高頻電子電路S參數(shù)測(cè)量與校準(zhǔn)技術(shù)

定　價(jià)：￥320.00

作　者：	郁發(fā)新
出版社：	浙江大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

購(gòu)買(mǎi)這本書(shū)可以去

當(dāng)當(dāng)網(wǎng) (￥271.80)

ISBN：	9787308239899	出版時(shí)間：	2023-11-01	包裝：	平裝-膠訂
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	346	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　描述傳輸通道頻域特性的散射參數(shù)（scattering parameter，S參數(shù)），用于表征被測(cè)器件線性矢量參數(shù)頻率響應(yīng)的幅頻與相頻特性，是高頻電子電路中最基本、最常用的核心指標(biāo)參數(shù)之一。本書(shū)以S參數(shù)測(cè)量與校準(zhǔn)為切入點(diǎn)，以圖文并茂的方式深入淺出地介紹了S參數(shù)的基本概念與發(fā)展歷史、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀結(jié)構(gòu)與工作原理、性能指標(biāo)解讀與評(píng)判、各種S參數(shù)校準(zhǔn)、去嵌方法原理與優(yōu)劣、不確定度分析、自動(dòng)測(cè)試技術(shù)、使用技巧和注意事項(xiàng)、行業(yè)最新發(fā)展動(dòng)態(tài)等，全面總結(jié)了迄今為止各種S參數(shù)校準(zhǔn)、去嵌方法的數(shù)學(xué)原理及該領(lǐng)域多年發(fā)展成果。本書(shū)適合進(jìn)行S參數(shù)測(cè)試相關(guān)的專(zhuān)業(yè)人士閱讀使用，也適合作為廣大高等院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)學(xué)生以及企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)相關(guān)專(zhuān)業(yè)人員的參考書(shū)。本書(shū)創(chuàng)新點(diǎn)：·以國(guó)家戰(zhàn)略需求為導(dǎo)向，直面“卡脖子”痛點(diǎn)和難點(diǎn)·作者權(quán)威，在射頻芯片研究領(lǐng)域深耕多年·代表我國(guó)高精度測(cè)量領(lǐng)域高精尖技術(shù)前沿

作者簡(jiǎn)介

　　郁發(fā)新教授浙江大學(xué)航天電子工程研究所所長(zhǎng)、博士生導(dǎo)師，國(guó)家wr計(jì)劃科技領(lǐng)軍人才、國(guó)防科技卓越青年人才和國(guó)防科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)牽頭人。在射頻模擬芯片領(lǐng)域具有扎實(shí)的理論基礎(chǔ)和豐富的di一線研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，開(kāi)發(fā)了大量通信、導(dǎo)航、雷達(dá)所用的高端射頻模擬芯片，有效支撐了我國(guó)多個(gè)重點(diǎn)型號(hào)的裝備，大力推動(dòng)了我國(guó)高端射頻模擬芯片技術(shù)快速發(fā)展。

