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深入淺出SSD:固態(tài)存儲核心技術(shù)、原理與實戰(zhàn)(第2版)

深入淺出SSD:固態(tài)存儲核心技術(shù)、原理與實戰(zhàn)(第2版)

定 價:¥129.00

作 者: SSDFans 胡波 石亮 岑彪
出版社: 機械工業(yè)出版社
叢編項:
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787111731986 出版時間: 2023-08-01 包裝: 平裝-膠訂
開本: 16開 頁數(shù): 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  本書從基礎(chǔ)認知、核心技術(shù)、協(xié)議、測試和閃存系統(tǒng)五個方面對SSD固態(tài)存儲進行全面且深入解讀。相較于第1版,本書新增了近40%的新內(nèi)容,并對之前20%左右的過時內(nèi)容進行了更新或刪減?;A(chǔ)概念部分,新增了近3年固態(tài)存儲市場和閃存市場的變化,并重點介紹了一些特殊的SSD存儲的知識,包括可計算存儲、工業(yè)存儲、混合存儲以及相關(guān)產(chǎn)品架構(gòu)。核心技術(shù)部分,除原有的主控、存儲介質(zhì)、他、FTL、ECC的原理和實現(xiàn)外,還專門增加了SSD主控、3D NAND、QLC閃存、新型存儲器與SCM、混合式FTL等重點和熱點技術(shù)。協(xié)議部分在原有基礎(chǔ)上對PCIe、NVMe進行了近30%的新內(nèi)容擴展,同時新增了對UFS協(xié)議的介紹和解讀。測試部分基本都是新內(nèi)容,主要介紹了與SSD相關(guān)的測試基本概念、原理、落地方法和工具。擴展部分是全新的章節(jié),主要對閃存文件系統(tǒng)進行深入解讀,這是當(dāng)前各大SSD廠商及相關(guān)從業(yè)者關(guān)心的內(nèi)容。

