薄膜晶體管液晶顯示技術(shù)原理與應(yīng)用

第1章 偏振光學基礎(chǔ)與應(yīng)用\t1
1．1 光的偏振性\t1
1．1．1 自然光與部分偏振光\t2
1．1．2 偏振光\t3
1．2 光偏振態(tài)的表示方法\t7
1．2．1 三角函數(shù)表示法\t8
1．2．2 龐加萊球圖示法\t10
1．3 各向異性介質(zhì)中光傳播的偏振性\t14
1．3．1 反射光與折射光的偏振性\t14
1．3．2 晶體的雙折射\t14
1．3．3 單軸晶體中的折射率\t18
1．4 相位片\t23
1．4．1 相位片的定義\t23
1．4．2 相位片在偏光片系統(tǒng)中\(zhòng)t24
1．4．3 相位片的特點\t25
1．4．4 相位片的分類\t27
1．4．5 相位片的制備與應(yīng)用\t27
1．5 波片\t29
1．5．1 快軸與慢軸\t29
1．5．2 ?/4波片\t30
1．5．3 ?/2波片\t31
1．5．4 ?波片\t32
1．5．5 光波在金屬表面的反射\t32
1．5．6 波片的應(yīng)用\t33
參考文獻\t38
第2章 液晶基本特點與應(yīng)用\t39
2．1 液晶發(fā)展簡史\t39
2．1．1 液晶的發(fā)現(xiàn)\t39
2．1．2 理論研究\t40
2．1．3 應(yīng)用研究\t40
2．2 液晶分類\t42
2．2．1 熱致液晶\t42
2．2．2 溶致液晶\t44
2．3 液晶特性\t44
2．3．1 光學各向異性\t44
2．3．2 電學各向異性\t45
2．3．3 力學特性\t45
2．3．4 黏度\t46
2．3．5 電阻率\t46
2．4 液晶分子合成與性能\t47
2．4．1 單體的合成\t47
2．4．2 混合液晶\t49
2．4．3 單體液晶分子結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系\t50
2．5 混合液晶材料參數(shù)及對顯示性能的影響\t58
2．5．1 工作溫度范圍的影響\t58
2．5．2 黏度的影響\t59
2．5．3 折射率各向異性的影響\t59
2．5．4 介電各向異性的影響\t60
2．5．5 彈性常數(shù)的影響\t60
2．5．6 電阻率的影響\t61
2．6 液晶的應(yīng)用\t61
2．6．1 顯示領(lǐng)域應(yīng)用\t61
2．6．2 非顯示領(lǐng)域應(yīng)用\t66
參考文獻\t67
第3章 廣視角液晶顯示技術(shù)\t69
3．1 顯示模式概述\t69
3．2 TN模式\t70
3．2．1 顯示原理\t70
3．2．2 視角特性\t71
3．2．3 視角改善\t76
3．2．4 響應(yīng)時間影響因素與改善\t79
3．3 VA模式\t81
3．3．1 顯示原理\t82
3．3．2 視角特性\t89
3．3．3 視角改善\t93
3．4 IPS與FFS模式\t97
3．4．1 顯示原理\t98
3．4．2 視角特性\t99
3．5 偏光片視角補償技術(shù)\t105
3．5．1 偏振矢量的龐加萊球表示方法\t105
3．5．2 VA模式的漏光補償方法\t106
3．5．3 IPS模式的漏光補償方法\t109
3．6 響應(yīng)時間\t114
3．6．1 開態(tài)與關(guān)態(tài)響應(yīng)時間特性\t115
3．6．2 灰階之間的響應(yīng)時間特性\t116
3．7 對比度\t116
參考文獻\t117
第4章 薄膜晶體管器件SPICE模型\t118
4．1 MOSFET器件模型\t118
4．1．1 器件結(jié)構(gòu)\t119
4．1．2 MOSFET器件電流特性\t120
4．1．3 MOSFET器件SPICE模型\t121
4．2 氫化非晶硅薄膜晶體管器件模型\t124
4．2．1 a-Si：H理論基礎(chǔ)\t124
4．2．2 a-Si：H TFT器件電流特性\t125
4．2．3 a-Si：H TFT器件SPICE模型\t126
