二氧化硅低維微：納米材料的摻雜及其光學性能

定　價：￥50.00

作　者：	呂航
出版社：	冶金工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

ISBN：	9787502496159	出版時間：	2023-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	102	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書介紹了利用熱蒸發(fā)法制備稀土等元素摻雜二氧化硅低維微納米材料的方法，此制備方法在簡單、有效、低耗的同時可以對材料的摻雜微結(jié)構(gòu)進行調(diào)控。本書對制備方法和機制進行實驗分析，探索低維納米結(jié)構(gòu)和光學性能的影響因素，對納米材料功能器件的設(shè)計具有重要指導性意義。本書還對于熱蒸發(fā)法制備稀土等元素摻雜二氧化硅微納米材料的結(jié)構(gòu)及光學性能的影響進行了分類介紹，探索納米材料的摻雜機理，通過摻雜其他元素來拓展其應(yīng)用范圍。本書可供從事材料學、物理學、化學等領(lǐng)域的科研人員閱讀，對納米材料光學性能影響因素的探索具有重要參考價值。

作者簡介

暫缺《二氧化硅低維微：納米材料的摻雜及其光學性能》作者簡介

圖書目錄

1 緒論
1.1 納米材料的研究前景與發(fā)展現(xiàn)狀
1.2 Si納米材料的性質(zhì)與結(jié)構(gòu)
1.2.1 Si納米材料的特性
1.2.2 Si納米材料的應(yīng)用及影響
1.3 SiO2納米材料簡介
1.3.1 納米二氧化硅的物理、光學和化學特性
1.3.2 SiO2納米材料的應(yīng)用
1.4 稀土摻雜納米材料的研究背景
1.4.1 無機材料的稀土摻雜
1.4.2 稀土摻雜領(lǐng)域的應(yīng)用
1.4.3 稀土元素摻雜SiO2納米材料的研究背景
1.5 二氧化硅基體及摻雜常用的制備方法
1.5.1 二氧化硅的制備
1.5.2 摻雜方法
1.6 一維硅基微納米材料的生長機理
1.6.1 VLS生長機理
1.6.2 VS生長機理
1.6.3 氧化物輔助生長機理
2 實驗材料、設(shè)備與表征手段
2.1 實驗材料及設(shè)備
2.1.1 材料
2.1.2 設(shè)備
2.1.3 制備
2.2 表征測試
2.2.1 掃描電子顯微鏡
2.2.2 能譜
2.2.3 X射線衍射譜
2.2.4 拉曼光譜
2.2.5 紫外-可見吸收光譜
2.2.6 光致發(fā)光光譜
3 稀土摻雜二氧化硅低維材料的制備及性能
3.1 Ce3+摻雜SiO2微/納米材料及發(fā)光性能
3.1.1 引言
3.1.2 實驗
3.1.3 結(jié)果和討論
3.1.4 小結(jié)
3.2 Tb3+摻雜SiO2微/納米材料及發(fā)光性能
3.2.1 引言
3.2.2 實驗
3.2.3 結(jié)果和討論
3.2.4 小結(jié)
3.3 Sm3+摻雜SiO2微/納米材料及發(fā)光性能
3.3.1 引言
3.3.2 5%Sm3+摻雜制備SiO2納/微米材料
3.3.3 8%Sm3+摻雜制備SiO2納/微米材料
3.3.4 小結(jié)
3.4 Eu3+摻雜SiO2微/納米線及發(fā)光性能
3.4.1 引言
3.4.2 實驗