作者簡介

暫缺《深入淺出SSD:固態(tài)存儲核心技術(shù)、原理與實戰(zhàn)(第2版)》作者簡介

圖書目錄

目  錄
贊譽
序1
序2
前言
產(chǎn)品與市場篇
第1章 SSD綜述 2
1.1 引子 2
1.2 SSD與HDD 4
1.3 固態(tài)存儲及SSD技術(shù)發(fā)展史 7
1.4 SSD基本工作原理 15
1.5 SSD產(chǎn)品核心指標(biāo) 17
1.5.1 基本信息剖析 18
1.5.2 性能剖析 21
1.5.3 壽命剖析 24
1.5.4 數(shù)據(jù)可靠性剖析 26
1.5.5 功耗和其他剖析 29
1.5.6 SSD系統(tǒng)兼容性 32
1.6 接口形態(tài) 33
1.6.1 2.5in 35
1.6.2 M.2 35
1.6.3 BGA SSD 37
1.6.4 U.2 38
1.6.5 EDSFF 38
第2章 SSD及閃存市場 43
2.1 SSD市場 43
2.1.1 消費級SSD取代HDD 43
2.1.2 SSD和HDD應(yīng)用場合 45
2.1.3 SSD市場情況 45
2.1.4 國產(chǎn)SSD廠商和產(chǎn)品 46
2.2 閃存市場 57
2.2.1 最新原廠動態(tài) 57
2.2.2 閃存發(fā)展趨勢 72
第3章 專用SSD存儲 76
3.1 可計算存儲 76
3.1.1 可計算存儲的誕生背景 76
3.1.2 可計算存儲的應(yīng)用探索 78
3.1.3 可計算存儲的成功案例 84
3.1.4 可計算存儲的前景展望 86
3.2 航天存儲 87
3.2.1 背景 87
3.2.2 航天存儲系統(tǒng)技術(shù)現(xiàn)狀與
發(fā)展趨勢 88
核心技術(shù)篇
第4章 SSD主控 94
4.1 解讀控制器架構(gòu) 94
4.2 SSD主控廠商 99
4.2.1 SSD主控國際大廠 100
4.2.2 SSD主控國內(nèi)廠商 103
第5章 NAND閃存 122
5.1 閃存基本原理 122
5.1.1 存儲單元及相關(guān)操作 122
5.1.2 閃存類型 125
5.1.3 閃存組織結(jié)構(gòu) 128
5.1.4 擦、寫、讀操作 130
5.1.5 閾值電壓分布圖 133
5.2 閃存可靠性問題 136
5.2.1 磨損 136
5.2.2 讀干擾 137
5.2.3 寫干擾和抑制編程干擾 138
5.2.4 數(shù)據(jù)保持 140
5.2.5 存儲單元之間的干擾 141
5.3 數(shù)據(jù)可靠性問題的解決方案 142
5.4 3個與性能相關(guān)的閃存特性 144
5.4.1 多Plane操作 144
5.4.2 緩存讀寫操作 146
5.4.3 異步Plane操作 147
5.5 3D閃存 148
5.5.1 使用3D技術(shù)提高閃存密度 148
5.5.2 3D閃存存儲單元 150
5.5.3 3D閃存組織結(jié)構(gòu) 152
5.5.4 3D閃存外圍電路架構(gòu) 154
第6章 FTL詳解 156
6.1 FTL綜述 156
6.2 映射管理 158
6.2.1 映射的種類 158
6.2.2 映射的基本原理 160
6.2.3 HMB 163
6.2.4 映射表寫入 164
6.3 垃圾回收 165
6.3.1 垃圾回收原理 165
6.3.2 寫放大 174
6.3.3 垃圾回收實現(xiàn) 176
6.3.4 垃圾回收時機 187
6.4 解除映射關(guān)系 187
6.5 磨損均衡 189
6.6 掉電恢復(fù) 191
6.7 壞塊管理 193
6.7.1 壞塊鑒別 194
6.7.2 壞塊管理策略 195
6.8 SLC緩存 196
6.8.1 SLC緩存寫入策略和分類 196
6.8.2 讀寫過程 197
6.8.3 數(shù)據(jù)遷移 198
6.9 讀干擾和數(shù)據(jù)保持 199
第7章 ECC原理 202
7.1 信號和噪聲 202
7.2 通信系統(tǒng)模型 203
7.3 糾錯編碼的基本思想 204
7.3.1 編碼距離 205
7.3.2 線性糾錯碼的基石—奇偶
校驗 205
7.3.3 校驗矩陣H和生成矩陣G 206
7.4 LDPC原理簡介 207
7.4.1 LDPC是什么 207
7.4.2 Tanner圖 208
7.5 LDPC解碼 209
7.5.1 Bit-f?lipping算法 209
7.5.2 和積信息傳播算法 211
7.6 LDPC編碼 216
7.7 LDPC糾錯碼編解碼器在SSD
中的應(yīng)用 217
協(xié) 議 篇
第8章 PCIe介紹 222
8.1 從PCIe的速度說起 222
8.2 PCIe拓撲結(jié)構(gòu) 225
8.3 PCIe分層結(jié)構(gòu) 228
8.4 PCIe TLP類型 231
8.5 PCIe TLP結(jié)構(gòu) 234
8.6 PCIe配置和地址空間 239
8.7 TLP的路由 244
8.8 數(shù)據(jù)鏈路層 251
8.9 物理層 256
8.10 PCIe重置 259
8.11 PCIe最大有效載荷和最大讀
請求 264
8.12 PCIe SSD熱插拔 265
8.13 SSD PCIe鏈路性能損耗分析 266
8.14 PCIe省電模式ASPM 269
8.15 PCIe其他省電模式 272
8.16 PCIe 4.0和5.0介紹 273
8.17 SR-IOV 274
第9章 NVMe介紹 277
9.1 AHCI到NVMe 277
9.2 NVMe綜述 279
9.3 吉祥三寶:SQ、CQ和DB 283
9.4 尋址雙雄:PRP和SGL 289
9.5 Trace分析 295
9.6 端到端數(shù)據(jù)保護 299
9.7 Namespace 303
9.8 NVMe動態(tài)電源管理 308
9.9 NVMe over Fabrics 312
9.9.1 概述 314
9.9.2 NVMe over RDMA概述 318
9.9.3 NVMe over TCP概述 322
9.9.4 案例解讀 325
9.9.5 全閃存陣列 334
9.10 ZNS簡介 347

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