4．3 LTPS TFT器件模型\t131
4．3．1 LTPS理論基礎(chǔ)\t131
4．3．2 LTPS TFT器件電流特性\t133
4．3．3 LTPS TFT器件SPICE模型\t135
4．4 IGZO TFT器件模型\t142
4．4．1 IGZO理論基礎(chǔ)\t142
4．4．2 IGZO TFT器件電流特性\t143
4．4．3 IGZO TFT器件SPICE模型\t145
4．5 薄膜晶體管的應(yīng)力老化效應(yīng)\t149
參考文獻\t150
第5章 液晶取向技術(shù)原理與應(yīng)用\t152
5．1 聚酰亞胺\t152
5．1．1 分子特點\t152
5．1．2 聚酰亞胺的性能\t153
5．1．3 聚酰亞胺的合成\t155
5．1．4 聚酰亞胺的分類\t156
5．1．5 取向劑的特點\t158
5．2 取向?qū)又谱鞴に嘰t161
5．2．1 涂布工藝\t161
5．2．2 熱固化\t166
5．3 摩擦取向\t168
5．3．1 工藝特點\t168
5．3．2 摩擦強度定義\t171
5．3．3 摩擦取向機理\t172
5．3．4 預(yù)傾角機理\t174
5．3．5 PI結(jié)構(gòu)對VHR和預(yù)傾角的影響\t176
5．3．6 摩擦取向的常見不良\t179
5．4 光控取向\t182
5．4．1 取向原理\t182
5．4．2 光控取向的光源特點與影響\t190
參考文獻\t191
第6章 面板驅(qū)動原理與常見不良解析\t193
6．1 液晶面板驅(qū)動概述\t193
6．1．1 像素結(jié)構(gòu)與等效電容\t193
6．1．2 像素陣列的電路驅(qū)動結(jié)構(gòu)\t194
6．1．3 極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式\t196
6．1．4 電容耦合效應(yīng)\t197
6．1．5 驅(qū)動電壓的均方根\t198
6．2 串擾\t199
6．2．1 定義與測試方法\t199
6．2．2 垂直串擾\t200
6．2．3 水平串擾\t205
6．3 閃爍\t209
6．3．1 定義與測試方法\t209
6．3．2 引起閃爍的因素\t212
6．4 殘像\t216
6．4．1 定義與測試方法\t216
6．4．2 引起殘像的因素\t218
參考文獻\t223
第7章 電路驅(qū)動原理與常見不良解析\t224
7．1 液晶模組驅(qū)動電路概述\t225
7．1．1 行掃描驅(qū)動電路\t227
7．1．2 列掃描驅(qū)動電路\t228
7．1．3 電源管理電路\t229
7．2 眼圖\t232
7．2．1 差分信號\t233
7．2．2 如何認識眼圖\t236
7．2．3 眼圖質(zhì)量改善\t238
7．3 電磁兼容性\t243
7．3．1 EMI簡介\t243
7．3．2 EMI測試\t244
7．3．3 模組中的EMI及改善措施\t245
7．4 ESD與EOS防護\t249
7．4．1 ESD與EOS產(chǎn)生機理\t249
7．4．2 防護措施\t250
7．4．3 ESD防護性能測試\t252
7．4．4 EOS防護性能測試\t254
7．5 開關(guān)機時序\t255
7．5．1 驅(qū)動模塊的電源連接方式\t255
7．5．2 電路模塊的時序\t256
7．5．3 電源開關(guān)機時序\t260
7．5．4 時序不匹配的顯示不良舉例\t262
7．6 驅(qū)動補償技術(shù)\t263
7．6．1 過驅(qū)動技術(shù)\t263
7．6．2 行過驅(qū)動技術(shù)\t265
參考文獻\t266
第8章 低藍光顯示技術(shù)\t268
8．1 視覺的生理基礎(chǔ)\t268
8．1．1 人眼的生理結(jié)構(gòu)\t268
8．1．2 感光原理說明\t269
8．1．3 光譜介紹\t269
8．2 藍光對健康的影響\t270
