對半導體施加電壓，只要超過一定界限，就會產生絕緣破壞（breakdown），屆時電流會迅速涌入。長年以來，圍繞這一現象一直爭論不絕，我也因此極為關注。

1934年，美國物理學者齊納（Zener）通過量子力學的隧道效應，對絕緣破壞展開了精彩的理論建構。但是，現實中的絕緣破壞是由電子雪崩現象產生的，與隧道效應并無關系。齊納所提出的理論屬于典型的“創(chuàng)造性失敗”（Creative failure），最后以失敗告終。

1951年，晶體管的發(fā)明者，包括肖克利（Shockley）在內的美國貝爾研究所的研究人員發(fā)表了新的研究報告。其結論是，某一種類的鍺二極管可以如齊納理論所指，產生絕緣破壞。

只是，此后的詳細研究表明，即使是這種情形，實際上也是雪崩現象造成的，而非齊納所說的隧道效應。貝爾研究所的著名學者們，結果也只是為齊納的“創(chuàng)造性失敗”進行了最后的粉飾而已。

沒想到的是，在這一系列的事態(tài)發(fā)展中，我的研究信心竟然明確地樹立起來。其實，早在神戶工業(yè)的時代，我就對隧道電流的觀測抱有一種使命感，終于在31歲這年，為了追尋這“探尋隧道的旅程”，從神戶來到了東京。

古希臘頂尖的自然哲學家德謨克利特一語道破天機：“宇宙中的一切存在都是偶然和必然結合的產物。”曾有報道說，江崎二極管純粹是偶然的產物，但正如此處所記，在江崎二極管的誕生過程中，偶然與必然可謂如影隨形，缺一不可。

我用自己的方法把PN結合層逐漸做薄，正如預期的，其順向特性沒有發(fā)生什么變化，但逆向的耐電壓卻不斷降低，這樣一來，逆向就比順向更容易產生電流，前所未聞的新二極管就此誕生。我給它取名為“逆向二極管”（Backward Diode）。毫無疑問，齊納理論在這里得到了運用，我也終于確信觀測到了隧道電流。

到此為止是“必然”的產物與結果，機遇女神的現身卻是在此之后。

1957年，7月盛夏的一天，酷熱使得研究室里的冷氣都不管用了。沒辦法，我們只好把逆向二極管放入零下80度的槽中，此時觀測順向的隧道電流發(fā)現，所施加的電壓越高，電流就變得越小，這就是所謂“負性抵抗”，也是發(fā)現江崎二極管的開端。仔細想來，這是種理所當然的特性，只不過在制訂研究計劃時沒能想到而已。負性抵抗在應用層面上有著很高的價值。與通常的二極管不同，會產生振蕩、增幅、開關的功能。此外，因為是隧道電流，所以是超高速運作。也就是說，迄今為止，一直糾纏著隧道電流的“創(chuàng)造性失敗”獲得了機遇女神的眷顧，搖身一變，成了“創(chuàng)造性成功”。

這一成果隨即在1957年10月的日本物理學會年會上發(fā)表，完成的論文則刊登在1958年1月號的美國物理學會志上，成果就此問世。但對于這一發(fā)現，在日本除了極少數的一部分人之外，其意義并未立刻為大家所理解。最高興的則要屬齊納本人，他甚至邀請我去他擔任所長的西屋（Westinghouse）研究所工作。