴(kuò)散
1.1.4 小結(jié)
1.2 PN結(jié)
1.2.1 動(dòng)態(tài)平衡下的PN結(jié)
1.2.2 PN結(jié)的伏安特性
1.2.3 PN結(jié)的擊穿特性
1.2.4 PN結(jié)的溫度特性
1.2.5 PN結(jié)的電容特性
1.2.6 PN結(jié)的開關(guān)特性
1.2.7 小結(jié)
1.3 二極管電路的分析方法
1.3.1 二極管模型
1.3.2 二極管電路分析方法
1.4 二極管的應(yīng)用
1.4.1 整流與穩(wěn)壓電路
1.4.2 限幅和鉗位電路
1.4.3 二極管與門、或門
1.5 其他二極管
1.5.1 肖特基表面勢壘二極管
1.5.2 光電轉(zhuǎn)換類二極管
習(xí)題
附錄 Multisim電路分析
第2章 晶體三極管
2.1 晶體三極管的工作原理
2.1.1 內(nèi)部載流子的傳輸過程
2.1.2 電流傳輸方程
2.2 晶體三極管模型
2.2.1 埃伯斯-莫爾模型
2.2.2 晶體三極管的共射等效電路模型
2.2.3 晶體三極管的伏安特性曲線
2.2.4 晶體三極管的頻率參數(shù)
2.3 晶體三極管電路的分析方法
2.3.1 圖解分析法
2.3.2 等效電路分析法
2.4 晶體三極管的應(yīng)用原理
2.4.1 電流源
2.4.2 放大器
2.4.3 跨導(dǎo)線性電路
2.4.4 TTL電路
2.5 集成工藝
2.5.1 集成工藝的標(biāo)準(zhǔn)流程
2.5.2 集成元器件
2.5.3 集成元器件的特點(diǎn)
2.5.4 SiGe-HBT工藝
習(xí)題
附錄 Multisim電路分析
第3章 場效應(yīng)管
3.1 MOS場效應(yīng)管
3.1.1 EMOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
3.1.2 EMOS場效應(yīng)管的工作原理
3.1.3 EMOS場效應(yīng)管的特性
3.1.4 耗盡型MOS（DMOS）場效應(yīng)管
3.1.5 場效應(yīng)管等效電路
3.1.6 EKV MOS晶體管模型
3.1.7 BSIM3模型
3.1.8 場效應(yīng)管器件小結(jié)
3.2 結(jié)型場效應(yīng)管
3.2.1 工作原理
3.2.2 伏安特性曲線
3.3 場效應(yīng)管和雙極型管的比較
3.4 場效應(yīng)管的應(yīng)用原理
3.4.1 有源電阻
3.4.2 MOS開關(guān)
3.4.3 邏輯門電路
3.5 集成工藝
3.5.1 標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝
3.5.2 BiCMOS工藝
習(xí)題
附錄 Multisim電路分析
第4章 放大器基礎(chǔ)
4.1 放大器的基本概念
4.1.1 放大的原理和實(shí)質(zhì)
4.1.2 放大器的性能指標(biāo)
4.2 基本放大器
4.2.1 共源、共柵和共漏放大器的性能
4.2.2 共射、共基和共集放大器的性能
4.2.3 集成M0S放大器
4.2.4 組合放大器
4.2.5 電壓放大器增益的等效算法
4.3 差分放大器
4.3.1 電路結(jié)構(gòu)
4.3.2 性能特點(diǎn)
4.3.3 電路兩邊不對稱對性能的影響
4.3.4 差模傳輸特性
4.4 電流源電路及其應(yīng)用
4.4.1 鏡像電流源電路
4.4.2 其他改進(jìn)型電流源電路
4.4.3 電流源的應(yīng)用
4.5 多級放大器
4.5.1 多級放大器的基本問題
4.5.2 多級放大器的性能指標(biāo)計(jì)算
4.5.3 一個(gè)實(shí)際的多級放大器
4.6 放大器的頻率響應(yīng)
4.6.1 復(fù)頻域分析方法
4.6.2 共源、共射放大器的頻率特性
4.6.3 其他組態(tài)放大器的頻率響應(yīng)
4.6.4 寬帶放大器
4.7 放大器的噪聲
4.7.1 起伏噪聲的來源
4.7.2 放大器噪聲分析
習(xí)題
附錄 Multisim電路分析
第5章 放大器中的負(fù)反饋
5.1 反饋放大器的基本概念
5.1.1 反饋放大器的組成
5.1.2 四種類型負(fù)反饋放大器
5.1.3 反饋放大器的判別
5.2 負(fù)反饋對放大器性能的影響
5.2.1 輸入電阻
5.2.2 增益及其穩(wěn)定性
5.2.3 輸出電阻
5.2.4 失真和噪聲
5.3 負(fù)反饋放大器的性能分析
5.3.1 負(fù)反饋放大器的分析方法
5.3.2 負(fù)反饋放大器分析舉例
5.3.3 深度負(fù)反饋
5.4 負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性
5.4.1 判別穩(wěn)定性的準(zhǔn)則
5.4.2 集成運(yùn)放的相位補(bǔ)償技術(shù)
5.5 負(fù)反饋放大器的應(yīng)用
5.5.1 光纖通信用前置放大器
5.5.2 利用負(fù)反饋構(gòu)成寬帶放大器
5.5.3 利用電流負(fù)反饋構(gòu)成高輸出阻抗放大器
習(xí)題
附錄 Multisim電路分析
第6章 集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路
6.1 集成運(yùn)算放大器
6.1.1 集成運(yùn)放概述
6.1.2 MOS運(yùn)放核心電路
6.2 集成運(yùn)放應(yīng)用電路的組成原理
6.2.1 集成運(yùn)放的理想化條件
6.2.2 集成運(yùn)放應(yīng)用電路的分類
6.2.3 集成運(yùn)放的基本應(yīng)用電路
6.3 集成運(yùn)放應(yīng)用電路
6.3.1 閉環(huán)應(yīng)用
6.3.2 開環(huán)應(yīng)用
6.3.3 混合應(yīng)用
6.3.4 應(yīng)用舉例
6.4 集成運(yùn)放的性能參數(shù)及其對應(yīng)用電路的影響
6.4.1 集成運(yùn)放性能參數(shù)及宏模型
6.4.2 直流和低頻參數(shù)對性能的影響
6.4.3 高頻參數(shù)對性能的影響
6.5 高精度和高速寬帶集成運(yùn)放
6.5.1 高精度集成運(yùn)放
6.5.2 高速寬帶