8．2．1 光譜各波段光作用人眼部位\t270
8．2．2 藍光對人體的影響\t271
8．3 LCD產(chǎn)品如何防護藍光傷害\t271
8．3．1 LCD基本顯示原理\t271
8．3．2 低藍光方案介紹\t272
8．3．3 低藍光顯示器產(chǎn)品\t276
參考文獻\t278
第9章 電競顯示技術(shù)\t279
9．1 電競游戲應(yīng)用瓶頸\t279
9．1．1 畫面拖影\t279
9．1．2 畫面卡頓和撕裂\t280
9．2 電競顯示器的性能優(yōu)勢\t282
9．2．1 高刷新率\t282
9．2．2 快速響應(yīng)時間\t283
9．3 畫面撕裂與卡頓的解決方案\t283
9．4 電競顯示器認證標準\t285
9．4．1 AMD Free-Sync標準\t285
9．4．2 NVIDA G-Sync標準\t287
參考文獻\t288
第10章 量子點材料特點與顯示應(yīng)用\t289
10．1 引言\t289
10．2 量子點材料基本特點\t290
10．2．1 量子點材料獨特效應(yīng)\t290
10．2．2 量子點材料發(fā)光特性\t294
10．3 量子點材料分類與合成\t297
10．3．1 Ⅱ-Ⅵ族量子點材料\t298
10．3．2 Ⅲ-Ⅴ族量子點材料\t304
10．3．3 鈣鈦礦量子點材料\t307
10．3．4 其他量子點材料\t314
10．4 量子點顯示技術(shù)\t315
10．4．1 光致發(fā)光量子點顯示技術(shù)\t315
10．4．2 電致發(fā)光量子點顯示技術(shù)\t322
參考文獻\t327
第11章 Mini LED和Micro LED原理與顯示應(yīng)用\t328
11．1 概述\t328
11．2 LED發(fā)光原理\t329
11．2．1 器件特點\t329
11．2．2 器件電極的接觸方式\t331
11．2．3 器件光譜特點\t332
11．3 LED直顯應(yīng)用特點\t334
11．3．1 尺寸效應(yīng)\t334
11．3．2 外量子效應(yīng)\t335
11．3．3 溫度效應(yīng)\t335
11．4 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)\t336
11．4．1 PDMS彈性印章轉(zhuǎn)移技術(shù)\t337
11．4．2 靜電吸附轉(zhuǎn)移技術(shù)\t338
參考文獻\t339
第12章 觸控技術(shù)原理與應(yīng)用\t341
12．1 觸控技術(shù)分類\t341
12．1．1 從技術(shù)原理上分類\t342
12．1．2 從顯示集成方式上分類\t342
12．1．3 從電極材料上分類\t342
12．2 觸控技術(shù)原理介紹\t343
12．2．1 電阻觸控技術(shù)\t343
12．2．2 光學觸控技術(shù)\t344
12．2．3 表面聲波觸控技術(shù)\t346
12．2．4 電磁共振觸控技術(shù)\t347
12．2．5 電容觸控技術(shù)\t348
12．3 投射電容觸控技術(shù)\t349
12．3．1 互容觸控技術(shù)\t349
12．3．2 自容觸控技術(shù)\t350
12．3．3 FIC觸控技術(shù)\t350
12．4 FIC觸控的驅(qū)動原理\t353
12．4．1 電路驅(qū)動系統(tǒng)架構(gòu)\t353
12．4．2 FIC觸控屏的兩種驅(qū)動方式\t357
12．4．3 觸控通信協(xié)議\t361
12．4．4 觸控性能指標\t362
參考文獻\t363
附錄A MOSFET的Level 1模型參數(shù)\t364
附錄B a-Si：H TFT的Level 35模型參數(shù)\t366
附錄C LTPS TFT的Level 36模型參數(shù)\t368
附錄D IGZO TFT的Level 301模型參數(shù)（完善中）\t370