薄膜晶體管原理及應(yīng)用（第2版）

第1章緒論

1.1薄膜晶體管發(fā)展簡(jiǎn)史

1.2薄膜晶體管的技術(shù)分類(lèi)及比較

1.3薄膜晶體管的應(yīng)用簡(jiǎn)介

1.4本書(shū)的主要內(nèi)容及架構(gòu)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第2章平板顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)

2.1平板顯示簡(jiǎn)介

2.1.1顯示技術(shù)的分類(lèi)及特性指標(biāo)

2.1.2平板顯示的定義和分類(lèi)

2.1.3液晶顯示器件的基本原理

2.1.4有機(jī)發(fā)光二極管顯示的基本原理

2．1．5電子紙顯示的基本原理

2.2液晶顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)

2.2.1液晶顯示的靜態(tài)驅(qū)動(dòng)和無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)介

2.2.2AMLCD像素電路的充放電原理

2.2.3AMLCD像素陣列的相關(guān)原理

2.2.4液晶顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)的特殊方法

2.2.5液晶顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)的技術(shù)要求

2.3有機(jī)發(fā)光二極管顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)

2.3.1有機(jī)發(fā)光二極管顯示的無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)介

2.3.2有機(jī)發(fā)光二極管顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)基本原理

2．3．3AMOLED電壓型像素電路的補(bǔ)償原理

2.3.4有機(jī)發(fā)光二極管顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)技術(shù)要求

2．4電子紙顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)

2．4．1電子紙顯示的驅(qū)動(dòng)波形

2．4．2電子紙顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)技術(shù)要求

2．5平板顯示外圍驅(qū)動(dòng)電路和SOG技術(shù)

2．5．1AMLCD外圍驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)介

2．5．2SOG技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)介

2．5．3GOA技術(shù)的基本原理

2.6本章小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第3章薄膜晶體管材料物理

3.1非晶硅材料物理

3.1.1非晶體簡(jiǎn)介

3.1.2非晶硅材料結(jié)構(gòu)

3.1.3非晶硅電學(xué)特性

3.2多晶硅材料物理

3.2.1多晶體簡(jiǎn)介

3.2.2多晶硅材料結(jié)構(gòu)

3.2.3多晶硅電學(xué)特性

3.3薄膜晶體管絕緣層材料

3.3.1絕緣層介電特性

3.3.2絕緣層漏電特性

3.3.3氮化硅薄膜

3.3.4氧化硅薄膜

3.4薄膜晶體管電極材料

3.4.1導(dǎo)電材料簡(jiǎn)介

3.4.2TFT用鋁合金薄膜

3.4.3ITO

3.5平板顯示用玻璃基板簡(jiǎn)介

3．6柔性基板簡(jiǎn)介

3.7本章小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第4章薄膜晶體管器件物理

4.1薄膜晶體管的器件結(jié)構(gòu)

4.1.1薄膜晶體管的器件結(jié)構(gòu)分類(lèi)

4.1.2非晶硅薄膜晶體管器件結(jié)構(gòu)的選擇

4.1.3多晶硅薄膜晶體管器件結(jié)構(gòu)的選擇

4.2薄膜晶體管器件的操作特性及理論模型

4.2.1薄膜晶體管的操作特性

4.2.2薄膜晶體管的簡(jiǎn)單物理模型

4.2.3薄膜晶體管的精確物理模型

4.2.4薄膜晶體管的特性參數(shù)及提取方法

4.2.5薄膜晶體管操作特性的影響因素分析

4.3薄膜晶體管的穩(wěn)定特性

4.3.1非晶硅薄膜晶體管的電壓偏置穩(wěn)定特性

4.3.2多晶硅薄膜晶體管的電壓偏置穩(wěn)定特性

4.3.3薄膜晶體管的環(huán)境效應(yīng)

4．4薄膜晶體管的動(dòng)態(tài)特性

4．4．1薄膜晶體管的瞬態(tài)特性

4．4．2薄膜晶體管的頻率特性

4．4．3薄膜晶體管的噪聲特性

4.5本章小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第5章薄膜晶體管單項(xiàng)制備工藝

5.1成膜工藝

5.1.1磁控濺射

5.1.2等離子體化學(xué)氣相沉積

5.2薄膜改性技術(shù)

5.2.1激光結(jié)晶化退火

5.2.2離子注入

5.3光刻工藝

5.3.1曝光工藝

5.3.2光刻膠涂覆與顯影工藝

5.4刻蝕工藝

5.4.1濕法刻蝕

5.4.2干法刻蝕

5.5其他工藝

5.5.1洗凈

5.5.2光刻膠剝離

5.5.3器件退火

5.6工藝檢查

5.6.1自動(dòng)光學(xué)檢查

5.6.2斷/短路檢查

5.6.3陣列測(cè)試

5.6.4TEG測(cè)試

5.7本章小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第6章薄膜晶體管陣列制備工藝整合

6.1AMLCD制備工藝概述

6.1.1陣列工程

6.1.2彩膜工程

6.1.3成盒工程

6.1.4模組工程

6.2非晶硅薄膜晶體管陣列基板制備工藝流程

6.2.15MASK aSi TFT工藝流程

6.2.24MASK aSi TFT工藝流程

6.3AMOLED制備工藝概述

6.3.1陣列工程

6.3.2OLED工程

6.3.3成盒工程和模組工程

6.4多晶硅薄膜晶體管陣列基板制備工藝流程

6.4.16MASK pSi TFT工藝流程

6.4.210MASK pSi TFT工藝流程

6.5陣列檢查與修補(bǔ)

6．6柔性TFT背板的制備工藝

6．6．1柔性TFT溝道層材料的對(duì)比和選擇

6．6．2柔性LTPS TFT制備工藝簡(jiǎn)介

6.7本章小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第7章總結(jié)與展望

7.1全書(shū)內(nèi)容總結(jié)

7.2薄膜晶體管技術(shù)發(fā)展展望

7．3薄膜晶體管在非顯示領(lǐng)域的應(yīng)用展望

參考文獻(xiàn)

附錄A物理常數(shù)表

附錄B單位前綴一覽表

附錄C單晶硅材料特性參數(shù)一覽表

附錄D氮化硅與氧化硅材料特性參數(shù)一覽表

附錄E10MASK pSi TFT制備工藝流程