圖書(shū)目錄

第1章 S參數(shù)及其與其他參數(shù)矩陣問(wèn)變換關(guān)系
1.1 S參數(shù)定義
1.2 S參數(shù)與Smith圖
1.3 S參數(shù)與X參數(shù)關(guān)系
1.4 其他兩端口矩陣及其與S參數(shù)變換關(guān)系
1.4.1 Z參數(shù)
1.4.2 Y參數(shù)
1.4.3 ABCD參數(shù)
1.4.4 H參數(shù)
1.4.5 T參數(shù)
1.5 各矩陣間變換關(guān)系
1.6 矩陣基本運(yùn)算
1.7 其他基本數(shù)學(xué)公式
1.7.1 歐拉公式
1.7.2 復(fù)數(shù)根式運(yùn)算
1.8 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀簡(jiǎn)介
2.1 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀關(guān)鍵參數(shù)指標(biāo)
2.1.1 源參數(shù)指標(biāo)
2.1.2 接收機(jī)參數(shù)指標(biāo)
2.1.3 綜合指標(biāo)
2.2 S參數(shù)校準(zhǔn)基本過(guò)程
2.3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件制造與建模
3.1 校準(zhǔn)件分類(lèi)與特點(diǎn)
3.1.1 同軸校準(zhǔn)件
3.1.2 矩形波導(dǎo)校準(zhǔn)件
3.1.3 在片校準(zhǔn)件與射頻探針
3.2 在片校準(zhǔn)件制造關(guān)鍵點(diǎn)
3.2.1 襯底材料選擇
3.2.2 負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)件50Ω電阻控制
3.2.3 傳輸線特征阻抗50Ω 控制
3.3 校準(zhǔn)件質(zhì)量對(duì)校準(zhǔn)結(jié)果的影響
3.4 校準(zhǔn)件數(shù)學(xué)模型
3.5 同軸數(shù)據(jù)基校準(zhǔn)件的制備方法
3.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章信號(hào)流圖與常用誤差模型
4.1 信號(hào)流圖基本原理
4.1.1 相關(guān)術(shù)語(yǔ)
4.1.2 Mason增益公式
4.2 常用S參數(shù)校準(zhǔn)誤差模型
4.2.1 單端口誤差模型
4.2.2 兩端口誤差模型
4.2.3 多端口誤差模型
4.3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 S參數(shù)校準(zhǔn)及去嵌原理
5.1 原始數(shù)據(jù)修正
5.1.1 開(kāi)關(guān)項(xiàng)修正
5.1.2 隔離項(xiàng)修正
5.2 單端口校準(zhǔn)方法
5.2.1 OSL校準(zhǔn)方法
5.2.2 MOSL與RRR校準(zhǔn)方法
5.2.3 OSL去嵌方法
5.3 兩端口校準(zhǔn)方法
5.3.1 SOLT（TOSM）方法族
5.3.2 TRL（LRL）方法族
5.3.3 LRM（TRM）方法族
5.3.4 16-SOLT-SVD校準(zhǔn)方法
5.3.5 數(shù)據(jù)比對(duì)
5.3.6 兩端口去嵌方法比較
5.4 多端口校準(zhǔn)方法
5.4.1 多端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀基本原理
5.4.2 常見(jiàn)的多端口校準(zhǔn)方法
5.4.3 差分參數(shù)校準(zhǔn)
5.4.4 多端口去嵌方法
5.5 內(nèi)插算法
5.6 高低溫S參數(shù)校準(zhǔn)
5.6.1 校準(zhǔn)件參數(shù)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償法
5.6.2 校準(zhǔn)件恒溫自校準(zhǔn)方法
5.7 源功率校準(zhǔn)與接收機(jī)功率校準(zhǔn)
5.7.1 源功率校準(zhǔn)
5.7.2 接收機(jī)功率校準(zhǔn)
5.8 全自動(dòng)在片校準(zhǔn)與測(cè)試
5.9 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章校準(zhǔn)結(jié)果判斷與不確定度分析
6.1 校準(zhǔn)前設(shè)置注意事項(xiàng)
6.1.1 系統(tǒng)連接情況
6.1.2 中頻帶寬
6.1.3 平均次數(shù)影響
6.1.4 數(shù)據(jù)平滑處理
6.1.5 測(cè)試功率
6.1.6 衰減器影響
6.1.7 連續(xù)與波脈沖
6.1.8 在片校準(zhǔn)特殊注意事項(xiàng)
6.2 校準(zhǔn)中注意事項(xiàng)
6.3 校準(zhǔn)后結(jié)果工程判斷方法
6.4 校準(zhǔn)后結(jié)果定量判斷方法——校準(zhǔn)結(jié)果驗(yàn)證算法
6.5 殘余誤差計(jì)算與不確定度分析
6.5.1 殘余誤差計(jì)算
6.5.2 不確定度分析
6.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章校準(zhǔn)時(shí)問(wèn)穩(wěn)定性提升方法
7.1 短期漂移
7.2 實(shí)例驗(yàn)證與分析
7.3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)