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前往索尼——尋求研究環(huán)境的轉(zhuǎn)變 2

挑戰(zhàn)極限 作者:江崎玲于奈


我進(jìn)入東京通信工業(yè),就開(kāi)始按計(jì)劃著手進(jìn)行半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)研究——PN接觸的一個(gè)問(wèn)題,就是要把P型到N型的半導(dǎo)體接觸面,或者說(shuō)是把阻擋層盡量做薄,這是一項(xiàng)挑戰(zhàn)極限的研究工作。如果能達(dá)到10納米那么薄,就有可能觀測(cè)到量子力學(xué)所說(shuō)的隧道電流了。不純物的濃度越高,接觸面就會(huì)越薄。

另一方面,那陣子公司正在制造的高周波晶體管,不純物濃度就很高。實(shí)際上,濃度越高,高周波的特性就越好。但是這種情況下,如果濃度過(guò)高,隧道電流一旦開(kāi)始產(chǎn)生,晶體管的作用就會(huì)喪失。我由此判斷,無(wú)論是立足科學(xué)的立場(chǎng),還是立足技術(shù)的立場(chǎng),突破隧道電流的極限都是最重要的課題。就這樣,研究計(jì)劃得以確立。

這種情況下,要在保證鍺結(jié)晶高品質(zhì)的同時(shí)提高不純物濃度,做來(lái)相當(dāng)不容易。結(jié)晶的質(zhì)地如果下降,就無(wú)法獲得理想的電氣特性了。

經(jīng)過(guò)了一年的艱苦奮戰(zhàn),經(jīng)歷了種種實(shí)驗(yàn)失敗之后,“機(jī)遇女神”終于微笑著向我伸出了橄欖枝。


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