新型固態(tài)pH傳感器的研究

　　本文針對(duì)AlInN/GaN HEMT器件性能的熱退化問(wèn)題，提出添加背勢(shì)壘層和自支撐GaN襯底的解決思路，并通過(guò)數(shù)值模擬的方法進(jìn)行了驗(yàn)證優(yōu)化。另通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)研究了AlGaN/GaN和AlInN/GaN HEMT的pH值傳感器性能并對(duì)感測(cè)區(qū)尺寸進(jìn)行了優(yōu)化，證明GaN基器件具有優(yōu)異的pH值探測(cè)性能。

　　董燕，黑龍江人，黑龍江大學(xué)講師，主要從事微電子器件相關(guān)研究工作，包括器件設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試分析等。共發(fā)表SCI收錄論文10篇，國(guó)家發(fā)明專利三項(xiàng)，核心期刊5篇。