圖14新讀寫磁頭技術(shù)對(duì)延續(xù)磁錄密度改善軌道的影響資料來源：《磁盤/趨勢(shì)報(bào)告》各期公布的數(shù)據(jù)。這些新技術(shù)超越原技術(shù)的性能的方式類似于一系列相互交叉的S形曲線。出現(xiàn)這種S形曲線走勢(shì)的原因通常在于現(xiàn)有技術(shù)方法的漸進(jìn)性改善，而過渡到下一條技術(shù)曲線的跳躍式發(fā)展則表明行業(yè)采用了一種突破性新技術(shù)。在圖14描繪的情況中，漸進(jìn)性的技術(shù)改善（例如更加精細(xì)地研磨鐵氧體磁頭，更加精確的尺寸，在磁盤表面使用更小、分布更均勻的氧化顆粒）推動(dòng)磁錄密度從1976年的每平方英寸1Mb提高到1989年的每平方英寸20Mb。正如S形曲線所預(yù)測(cè)的那樣，鐵氧技術(shù)可實(shí)現(xiàn)的磁錄密度的改善幅度在這一階段（1976~1989年）的末期開始變得平緩，表明該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)成熟。薄膜磁頭和磁盤技術(shù)對(duì)硬盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)的影響就是延續(xù)了硬盤驅(qū)動(dòng)器性能一直以來的改善速度。薄膜磁頭在20世紀(jì)90年代初還未發(fā)展成熟，而此時(shí)便已出現(xiàn)了更加先進(jìn)的磁阻技術(shù)，它的出現(xiàn)延續(xù)甚至是加快了硬盤驅(qū)動(dòng)器性能的改善速度。

圖15揭示了一種性質(zhì)完全不同的延續(xù)性技術(shù)變革――產(chǎn)品結(jié)構(gòu)創(chuàng)新。由于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的出現(xiàn)，14英寸溫切斯特硬盤取代了在1962至1978年普遍采用的可移動(dòng)磁盤組設(shè)計(jì)。正如薄膜磁盤取代鐵氧體磁盤一樣，溫切斯特技術(shù)延續(xù)了長久以來的磁盤性能改善速度。硬盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)的其他大多數(shù)技術(shù)創(chuàng)新（例如，嵌入式伺服系統(tǒng)、運(yùn)行長度限制記錄碼（RLL）和部分響應(yīng)最大似然技術(shù)（PRML）、每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)更高的電機(jī)和嵌入式接口）的性能改善曲線也大致相同。其中一些技術(shù)創(chuàng)新是較為直觀的技術(shù)改善，其他則是突破性的技術(shù)飛躍。但所有的技術(shù)創(chuàng)新都會(huì)給硬盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)帶來相同的影響：它們幫助制造商延續(xù)了消費(fèi)者所希望看到的歷史性能改善幅度。圖11和12中描繪的技術(shù)變革范例介紹了有關(guān)“非連續(xù)性”這一個(gè)不規(guī)范術(shù)語的兩種釋義。圖14中所描繪的磁頭和磁盤技術(shù)變革代表了成熟技術(shù)軌線的正向非連續(xù)性，而圖17中所描繪的破壞性技術(shù)軌線則代表了反向非連續(xù)性。正如下文將談到的那樣，成熟企業(yè)在面臨正向非連續(xù)性時(shí)似乎總是能夠引領(lǐng)行業(yè)潮流，但在面對(duì)反向非連續(xù)性時(shí)卻往往喪失其行業(yè)龍頭地位。

圖15溫切斯特結(jié)構(gòu)對(duì)14英寸硬盤磁錄密度的延續(xù)性影響資料來源：《磁盤/趨勢(shì)報(bào)告》各期公布的數(shù)據(jù)。

在硬盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)的幾乎每一次延續(xù)性技術(shù)變革中，成熟企業(yè)都在技術(shù)的研發(fā)和商業(yè)化運(yùn)作中處于領(lǐng)先地位。新磁盤和磁頭技術(shù)的出現(xiàn)便證明了這一點(diǎn)。